旁路電容是什么意思？
旁路電容
可將混有高頻電流和低頻電流的交流電中的高頻成分旁路掉的電容，稱做“旁路電容”。 對(duì)于同一個(gè)電路來說，旁路（bypass）電容是把輸入信號(hào)中的高頻噪聲作為濾除對(duì)象，把前級(jí)攜帶的高頻雜波濾除，而去耦（decoupling，也稱退耦）電容是把輸出信號(hào)的干擾作為濾除對(duì)象。
定義
可將混有高頻電流和低頻電流的交流信號(hào)中的高頻成分旁路濾掉的電容，稱做“旁路電容”。
例如當(dāng)混有高頻和低頻的信號(hào)經(jīng)過放大器被放大時(shí)，要求通過某一級(jí)時(shí)只允許低頻信號(hào)輸入到下一級(jí)，而不需要高頻信號(hào)進(jìn)入，則在該級(jí)的輸入端加一個(gè)適當(dāng)大小的接地電容，使較高頻率的信號(hào)很容易通過此電容被旁路掉（這是因?yàn)殡娙輰?duì)高頻阻抗?。?，而低頻信號(hào)由于電容對(duì)它的阻抗較大而被輸送到下一級(jí)放大
對(duì)于同一個(gè)電路來說，旁路（bypass）電容是把輸入信號(hào)中的高頻噪聲作為濾除對(duì)象，把前級(jí)攜帶的高頻雜波濾除，而去耦（decoupling，也稱退耦）電容是把輸出信號(hào)的干擾作為濾除對(duì)象。
電源去耦電容電路有兩個(gè)作用
一方面是集成電路的蓄能電容，另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。數(shù)字電路中典型的去耦電容值是0.1μF。這個(gè)電容的分布電感的典型值是5nH。0.1μF的去耦電容有5nH的分布電感，它的并行共振頻率大約在7MHz左右，也就是說，對(duì)于10MHz以下的噪聲有較好的去耦效果，對(duì)40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。1μF、10μF的電容，并行共振頻率在20MHz以上，去除高頻噪聲的效果要好一些。每10片左右集成電路要加一片充放電電容，或1個(gè)蓄能電容，可選10μF左右。最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜卷起來的，這種卷起來的結(jié)構(gòu)在高頻時(shí)表現(xiàn)為電感。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用并不嚴(yán)格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。
旁路電容和去耦電容的區(qū)別和作用
旁路電容不是理論概念，而是一個(gè)經(jīng)常使用的實(shí)用方法，電子管或者晶體管是需要偏置的，就是決定工作點(diǎn)的直流供電條件。例如電子管的柵極相對(duì)于陰極往往要求加有負(fù)壓，為了在一個(gè)直流電源下工作，就在陰極對(duì)地串接一個(gè)電阻，利用板流形成陰極的對(duì)地正電位，而柵極直流接地，這種偏置技術(shù)叫做“自偏”，但是對(duì)（交流）信號(hào)而言，這同時(shí)又是一個(gè)負(fù)反饋，為了消除這個(gè)影響，就在這個(gè)電阻上并聯(lián)一個(gè)足夠大的點(diǎn)容，這就叫旁路電容。 一般來說，容量為uf級(jí)的電容，象電解電容或鉭電容，他的電感較大，諧振頻率較小，對(duì)低頻信號(hào)通過較好，而對(duì)高頻信號(hào)，表現(xiàn)出較強(qiáng)的電感性，阻抗較大，同時(shí)，大電容還可以起到局部電荷池的作用，可以減少局部的干擾通過電源耦合出去；容量為0.001~0.1uf的電容，一般為陶瓷電容或云母電容，電感小，諧振頻率高，對(duì)高頻信號(hào)的阻抗較小，可以為高頻干擾信號(hào)提供一條旁路，減少外界對(duì)該局部的耦合干擾 旁路是把前級(jí)或電源攜帶的高頻雜波或信號(hào)濾除；去藕是為保正輸出端的穩(wěn)定輸出（主要是針對(duì)器件的工作）而設(shè)的“小水塘”，在其他大電流工作時(shí)保證電源的波動(dòng)范圍不會(huì)影響該電路的工作；補(bǔ)充一點(diǎn)就是所謂的藕合：是在前后級(jí)間傳遞信號(hào)而不互相影響各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)的元件 有源器件在開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的高頻開關(guān)噪聲將沿著電源線傳播。