的IMU產(chǎn)品。隨著自主精密農(nóng)業(yè)機(jī)械、智能施工機(jī)械和無(wú)人機(jī)應(yīng)用的快速發(fā)展，小型高性價(jià)比、高精度定位裝置的需求與日俱增，愛(ài)普生推出了嚴(yán)苛環(huán)境下IMU的最佳選擇——愛(ài)普生M
2024-03-18 15:00:26
78 
Holtek新推出單通道低功耗比較器IC – HT93111/HT93121。此系列低功耗比較器提供完整的軌對(duì)軌輸入/輸出操作，具有單電源供電、低功耗、低失調(diào)電壓和低失調(diào)漂移等優(yōu)點(diǎn)，
2024-03-15 18:13:34524 Thermik特密克溫控開(kāi)關(guān)S06HT是一款設(shè)計(jì)用于大電流和高溫環(huán)境下的溫度控制開(kāi)關(guān)。以下是關(guān)于這款溫控開(kāi)關(guān)的詳細(xì)參數(shù)和說(shuō)明：1. 類(lèi)型：雙金屬溫控開(kāi)關(guān)2. 型號(hào)：S06HT（大電流高溫型）3.
2024-03-07 14:54:51
嵌入式鐵電存儲(chǔ)器可實(shí)現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計(jì)。將鐵電存儲(chǔ)器添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理，是存儲(chǔ)系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計(jì)量?jī)x表到
2024-03-06 09:57:22
Holtek持續(xù)擴(kuò)增電池充電器MCU系列，推出性價(jià)比更高的HT45R5Q-2/HT45R5Q-3充電器OTP MCU，封裝引腳與HT45F5Q-1/HT45F5Q-3相互兼容
2024-03-05 15:34:47197 Molex 推出 EdgeLock 線對(duì)信號(hào)卡連接器，確保與印刷電路板邊緣導(dǎo)電觸片直接而又牢固的配對(duì)效果。這一 2.00 毫米螺距的邊緣鎖定連接器可節(jié)省空間并縮短裝配時(shí)間。
Molex
2024-01-29 12:31:37
高溫壓力變送器是一種常用的工業(yè)自動(dòng)化儀表，用于測(cè)量和轉(zhuǎn)換高溫環(huán)境下的壓力信號(hào)。它的工作原理基于熱力學(xué)效應(yīng)和電子傳感技術(shù)，通過(guò)將高溫環(huán)境中的壓力轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，實(shí)現(xiàn)對(duì)壓力的準(zhǔn)確測(cè)量和傳輸。 高溫
2024-01-23 17:04:58216 的高精度和穩(wěn)定性。薄膜型濕敏電容具有穩(wěn)定性強(qiáng)、耐溫高等特性，能夠在高溫等嚴(yán)苛環(huán)境下長(zhǎng)期工作，為工業(yè)生產(chǎn)提供了可靠的濕度監(jiān)測(cè)。而鉑電阻則以其溫度測(cè)量范圍寬、精度高、工
2024-01-22 16:38:48233 
，將介紹HT連接器和HP連接器的區(qū)別。 首先，HT連接器和HP連接器的定義： HT連接器，全稱為Heat-resistant Connector，即耐高溫連接器，具有耐高溫特性，通常用于工作環(huán)境溫度較高的場(chǎng)合，例如高溫工業(yè)設(shè)備或汽車(chē)引擎室等。 HP連接器，全稱為High-power Connec
2024-01-16 15:22:05347 6 芯片組。OpenWrt One/AP-24.XY 板的初步規(guī)格包括雙核 Cortex-A53 處理器、1GB DDR4 內(nèi)存、128 MB SPI NAND 閃存、4 MB SPI NOR 閃存
2024-01-13 09:56:19
Holtek A/D Flash MCU with EEPROM系列新增HT66F3184 / HT66F3194成員，分別為HT66F3185與HT66F3195的精簡(jiǎn)版，能為客戶提供多元化的產(chǎn)品規(guī)格選擇。
2024-01-12 16:19:18431 隨著可再生能源的重要性日益增加，太陽(yáng)能光伏發(fā)電已經(jīng)成為了一個(gè)不可或缺的能源解決方案。然而，光伏組件在實(shí)際運(yùn)行中面臨著各種環(huán)境挑戰(zhàn)，如高溫和高濕環(huán)境。為了確保光伏組件的可靠性和性能，可以通過(guò)光伏組件
