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單項可控硅與雙向可控硅的結構原理與參數特性

2017年06月01日 15:12 網絡整理 作者: 用戶評論(0

  可控硅(SCR: Silicon Controlled Rectifier)是可控硅整流器的簡稱??煽毓栌袉蜗?、雙向、可關斷和光控幾種類型它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優點,被廣泛用于可控整流、調壓、逆變以及無觸點開關等各種自動控制和大功率的電能轉換的場合。

  單向可控硅是一種可控整流電子元件,能在外部控制信號作用下由關斷變為導通,但一旦導通,外部信號就無法使其關斷,只能靠去除負載或降低其兩端電壓使其關斷。單向可控硅是由三個PN結PNPN組成的四層三端半導體器件與具有一個PN結的二極管相比,單向可控硅正向導通受控制極電流控制;與具有兩個PN結的三極管相比,差別在于可控硅對控制極電流沒有放大作用。

  雙向可控硅具有兩個方向輪流導通、關斷的特性。雙向可控硅實質上是兩個反并聯的單向可控硅,是由NPNPN五層半導體形成四個PN結構成、有三個電極的半導體器件。由于主電極的構造是對稱的(都從N層引出),所以它的電極不像單向可控硅那樣分別叫陽極和陰極,而是把與控制極相近的叫做第一電極T1,另一個叫做第二電極T2。雙向可控硅的主要缺點是承受電壓上升率的能力較低。這是因為雙向可控硅在一個方向導通結束時,硅片在各層中的載流子還沒有回到截止狀態的位置,必須采取相應的保護措施。雙向可控硅元件主要用于交流控制電路,如溫度控制、燈光控制、防爆交流開關以及直流電機調速和換向等電路。

  二者比較

  單向可控硅和雙向可控硅,都是三個電極。單向可控硅有陰極(K)、陽極(A)、控制極(G)。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相關連,其引出端稱T1極,其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連,其引出端稱T2極,剩下則為控制極(G)。

  單、雙向可控硅的判別

  先任測兩個極,若正、反測指針均不動(R×1擋),可能是A、K或G、A極(對單向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G極(對雙向可控硅)。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐,則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極,黑筆接的為G極,剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐,則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測,其中必有一次阻值稍大,則稍大的一次紅筆接的為G極,黑筆所接為T1極,余下是T2極。

  性能的差別

  將旋鈕撥至R×1擋,對于1~6A單向可控硅,紅筆接K極,黑筆同時接通G、A極,在保持黑筆不脫離A極狀態下斷開G極,指針應指示幾十歐至一百歐,此時可控硅已被觸發,且觸發電壓低(或觸發電流小)。然后瞬時斷開A極再接通,指針應退回∞位置,則表明可控硅良好。

  對于1~6A雙向可控硅,紅筆接T1極,黑筆同時接G、T2極,在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極,指針應指示為幾十至一百多歐(視可控硅電流大小、廠家不同而異)。然后將兩筆對調,重復上述步驟測一次,指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐,則表明可控硅良好,且觸發電壓(或電流)小。

  若保持接通A極或T2極時斷開G極,指針立即退回∞位置,則說明可控硅觸發電流太大或損壞??砂磮D2方法進一步測量,對于單向可控硅,閉合開關K,燈應發亮,斷開K燈仍不息滅,否則說明可控硅損壞。

  對于雙向可控硅,閉合開關K,燈應發亮,斷開K,燈應不息滅。然后將電池反接,重復上述步驟,均應是同一結果,才說明是好的。否則說明該器件已損壞。

  單項可控硅的結構原理

  單向可控硅結構

  1、結構:

  四層半導體

  三個PN結

  三個電極:陽極A:從P1引出

  陰極K:從N2引出

  控制極G:從P2引出

  單項可控硅與雙向可控硅的結構原理與參數特性

  2、符號:

  圖形符號:

  單項可控硅與雙向可控硅的結構原理與參數特性

  文字符號:SCR,CT,KG等

  單向可控硅工作原理

  1、演示實驗:

  單向可控硅實驗電路圖如下:

  單項可控硅與雙向可控硅的結構原理與參數特性

  2、解釋:可控硅為什么具有上述四個工作特點?

