有關類似照明用LED模塊的散熱特性，單靠封裝基板往往無法滿足實際需求，因此基板周邊材料的配合變得非常重要，例如圖11的端緣發(fā)光型LED背光模塊的新結構，配合~3W/m?K的熱傳導性膜片，可以有效提高LED模塊的散熱性與LED模塊的組裝作業(yè)性。

　　陶瓷系封裝基板

　　如上所述白光LED的發(fā)熱隨著投入電力強度的增加持續(xù)上升，LED芯片的溫升會造成光輸出降低，因此LED的封裝結構與使用材料的檢討非常重要。

　　以往LED使用低熱傳導率樹脂封裝，被視為是影響散熱特性的原因之一，因此最近幾年逐漸改用高熱傳導陶瓷，或是設有金屬板的樹脂封裝結構。LED芯片高功率化常用手法分別是：

　　●LED芯片大型化

　　●改善LED芯片的發(fā)光效率

　　●采用高取光效率的封裝

　　●大電流化

　　雖然提高電流發(fā)光量會呈比例增加，不過LED芯片的發(fā)熱量也會隨著上升。圖12是LED投入電流與放射照度量測結果，由圖可知在高輸入領域放射照度呈現(xiàn)飽和與衰減現(xiàn)象，這種現(xiàn)象主要是LED芯片發(fā)熱所造成，因此LED芯片高功率化時首先必需解決散熱問題。

　　LED的封裝除了保護內部LED芯片之外，還兼具LED芯片與外部作電氣連接、散熱等功能。

　　LED的封裝要求LED芯片產生的光線可以高效率取至外部，因此封裝必需具備高強度、高絕緣性、高熱傳導性與高反射性，令人感到意外的是陶瓷幾乎網羅上述所有特性。

　　表2是陶瓷的主要材料物性一覽，除此之外陶瓷耐熱性與耐光線劣化性也比樹脂優(yōu)秀。

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　　傳統(tǒng)高散熱封裝是將LED芯片設置在金屬基板上周圍再包覆樹脂，然而這種封裝方式的金屬熱膨脹系數(shù)與LED芯片差異非常大，當溫度變化非常大或是封裝作業(yè)不當時極易產生熱歪斜(thermal strain;熱剪應力)，進而引發(fā)芯片瑕疵或是發(fā)光效率降低。

　　未來LED芯片面臨大型化發(fā)展時，熱歪斜問題勢必變成無法忽視的困擾，有關這點具備接近LED芯片的熱膨脹系數(shù)的陶瓷，可說是熱歪斜對策非常有利的材料。

　　圖13是高功率LED陶瓷封裝的外觀;圖14是高功率LED陶瓷封裝的基本結構，圖14(b)的反射罩電鍍銀膜。它可以提高光照射率，圖14(c)的陶瓷反射罩則與陶瓷基板呈一體結構。

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　　散熱設計

　　圖15表示LED內部理想性熱流擴散模式，圖15右圖的實線表示封裝內部P~Q之間高熱流擴散分布非常平坦，由于熱流擴散至封裝整體均勻流至封裝基板，其結果使得LED芯片正下方的溫度大幅降低。

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　　圖16是以封裝材的熱傳導率表示熱擴散性的差異，亦即圖15表示正常狀態(tài)時的溫度分布，與單位面積單位時間流動的熱流束分布特性。

　　使用高熱傳導材時，封裝內部的溫差會變小，此時熱流不會呈局部性集中，LED芯片整體產生的熱流呈放射狀流至封裝內部各角落，換言之高熱傳導材料可以提高LED封裝內部的熱擴散性。