?????????? （5-6）

上述兩個(gè)電流放大系數(shù) 和β的含義雖然不同，但工作在輸出特性曲線放大區(qū)平坦部分的三極管，兩者的差異極小，可做近似相等處理，故在今后應(yīng)用時(shí)，通常不加區(qū)分，直接互相替代使用。

由于制造工藝的分散性，同一型號(hào)三極管的β值差異較大。常用的小功率三極管，β值一般為20～100。β過(guò)小，管子的電流放大作用小，β過(guò)大，管子工作的穩(wěn)定性差，一般選用β在40～80之間的管子較為合適。

2、極間反向飽和電流I_CBO和I_CEO

??? （1）集電結(jié)反向飽和電流I_CBO是指發(fā)射極開路，集電結(jié)加反向電壓時(shí)測(cè)得的集電極電流。常溫下，硅管的I_CBO在nA（10^-9）的量級(jí)，通常可忽略。

（2）集電極-發(fā)射極反向電流I_CEO是指基極開路時(shí)，集電極與發(fā)射極之間的反向電流，即穿透電流，穿透電流的大小受溫度的影響較大，穿透電流小的管子熱穩(wěn)定性好。

3、極限參數(shù)

（1）集電極最大允許電流I_CM

晶體管的集電極電流I_C在相當(dāng)大的范圍內(nèi)β值基本保持不變，但當(dāng)I_C的數(shù)值大到一定程度時(shí)，電流放大系數(shù)β值將下降。使β明顯減少的I_C即為I_CM。為了使三極管在放大電路中能正常工作，I_C不應(yīng)超過(guò)I_CM。

（2）集電極最大允許功耗P_CM

晶體管工作時(shí)、集電極電流在集電結(jié)上將產(chǎn)生熱量，產(chǎn)生熱量所消耗的功率就是集電極的功耗P_CM，即

P_CM=I_CU_{CE????????????????} （5-7）

功耗與三極管的結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫又與環(huán)境溫度、管子是否有散熱器等條件相關(guān)。根據(jù)5-7式可在輸出特性曲線上作出三極管的允許功耗線，如圖5-8所示。功耗線的左下方為安全工作區(qū)，右上方為過(guò)損耗區(qū)。

手冊(cè)上給出的P_CM值是在常溫下25℃時(shí)測(cè)得的。硅管集電結(jié)的上限溫度為150℃左右，鍺管為70℃左右，使用時(shí)應(yīng)注意不要超過(guò)此值，否則管子將損壞。

（3）反向擊穿電壓U_BR（CEO）

反向擊穿電壓U_BR（CEO）是指基極開路時(shí)，加在集電極與發(fā)射極之間的最大允許電壓。使用中如果管子兩端的電壓U_CE＞U_BR（CEO），集電極電流I_C將急劇增大，這種現(xiàn)象稱為擊穿。管子擊穿將造成三極管永久性的損壞。三極管電路在電源E_C的值選得過(guò)大時(shí)，有可能會(huì)出現(xiàn)，當(dāng)管子截止時(shí)，U_CE＞U_BR（CEO）導(dǎo)致三極管擊穿而損壞的現(xiàn)象。一般情況下，三極管電路的電源電壓E_C應(yīng)小于1/2 U_BR（CEO）。

4、溫度對(duì)三極管參數(shù)的影響

幾乎所有的三極管參數(shù)都與溫度有關(guān)，因此不容忽視。溫度對(duì)下列的三個(gè)參數(shù)影響最大。

（1）對(duì)β的影響：

三極管的β隨溫度的升高將增大，溫度每上升l℃，β值約增大0.5～1％，其結(jié)果是在相同的I_B情況下，集電極電流I_C隨溫度上升而增大。

（2）對(duì)反向飽和電流I_CEO的影響：

I_CEO是由少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)形成的，它與環(huán)境溫度關(guān)系很大，I_CEO隨溫度上升會(huì)急劇增加。溫度上升10℃，I_CEO將增加一倍。由于硅管的I_CEO很小，所以，溫度對(duì)硅管I_CEO的影響不大。

（3）對(duì)發(fā)射結(jié)電壓u_be的影響：

和二極管的正向特性一樣，溫度上升1℃，u_be將下降2～2.5mV。

綜上所述，隨著溫度的上升，β值將增大，i_C也將增大，u_CE將下降，這對(duì)三極管放大作用不利，使用中應(yīng)采取相應(yīng)的措施克服溫度的影響。