型號 TJ30S06M3L絲印 VBE2625品牌 VBsemi參數 頻道類型 P溝道 額定電壓 60V 額定電流 50A RDS(ON) 20mΩ @ 10V，25mΩ @ 4.5V 門源電壓范圍 20V 門源閾值電壓 1.76V 封裝類型 TO252應用簡介 TJ30S06M3L（絲印 VBE2625）是VBsemi公司生產的一款P溝道功率MOSFET。以下是詳細的參數說明和應用簡介 詳細參數說明 TJ30S06M3L是一款P溝道功率MOSFET，具有較高的電壓和電流承載能力。主要參數包括額定電壓為60V，額定電流為50A，RDS(ON)為20mΩ @ 10V，25mΩ @ 4.5V，門源電壓范圍為20V，門源閾值電壓為1.76V，封裝類型為TO252。應用領域 TJ30S06M3L（VBE2625）適用于多種領域和應用場景，主要用于需要P溝道功率MOSFET的高電壓和大電流承載能力的電路。以下是一些典型的應用領域 1. 電源管理模塊 TJ30S06M3L可用于電源管理模塊中，提供高效的電能轉換和穩定的電流輸出，改善系統的功耗和效率。2. 電機驅動 它可應用于電機驅動電路中，提供高功率和高效能的電力輸出，適用于工業自動化和機械設備中的電機驅動。3. 汽車電子系統 TJ30S06M3L適用于汽車電子系統中的電源管理、電機驅動和照明控制等方面，滿足對高電壓和高功率的要求。綜上所述，TJ30S06M3L（VBE2625）是一款P溝道功率MOSFET，適用于電源管理模塊、電機驅動和汽車電子系統等領域模塊。它具有較高的電壓和電流承載能力，適用于需要高功率和高效能的電路。
--- 產品參數 ---
- 頻道類型 P溝道
- 額定電壓 60V
- 額定電流 50A
- RDS(ON) 20mΩ @ 10V，25mΩ @ 4.5
- 門源電壓范圍 20v
- 門源閾值電壓 1.76V
- 封裝類型 TO252
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
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