2024-01-09 08:32:40333 
Holtek新推出通過(guò)BQB(Bluetooth Qualification Body)認(rèn)證Bluetooth 5.2 Arm Cortex-M0+低功耗藍(lán)牙(Bluetooth Low Energy, BLE) MCU，HT32F67742。
2024-01-08 15:23:46253 heroic禾潤(rùn)HT77231, 4.0V~28V輸入，3.5A同步降壓變換器
2024-01-03 16:24:34200 
飛凌嵌入式為FET3588-C商業(yè)級(jí)核心板進(jìn)行了溫寬升級(jí)，溫寬范圍從0℃~+80℃提升為寬溫級(jí)的-20℃~+85℃，從容面對(duì)高溫與極寒。
2023-12-29 08:01:51136 
本次與大家分享的是世健和ADI聯(lián)合舉辦的《世健·ADI工業(yè)趴：放飛思路，解封你的超能力》主題活動(dòng)的一等獎(jiǎng)文章：《LTC2991在嚴(yán)苛環(huán)境電源控制領(lǐng)域的應(yīng)用與問(wèn)題分享》。作者：qinyunti01前言
2023-12-23 08:23:40515 
高溫老化測(cè)試，就如同電子產(chǎn)品的“煉獄”之旅。在這個(gè)過(guò)程中，產(chǎn)品被放置在一個(gè)模擬高溫惡劣環(huán)境的特殊設(shè)備——高溫老化試驗(yàn)箱中。試驗(yàn)箱能夠精確地控制溫度和濕度，以達(dá)到加速產(chǎn)品老化的效果。通過(guò)觀測(cè)產(chǎn)品在這種極端環(huán)境下的性能表現(xiàn)，工程師們可以評(píng)估其長(zhǎng)期使用的可靠性和潛在問(wèn)題。
2023-12-22 17:21:03415 
Holtek針對(duì)無(wú)線通信領(lǐng)域新推出Arm Cortex-M0+為核心的2.4GHz Transceiver MCU HT32F67041/HT32F67051。
2023-12-22 14:31:43353 面對(duì)越來(lái)越多要求嚴(yán)苛的高增長(zhǎng)工作負(fù)載，如分析、生成式AI和相關(guān)的云原生應(yīng)用程序開(kāi)發(fā)等等，對(duì)象存儲(chǔ)被作為主存儲(chǔ)并迅速發(fā)展。
2023-12-20 14:06:40128 Holtek新推出一款應(yīng)用于攜帶式按摩器、玩具及投線儀等攜帶式產(chǎn)品的同步降壓轉(zhuǎn)換器HT74173。
2023-12-15 17:21:31462 Holtek新推出Advanced OPA功能Flash MCU HT66F4640，具備豐富的模擬電路包含內(nèi)建2組OPA、2組Comparator與3組8-bit DAC
2023-12-11 16:21:53394 非變頻電機(jī)配變頻器，要注意哪些東西呢？
另外環(huán)境溫度與機(jī)使用有什么關(guān)系呢？
電機(jī)溫升與絕緣有什么樣的關(guān)系呢？？
2023-12-11 07:44:34
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個(gè)字組成。該器件采用Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)150 ns，功耗僅為440
2023-12-08 15:05:01
Holtek針對(duì)音樂(lè)應(yīng)用領(lǐng)域，推出8-bit為核心的16通道Music Flash MCU - HT37F290，適用于電子琴、音樂(lè)電子鐘、八音盒、音樂(lè)門(mén)鈴等產(chǎn)品。
2023-11-24 18:21:17551 Holtek針對(duì)USB-PD快充產(chǎn)品，推出Arm?Cortex?-M0+MCU HT32F61030/HT32F61041，通過(guò)PD認(rèn)證
2023-11-14 17:22:561477 來(lái)源：Silicon Semiconductor ? 用于半導(dǎo)體加工的高溫解決方案。 Watlow是先進(jìn)熱管理解決方案的提供商，推出了新型ASSURANT HT高溫加熱套，旨在滿足半導(dǎo)體加工的獨(dú)特
2023-11-08 16:29:49108 11月8日，明微電子官微宣布推出多功能DMX512協(xié)議轉(zhuǎn)碼控制芯片--SM18500P。
