SK海力士宣布業(yè)界首次提供24Gb DDR5樣品

SK海力士宣布提供業(yè)界內(nèi)DRAM單一芯片容量最大的24Gb DDR5樣品。24Gb DDR5產(chǎn)品采用了EUV工藝的第四代10納米級（1a）技術(shù)，相較第二代10納米級（1y）DDR5產(chǎn)品單一芯片容量從16Gb提升至24Gb，從而改善了生產(chǎn)效率，其速度提升高達33%。

此次新產(chǎn)品將以48GB（Gigabyte）和96GB兩種模組推出，并提供給云（Cloud）數(shù)據(jù)中心。預(yù)計還將用于人工智能、機器學(xué)習(xí)等大數(shù)據(jù)處理和構(gòu)建元宇宙等高性能服務(wù)器。

英特爾公司數(shù)據(jù)中心與AI部門內(nèi)存和IO技術(shù)總管Carolyn Duran副總裁（Vice President）表示：“英特爾和SK海力士進行了長期又緊密的合作，此次雙方合作提供的24Gb解決方案是為了滿足共同客戶需求的又一個事跡。24Gb DDR5提供更高的單一芯片容量，有助于客戶提高就如數(shù)據(jù)分析等因內(nèi)存容量而受限的工作負載性能，同時帶來巨大的總擁有成本優(yōu)勢。”

美光層全量LC全新Q0000系列176款PCI產(chǎn)客戶端推出全新20代PCI SSD

層發(fā)布量全球領(lǐng)先革命性跨全球NAND技術(shù)專長和最佳性能。針對應(yīng)用打造的176層PCIe Gen4 QLC SSD。全新的176層QLC NAND將整合至塑造美光Crucial消費型SSD，為系統(tǒng)設(shè)計者的參考元件也。

此前該所發(fā)布的QLC NAND層176層，美體創(chuàng)新176層提供QLC數(shù)NAND的快閃和容量。于前一代解決方案， QLC數(shù)NAND閃存和容量。流通量提升33% ［1］，接收延遲則降低最高達24%單位［2］。其采用的替換閘門， RG ）架構(gòu)是現(xiàn)有唯一一個結(jié)合像素（ Charge Trap ）的架構(gòu)與CuA （電荷陷阱）根據(jù)這些改進的陣列設(shè)計量產(chǎn)的電腦NAND 。將使用 C SSD市場加速客戶端預(yù)測，預(yù)計2023年 QL 時可將市占率提升至突破35% ， 2025 年時可達到 80% 。［3］

美光企業(yè)副總裁兼儲存事業(yè)部總經(jīng)理Jeremy Werner：「以我們在 176層NAND的領(lǐng)導(dǎo)地位表示業(yè)務(wù)市場為基礎(chǔ)，美光2400 SSD將推動客戶端QLC儲存裝置轉(zhuǎn)型。新的2400 PCIe Gen4 SSD能夠?qū)崿F(xiàn)更廣泛的設(shè)計選擇和更廣泛的經(jīng)濟運行模式，我們預(yù)計將采用準確的市場客戶端裝置進一步改進QL在市場上的表現(xiàn)形式。

綜合美光科技和海力士官網(wǎng)整合

審核編輯：郭婷