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多晶硅光電池

2009年10月23日 14:48 本站整理 作者:佚名 用戶評論(0
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多晶硅光電

p-Si(多晶硅,包括微晶)光電池沒有光致衰退效應,材料質量有所下降時也不會導致光電池受影響,是國際上正掀起的前沿性研究熱點。在單晶硅襯底上用液相外延制備的p-Si光電池轉 換效率為15.3%,經減薄襯底,加強陷光等加工,可提高到23.7%,用CVD法制備的轉換效率約為 12.6-17.3%。采用廉價襯底的p-Si薄膜生長方法有PECVD和熱絲法,或對a-Si:H材料膜進行后退火,達到低溫固相晶化,可分別制出效率9.8%和9.2%的無退化電池。微晶硅薄膜生長與a-Si工藝相容,光電性能和穩定性很高,研究受到很大重視,但效率僅為7.7%。大面積低溫p-Si膜與-Si組成疊層電池結構,是提高a-S光電池穩定性和轉換效率的重要途徑,可更充分利用太陽光譜,理論計算表明其效率可在28%以上,將使硅基薄膜光電池性能產生突破性進展。銅銦硒光電池
  CIS(銅銦硒)薄膜光電池已成為國際光伏界研究開發的熱門課題,它具有轉換效率高(已達到17.7%),性能穩定,制造成本低的特點。CIS光電池一般是在玻璃或其它廉價襯底上分別沉積多層膜而構成的,厚度可做到2?3μm,吸收層CIS膜對電池性能起著決定性作用。現已開發出反應共蒸法和硒化法(濺射、蒸發、電沉積等)兩大類多種制備方法,其它外層通常采用真空蒸發或 濺射成膜。阻礙其發展的原因是工藝重復性差,高效電池成品率低,材料組分較復雜,缺乏控制薄膜生長的分析儀器。CIS光電池正受到產業界重視,一些知名公司意識到它在未來能源市場中的前景和所處地位,積極擴大開發規模,著手組建中試線及制造廠。

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