2023-11-08 14:06:13467 
Holtek持續(xù)擴(kuò)增電池充電器MCU系列，推出資源豐富的HT45F5Q-5 Flash MCU，將2路DAC都升級(jí)到14-bit，內(nèi)建2路OPA與±1%基準(zhǔn)參考源
2023-11-07 16:14:25562 Holtek針對(duì)USB-PD (Power Delivery)快充產(chǎn)品，推出專(zhuān)用Flash MCU HT45F9160，通過(guò)PD認(rèn)證，符合USB-PD 3.1規(guī)范并支持Dual Role Port (DRP)雙角色端口工作
2023-11-02 14:15:36418 描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個(gè)字組成。該器件采用Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)150 ns，功耗僅為440
2023-10-26 10:45:10
工業(yè)閃存卡有很多種類(lèi)，常見(jiàn)的有CF卡、SD卡、MMC卡、記憶棒、SM卡、xD卡、TF卡等
2023-10-25 15:53:53958 
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開(kāi)啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開(kāi)啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
STM32怎么實(shí)現(xiàn)一個(gè)非阻塞性的串口屏收發(fā)
2023-10-24 08:15:33
近年來(lái)，隨著工業(yè)技術(shù)的不斷進(jìn)步和智能制造的迅速發(fā)展，工業(yè)環(huán)境對(duì)數(shù)據(jù)傳輸設(shè)備的要求越來(lái)越嚴(yán)苛。工業(yè)設(shè)備通常在惡劣的環(huán)境中運(yùn)作，高溫、高壓、易燃易爆等因素?zé)o處不在。在此嚴(yán)酷條件下，常規(guī)的串口轉(zhuǎn)換器可能會(huì)
2023-10-23 14:41:25210 
將IAP放在非閃存起始地址的方法如何將IAP放在非閃存起始地址？
2023-10-20 07:02:29
閃存零等待區(qū)（ZW）和非零等待區(qū)（NZW）有何區(qū)別？請(qǐng)說(shuō)明。
2023-10-20 07:01:33
當(dāng)我了解到極端環(huán)境帶來(lái)的一些特殊挑戰(zhàn)后，我再次驚嘆于強(qiáng)大的現(xiàn)代科技。海拔、振動(dòng)、沖擊和高溫的負(fù)面影響，不斷困擾著我們每天所依賴的電子設(shè)備，但人們?nèi)匀荒軌蛲黄浦貒瑢⒖煽康碾娮酉到y(tǒng)部署在這些嚴(yán)峻的環(huán)境中，并且確保它們能夠順利運(yùn)行。
2023-10-16 11:34:21488 
市場(chǎng)的檢驗(yàn)
本文概述RK3588平臺(tái)產(chǎn)測(cè)之ArmSoM-W3高溫測(cè)試
2. ArmSoM-W3高溫測(cè)試方案
在70℃高溫環(huán)境中進(jìn)行2000次軟件系統(tǒng)重啟測(cè)試
在70℃高溫環(huán)境中進(jìn)行2000次電源拔插硬件
2023-10-12 09:57:52
Holtek深耕模擬信號(hào)處理器產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，宣布新推出HT82V39A三通道CIS模擬信號(hào)處理器。
2023-10-11 15:18:45777 由于光伏組件在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中經(jīng)常會(huì)受到高溫高濕等惡劣環(huán)境的影響，從而導(dǎo)致其輸出功率以及性能發(fā)生變化。因此為了驗(yàn)證與評(píng)估戶外太陽(yáng)能組件在高溫高濕環(huán)境下的承受程度以及性能變化，「美能光伏」生產(chǎn)了美能高溫
2023-10-10 10:16:00198 開(kāi)發(fā)環(huán)境。軟件方面有HT-IDE3000軟件，提供友好的視窗界面，以便進(jìn)行程序的編輯及除錯(cuò)，同時(shí)硬件方面為HT-ICE仿真器，提供多種實(shí)時(shí)仿真功能，包含多功能跟蹤、單步執(zhí)行和斷點(diǎn)設(shè)定功能。HT