去耦電容的主要功能就是提供一個(gè)局部的直流電源給有源器件，以減少開關(guān)噪聲在板上的傳播和將噪聲引導(dǎo)到地。 從電路來說，總是存在驅(qū)動(dòng)的源和被驅(qū)動(dòng)的負(fù)載。如果負(fù)載電容比較大，驅(qū)動(dòng)電路要把電容充電、放電，才能完成信號(hào)的跳變，在上升沿比較陡峭的時(shí)候，電流比較大，這樣驅(qū)動(dòng)的電流就會(huì)吸收很大的電源電流，由于電路中的電感，電阻（特別是芯片管腳上的電感，會(huì)產(chǎn)生反彈），這種電流相對(duì)于正常情況來說實(shí)際上就是一種噪聲，會(huì)影響前級(jí)的正常工作。這就是耦合。 去耦電容就是起到一個(gè)電池的作用，滿足驅(qū)動(dòng)電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾。 旁路電容實(shí)際也是去耦合的，只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關(guān)噪聲提高一條低阻抗泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據(jù)諧振頻率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合電容一般比較大，是10u或者更大，依據(jù)電路中分布參數(shù)，以及驅(qū)動(dòng)電流的變化大小來確定。
一般設(shè)計(jì)的板子上IC 的每個(gè)電源管腳附近都會(huì)放置一個(gè)電容作去耦電容，以減小電源阻抗？？那么此IC的某些高速信號(hào)是否會(huì)把此電容作為高頻電流的旁路電容呢？
????去耦電容和旁路電容沒有本質(zhì)的區(qū)別，電源系統(tǒng)的電容本來就有多種用途，從為去除電源的耦合噪聲干擾的角度看，我們可以把電容稱為去耦電容（Decoupling），如果從為高頻信號(hào)提供交流回路的角度考慮，我們可以稱為旁路電容（By-pass）。而濾波電容則更多的出現(xiàn)在濾波器的電路設(shè)計(jì)里。電源管腳附近的電容主要是為了提供瞬間電流，保證電源/地的穩(wěn)定，當(dāng)然，對(duì)于高速信號(hào)來說，也有可能把它作為低阻抗回路，比如對(duì)于CMOS電路結(jié)構(gòu)，在0-》1的跳變信號(hào)傳播時(shí)，回流主要從電源管腳流回，如果信號(hào)是以地平面作為參考層的話，在電源管腳的附近需要經(jīng)過這個(gè)電容流入電源管腳。所以對(duì)于PDS（電源分布系統(tǒng)）的電容來說，稱為去耦和旁路都沒有關(guān)系，只要我們心中了解它們的真正作用就行了。
電容充放電時(shí)間的計(jì)算：
設(shè)，V0 為電容上的初始電壓值;
V1 為電容最終可充到或放到的電壓值;
Vt 為t時(shí)刻電容上的電壓值。
則，
Vt=“V0”+（V1-V0）* ［1-exp（-t/RC）］
或，
t = RC*Ln［（V1-V0）/（V1-Vt）］
例如，電壓為E的電池通過R向初值為0的電容C充電
V0=0，V1=E，故充到t時(shí)刻電容上的電壓為：
Vt=“E”*［1-exp（-t/RC）］
再如，初始電壓為E的電容C通過R放電
V0=E，V1=0，故放到t時(shí)刻電容上的電壓為：
Vt=“E”*exp（-t/RC）
又如，初值為1/3Vcc的電容C通過R充電，充電終值為
Vcc，問充到2/3Vcc需要的時(shí)間是多少？
V0=Vcc/3，V1=Vcc，Vt=2*Vcc/3，故
t=“RC”*Ln［（1-1/3）/（1-2/3）］=RC*Ln2
=0.693RC
注：以上exp（）表示以e為底的指數(shù)函數(shù);Ln（）是e為底的對(duì)數(shù)函
數(shù)