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N溝道場效應管STW4N150/1.5KV/4A

型號: STW4N150
品牌: ST(意法)

--- 產品參數 ---

  • 型號 STW4N150
  • 品牌 ST意法
  • 封裝 TO-247
  • VDS 1.5KV
  • ID 4A
  • Rds On 7 Ohms
  • PD 160W

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

制造商:  STMicroelectronics 

產品種類:  MOSFET 

RoHS:  Yes 

技術:  Si 

安裝風格:  Through Hole 

封裝 / 箱體:  TO-247-3 

晶體管極性:  N-Channel 

通道數量:  1 Channel 

Vds-漏源極擊穿電壓:  1.5 kV 

Id-連續漏極電流:  4 A 

Rds On-漏源導通電阻:  7 Ohms 

Vgs - 柵極-源極電壓:  - 30 V, + 30 V 

Vgs th-柵源極閾值電壓:  3 V 

Qg-柵極電荷:  30 nC 

最小工作溫度:  - 55 C 

最大工作溫度:  + 150 C 

Pd-功率耗散:  160 W 

通道模式:  Enhancement 

商標名:  PowerMESH 

封裝:  Tube 

商標:  STMicroelectronics 

配置:  Single 

下降時間:  45 ns 

高度:  20.15 mm 

長度:  15.75 mm 

產品類型:  MOSFETs 

上升時間:  30 ns 

系列:  STW4N150 

包裝數: 600 

子類別:  Transistors 

晶體管類型:  1 N-Channel 

典型關閉延遲時間:  45 ns 

典型接通延遲時間:  35 ns 

寬度:  5.15 mm 

單位重量:  6 g 

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