2023-09-28 08:21:35
Holtek持續(xù)精進(jìn)模擬信號(hào)處理器產(chǎn)品范疇，宣布新推出HT82V47四通道CIS模擬信號(hào)處理器。
2023-09-25 15:43:23443 用途本機(jī)臺(tái)專(zhuān)用于高溫環(huán)境下的膠粘帶持粘性試驗(yàn)，模擬膠粘帶在高溫環(huán)境中，在規(guī)定的荷重下自動(dòng)計(jì)時(shí)膠帶所能保持的時(shí)間，以確認(rèn)膠帶粘著的時(shí)效，當(dāng)膠帶自鋼板掉落后，計(jì)時(shí)器自動(dòng)保留試驗(yàn)時(shí)間，用來(lái)評(píng)定高溫環(huán)境中
2023-09-22 16:07:36
M0 core上運(yùn)行。非易失性閃存允許進(jìn)行場(chǎng)上堆棧升級(jí)。? 低功耗特性:? BlueNRG可以使應(yīng)用程序滿足適度緊密的峰值電流需求。在輸出功率為1dBm時(shí)，最大峰值電流只有10mA。極低功率的休眠
2023-09-08 06:02:47
飛思卡爾的Kinetis設(shè)備提供FlexMemory技術(shù)，該技術(shù)為靈活的內(nèi)存使用提供了多功能和強(qiáng)大的解決方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM組成。
FlexNVM是一種非易失
2023-09-04 06:29:35
在日益加劇的戶外高溫環(huán)境中，智慧路燈桿也面臨著嚴(yán)峻考驗(yàn)。如何保障智慧桿在高溫場(chǎng)景中也可靠運(yùn)行、有效響應(yīng)?佰馬智慧桿網(wǎng)關(guān)發(fā)揮五大優(yōu)勢(shì)，完滿應(yīng)對(duì)高溫挑戰(zhàn)。
2023-08-21 17:29:43421 
的變形或尺寸變化，進(jìn)而影響伺服系統(tǒng)的精度和穩(wěn)定性。 （3）電子元器件故障：高溫環(huán)境下，電子元器件容易受到熱應(yīng)力的影響，可能導(dǎo)致元器件老化、損壞或失效，從而影響伺服系統(tǒng)的正常工作。 （4）潤(rùn)滑劑性能下降：高溫會(huì)導(dǎo)致潤(rùn)滑
2023-08-17 08:35:01640 ZLG致遠(yuǎn)電子基于近二十年的總線隔離技術(shù)及工藝積累，推出SM系列集成電源隔離、CAN收發(fā)電路和信號(hào)隔離電路“三合一”的高集成度全隔離CAN收發(fā)芯片。本文帶你去拜訪SM系列的4個(gè)“家族成員”。ZLG
2023-08-16 12:12:221042 
一個(gè)通用的Flash控制器，該控制器具有大多數(shù)eFlash宏支持的通用功能。次級(jí)側(cè)具有用于特定實(shí)現(xiàn)的進(jìn)程相關(guān)Flash宏。GFB用作訪問(wèn)閃存資源的數(shù)據(jù)路徑，通過(guò)其他接口處理與控制相關(guān)的訪問(wèn)。這有助于通用功能在不同過(guò)程中的可重用性。
2023-08-11 07:55:01
光模塊是光纖通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件，其穩(wěn)定的光功率輸出對(duì)于確保通信質(zhì)量至關(guān)重要。然而，高溫環(huán)境下光模塊的光功率往往會(huì)出現(xiàn)下降，本期文章我們將探討高溫環(huán)境下光模塊光功率降低的原因和解決方案。
2023-08-06 09:36:10505 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)運(yùn)行時(shí)數(shù)據(jù)在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的推理過(guò)程中。
?AXI接口M1用于允許更低帶寬和更高帶寬的內(nèi)存事務(wù)
延遲因此，AXI M1接口可以連接到較慢或較少突發(fā)的存儲(chǔ)器例如閃存或DRAM。內(nèi)存用于運(yùn)行時(shí)的非易失性
2023-08-02 06:37:01
