離子注入 - 沙子做的CPU憑什么賣那么貴？
2016年11月25日 08:57 超能網 作者：梁俊豪 用戶評論（0）
12.離子注入
在特定的區域，有意識地導入特定雜質的過程稱為“雜質擴散”。通過雜質擴散可以控制導電類型（P結、N結）之外，還可以用來控制雜質濃度以及分布。
現在一般采用離子注入法進行雜質擴散，在離子注入機中，將需要摻雜的導電性雜質導入電弧室，通過放電使其離子化，經過電場加速后，將數十到數千keV能量的離子束由晶圓表面注入。離子注入完畢后的晶圓還需要經過熱處理，一方面利用熱擴散原理進一步將雜質“壓入”硅中，另一方面恢復晶格完整性，活化雜質電氣特性。
離子注入法具有加工溫度低，可均勻、大面積注入雜質，易于控制等優點，因此成為超大規模集成電路中不可缺少的工藝。
10.再次清除光刻膠
完成離子注入后，可以清除掉選擇性摻雜殘留下來的光刻膠掩模。此時，單晶硅內部一小部分硅原子已經被替換成“雜質”元素，從而產生可自由電子或空穴。
左：硅原子結構；中：摻雜砷，多出自由電子；右：摻雜硼，形成電子空穴
11.絕緣層處理
此時晶體管雛形已經基本完成，利用氣相沉積法，在硅晶圓表面全面地沉積一層氧化硅膜，形成絕緣層。同樣利用光刻掩模技術在層間絕緣膜上開孔，以便引出導體電極。
12.沉淀銅層
利用濺射沉積法，在晶圓整個表面上沉積布線用的銅層，繼續使用光刻掩模技術對銅層進行雕刻，形成場效應管的源極、漏極、柵極。最后在整個晶圓表面沉積一層絕緣層以保護晶體管。
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- 第 2 頁：硅錠切片
- 第 3 頁：涂抹光刻膠
- 第 4 頁：溶解部分光刻膠
- 第 5 頁：離子注入
- 第 6 頁：構建晶體管之間連接電路
- 第 7 頁：晶圓切片、外觀檢查
- 第 8 頁：封裝
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( 發表人：方泓翔 )