  這是由其內部結構決定的

  單項可控硅與雙向可控硅的結構原理與參數特性

  單項可控硅與雙向可控硅的結構原理與參數特性

  3、單向可控硅工作原理

 ?、倏煽毓鑼ǖ臈l件:

  A、在陽極和陰極之間加正向電壓

  B、同時在控制極加正觸發電壓

  以上兩個條件必須同時具備,可控硅才會處于導通狀態。另外,可控硅一旦導通后,即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓,可控硅仍然導通。

 ?、谑箤ǖ目煽毓桕P斷的方法:

  A、減小陽極電流至一定值(維持電流)

  B、切斷陽極電源

 ?、劭煽毓杈哂锌刂茝婋姷淖饔?/p>

  單項可控硅與雙向可控硅的結構原理與參數特性

  單向可控硅的主要參數

  單項可控硅與雙向可控硅的結構原理與參數特性

  雙向可控硅

  什么是雙向可控硅:IAC(TRI-ELECTRODE AC SWITCH)為三極交流開關,亦稱為雙向晶閘管或雙向可控硅。 TRIAC為三端元件,其三端分別為T1 (第二端子或第二陽極),T 2(第一端子或第一陽極)和G(控制極)亦為一閘極控制開關,與SCR最大的不同點在于TRIAC無論于正向或反向電壓時皆可導通,其符號構造及外型,如圖1所示。因為它是雙向元件,所以不管T1 ,T2的電壓極性如何,若閘極有信號加入時,則T1 ,T2間呈導通狀態;反之,加閘極觸發信號,則T1 ,T2間有極高的阻抗。

  單項可控硅與雙向可控硅的結構原理與參數特性

  圖1 雙向可控硅

  雙向可控硅的觸發特性:

  由于TRIAC為控制極控制的雙向可控硅,控制極電壓VG極性與陽極間之電壓VT1T2四種組合分別如下:

  (1)VT1T2為正, VG為正。

 ?。?)VT1T2為正, VG為負。

 ?。?)VT1T2為負, VG為正。

 ?。?)VT1T2為負, VG為負。

  一般最好使用在對稱情況下(1與4或2與3),以使正負半周能得到對稱的結果,最方便的控制方法則為1與4之控制狀態,因為控制極信號與VT1T2同極性。

  單項可控硅與雙向可控硅的結構原理與參數特性

  圖2 TRIAC之V-I特性曲線

  如圖2所示為TRIAC之V-I特性曲線,將此圖與SCR之VI特性曲線比較,可看出TRIAC的特性曲線與SCR類似,只是TRIAC正負電壓均能導通,所以第三象限之曲線與第一象限之曲線類似,故TRIAC可視為兩個SCR反相并聯TRIAC之T1-T2的崩潰電壓亦不同,亦可看出正負半周的電壓皆可以使TRIAC導通,一般使TRIAC截止的方法與SCR相同,即設法降低兩陽極間之電流到保持電流以下TRIAC即截止。

  雙向可控硅的觸發:

  TRIAC的相位控制與SCR很類似,可用直流信號,交流相位信號與脈波信號來觸發,所不同者是V T1-T2負電壓時,仍可觸發TRIAC。

  雙向可控硅的的相位控制:

  TRIAC的相位控制與SCR很類似,但因TRIAC能雙向導通之故,在正負半周均能觸發、可作為全波功率控制之用,因此TRIAC除具有SCR的優點,更方便于交流功率控制,圖3(a)為TRIAC相位控制電路,只適當的調整RC時間常數即可改變它的激發角,圖3(b),(c)分別是激發角為30度時的VT1-T2及負載的電壓波形,一般TRIAC所能控制的負載遠比SCR小,大體上而言約在600V,40A以下。

  單項可控硅與雙向可控硅的結構原理與參數特性

  觸發裝置:

  TRIAC之觸發電路與SCR類似,可以用RC電路配合UJT、PUT、DIAC等元件組成的觸發電路來觸發,這些元件的觸發延遲角。都可由改變電路所使用的電阻值來調整,其變化范圍在0°~180°之間,正負半周均能導通,而在工業電力控制上,常以電壓回授來調整觸發延遲角,用以代表負載實際情況的電壓回授,啟動系統做良好的閉回路控制。這種由回授來控制觸發延遲角,常由UJT或TCA785來完成。

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( 發表人:王增濤 )

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