在構(gòu)成現(xiàn)代工業(yè)制造環(huán)境的眾多元素中，工業(yè)電腦占據(jù)了重要的一席之地。這些專(zhuān)業(yè)級(jí)的計(jì)算設(shè)備尤其出色的地方在于，它們能夠在各種嚴(yán)苛的環(huán)境中，如工廠、礦區(qū)、油田或者是在地理環(huán)境惡劣的遠(yuǎn)程地點(diǎn)，保持無(wú)間斷運(yùn)行，從而保證工業(yè)生產(chǎn)的連續(xù)性和效率。
2023-08-01 14:34:43199 CNLINKO凌科電氣連接器知識(shí)分享炎炎酷暑，烈烈高溫，對(duì)人是一種煎熬和考驗(yàn)。對(duì)處于戶外等高溫環(huán)境下的連接器何嘗也不是一種考驗(yàn)?zāi)兀?b class="flag-6" style="color: red">嚴(yán)苛的高溫環(huán)境對(duì)連接器的性能會(huì)造成沖擊，如果連接器不具備耐高溫的性能
2023-07-31 22:53:21388 
LED貼膜屏作為一種常見(jiàn)的顯示技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于室內(nèi)和室外場(chǎng)所。然而，在夏季或高溫環(huán)境下，LED貼膜屏所受到的高溫和熱量可能導(dǎo)致一系列問(wèn)題，影響我們的使用。因此，了解高溫對(duì)LED貼膜屏的影響，并采取
2023-07-25 07:49:15256 ?
針對(duì)高溫應(yīng)用要求，TDK推出了新的愛(ài)普科斯（EPCOS）安規(guī)電容系列B3292#P/Q系列。相比于最高工作溫度為110 °C的常規(guī)安規(guī)電容，新系列電容的最大允許工作溫度高達(dá)125
2023-07-21 17:34:31372 
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標(biāo)準(zhǔn)（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器。它還會(huì)持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時(shí)提供RAM寫(xiě)保護(hù)
2023-07-21 15:01:52
兼容12個(gè)內(nèi)核時(shí)鐘周期。片內(nèi)集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存儲(chǔ)器。片內(nèi)同時(shí)集成4 kB非易失性Flash/EE數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)RAM和2 kB擴(kuò)
2023-07-14 17:15:06
DS28EA00是具有9位(0.5°C)至12位(1/16°C)分辨率和用戶可編程非易失性(NV)上、下觸發(fā)點(diǎn)報(bào)警功能的數(shù)字溫度計(jì)。每個(gè)DS28EA00都具工廠編程的唯一64位序列號(hào)。通信時(shí)只需一根
2023-07-14 11:14:14
(SHA-256)的質(zhì)詢—響應(yīng)安全認(rèn)證功能，支持高度安全的雙向認(rèn)證。2Kb用戶可編程EPROM為應(yīng)用數(shù)據(jù)提供非易失存儲(chǔ)，附加安全存儲(chǔ)器保存SHA-256操作密鑰和用戶存
2023-07-13 17:18:29
(SHA-256)的高度加密、雙向、質(zhì)詢-響應(yīng)安全認(rèn)證功能。512位用戶可編程EEPROM陣列為應(yīng)用數(shù)據(jù)提供非易失存儲(chǔ)，附加的保護(hù)存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)SHA-256算法的
2023-07-13 17:14:07
(SHA-256)的高度加密、雙向、質(zhì)詢-響應(yīng)安全認(rèn)證功能。2Kb用戶可編程EEPROM陣列為應(yīng)用數(shù)據(jù)提供非易失存儲(chǔ)，附加的安全存儲(chǔ)器儲(chǔ)存用于SHA-256算法的讀保護(hù)
2023-07-13 17:12:05
DS28E80為用戶可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器，分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫(xiě)保護(hù)
2023-07-13 17:01:58
