英特爾10nm處理器將于2019年下半年上市
英特爾此前曾表示，其10nm芯片將于2019年上市。但在近期的財報會議上，英特爾高管透露了一個更具體....
新技術！借助棱鏡大幅降低激光雷達傳感器復雜性
Baraja通過棱鏡來彎折激光束的方式，大幅減少了系統中的部件數量。當你將一束激光射向棱鏡的時候，會....
普睿司曼推出FlexRibbon技術產品，可將最大光纖數量壓縮成最小電纜
普睿司曼的新產品通過使用極其靈活的光纖帶將最大光纖數量壓縮成最小的電纜，旨在最大限度地提高光纖密度和....
三星146英寸MicroLED電視9月開始量產，設備壽命將達到10萬小時
除了146英寸外，明年會推出更薄的版本，并從現在8厘米縮減至3厘米，甚至比一些OLED電視還薄，當然....
2017年華虹半導體金融IC卡芯片出貨量同比增長超200%
華虹半導體有限公司宣布，2017年金融IC卡芯片出貨量同比增長超過200%，再創新高。更進一步來說，....
關于FePTS催化苯并噁嗪樹脂性能之淺析
苯并噁嗪自身固化溫度較高，使得其在工業化生產中需要消耗更多的能源，不利于節能減排，因此如何降低其固化....
你知道為什么生產現場上要有5S嗎？
隨著生產復雜程度的增加，人員因素不斷地發生變化。5S 活動的基本任務可以使生產過程更快地制造出我們需....
臺積電：7納米已大量生產 5納米將于2019大量生產
晶圓代工廠臺積電技術論壇近日登場，總裁暨副董事長魏哲家表示，7納米制程已大量生產，5納米制程預計明年....
大唐電信國家工程實驗室取得重大成果
近日，依托中國信通院的新一代移動通信測試驗證國家工程實驗室、依托中國移動的新一代移動通信技術應用國家....
LV HV P-Well BCD技術的芯片與制程剖面結構的資料概述
LV/HV P-Well BCD技術能夠實現低壓 5 V 與高壓 100～700 V（或更高）兼容的....
如何使用RGB格式圖像傳感器去構建一個通用馬賽克算法
Bayer 格式的圖像傳感器在每個像素位置上只采樣紅綠藍三原色中的一種。在某些應用中，Bayer 顏....
ATC在工藝晶圓測試中的應用和理念及ATC基本組成元素和實現算法
在先進工藝節點半導體制造中，工藝和器件的變異性越來越不可忽視。在半導體制造的工藝站點，先進工藝控制（....
基于CMOS下的像素陣列校正系統你了解多少呢？
CMOS 圖像傳感器與 CCD 圖像傳感器都是將光信號轉換成電信號的半導體器件，但由于 CMOS 圖....
介紹電表應用系統中 BUCK DC-DC 的設計與應用
基于 0.18μm 1P3M 45V BCD 工藝設計實現了一款用于電表系統的異步 BUCK DC-....
中國集成電路行業現狀及發展趨勢分析
集成電路是換代節奏快、技術含量高的產品。從當今國際市場格局來看，集成電路企業之間在知識產權主導權上斗....
如何采用銅互連單大馬士革工藝制作超厚金屬銅集成電感的概述
成功開發超厚介質膜的淀積和刻蝕工藝、超厚金屬銅的電鍍和化學機械研磨等工藝，采用與 CMOS 完全兼容....
一種利用兩種不同溫度系數材料來實現溫度傳感器的技術的概述
傳統的嵌入式溫度傳感器利用三極管和 ADC 來實現，本文提出了一種利用兩種不同溫度系數材料作為傳感，....
智能電表中的實時鐘校準研究
在智能電表中，結算方式已經由原有的電量結算轉換為金額結算，并且費率模式也較以往的電表更為復雜，這些需....
對焦穩定控制算法試驗平臺的搭建和研究測試
如今市場對于手機拍照功能的需求可謂是日新月異，這對于手機攝像頭的數量及質量都提出了更高、更復雜的要求....
如何利用SILVACO軟件對二極管特性進行仿真研究
傳統的快恢復二極管，為了縮短反向恢復時間，通常采用電子輻照來減小基區的少子壽命，但電子輻照在降低器件....
FRC算法具體需要考慮的因素總結
能夠用 6 bit source 的輸出來達到 8 bit full color（16.7 M co....
低觸發電壓的可控硅結構保護電路設計的詳細介紹
當前的集成電路設計中大量采用了可控硅的設計結構來進行 ESD 的保護，但是一般的SCR 保護結構很難....
國產襯底片的發展在雙極型集成電路制造中的應用詳細資料概述
隨著國產襯底的生產工藝和控制能力的不斷提升，國產襯底的應用也越來越廣。作者就國產襯底在雙極型集成電路....
各主要應用市場存儲器需求分析與存儲器未來市場預期
智能家居和工業 4.0 產業升級中，譬如一些特殊計量領域如電表市場，需要實時記錄更多的信息數據并且可....
機電設備電氣斷路故障檢測技術分析
分段短接法的檢測方式是固定電氣線路中的一段短接線，然后另一段進行定段移動，以此確保檢測結果的可靠性，....
2018年上海集成電路產業發展規模的展望和預測
到 2018 年，中芯國際（上海）和華力微電子的 12 英寸晶圓 28 nm PolySiON 和 ....
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