DS28E80為用戶可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器，分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫(xiě)保護(hù)
2023-07-13 11:31:16
為什么業(yè)內(nèi)對(duì)汽車(chē)芯片要求嚴(yán)苛？一個(gè)根本出發(fā)點(diǎn)：汽車(chē)芯片需在低至-40°高達(dá)125°的環(huán)境溫度里，在長(zhǎng)達(dá)15年的設(shè)計(jì)壽命里，正常運(yùn)行不出故障。一旦出現(xiàn)問(wèn)題，危及人身安全和財(cái)產(chǎn)安全。
2023-07-11 16:26:58223 
電子變壓器是電力系統(tǒng)中的重要組件之一，其作用是將電能從一個(gè)電路傳輸?shù)搅硪粋€(gè)電路，同時(shí)還能改變電壓的大小。由于變壓器在使用過(guò)程中可能會(huì)受到環(huán)境溫度的影響,所以需要對(duì)其進(jìn)行高溫老化試驗(yàn)。高溫老化試驗(yàn)
2023-07-10 16:28:12311 
電子變壓器是電力系統(tǒng)中的重要組件之一，其作用是將電能從一個(gè)電路傳輸?shù)搅硪粋€(gè)電路，同時(shí)還能改變電壓的大小。由于變壓器在使用過(guò)程中可能會(huì)受到環(huán)境溫度的影響,所以需要對(duì)其進(jìn)行高溫老化試驗(yàn)。 高溫老化試驗(yàn)
2023-07-10 09:44:26266 的抗擾度試驗(yàn)
4、高低溫濕熱環(huán)境試
4.1低溫工作試驗(yàn)：10℃，通電工作2小時(shí)；
4.2低溫貯存試驗(yàn)：-40℃，貯存16小時(shí)，恢復(fù)2小時(shí)，通電測(cè)試；
4.3高溫工作試驗(yàn)：35℃，通電工作2小時(shí)；
4.4
2023-06-15 09:45:58
軍用電子元器件二篩，二次篩選試驗(yàn)，進(jìn)口元器件可靠性篩選試驗(yàn)
按性質(zhì)分類(lèi)：
（1）檢查篩選：顯微鏡檢查、紅外線非破壞檢查、X射線非破壞性檢查。
（2）密封性篩選：液浸檢漏、氦質(zhì)譜檢漏、放射性示蹤檢漏
2023-06-08 09:17:22
任何人都可以幫助我面對(duì)像 lpc4337 閃存中的 sector13 一樣無(wú)法將超過(guò) 8K 的數(shù)據(jù)寫(xiě)入 64k 的問(wèn)題嗎？即使是 64K 容量的扇區(qū)在閃存寫(xiě)入期間也只允許 8k 數(shù)據(jù)。
如果我提供
2023-06-08 06:39:37
，我試圖了解使用 ESP8266 可以使用哪些內(nèi)存。當(dāng)我做對(duì)時(shí)，有可用的 RAM 和閃存。它們之間的區(qū)別在于，F(xiàn)lash 存儲(chǔ)器不是易失性的。所以我嘗試訪問(wèn)和讀取閃存，最后得到以下草圖：
代碼：全選
2023-06-07 06:43:39
HONEYWELL霍尼韋爾傳感器SM351RT、SM451R、SM353RT、SM453R全極霍爾效應(yīng)傳感器芯片元器件
2023-06-05 16:26:27565 
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來(lái)測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問(wèn)題：非易失性內(nèi)存有寫(xiě)入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫(xiě)入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
深圳市龍享科技有限公司是德國(guó)海曼代理，歡迎查料詢價(jià)，提供技術(shù)支持，樣品。德國(guó)海曼傳感器HTS A10 F8-14-HT耐高溫規(guī)格參數(shù)海曼傳感器公司的新型熱電堆紅外傳感器由新型CMOS兼容傳感器芯片
2023-05-26 16:45:32
一種便攜式存儲(chǔ)設(shè)備，當(dāng)插入計(jì)算機(jī)時(shí)，被解析為內(nèi)置硬盤(pán)設(shè)備。這也是一種非易失性閃存。與MMC和SD卡一樣，USB閃存驅(qū)動(dòng)器是一種更受歡迎的可移動(dòng)存儲(chǔ)形式。
5、RAM
RAM是一個(gè)易失性內(nèi)存選項(xiàng)。一旦設(shè)備
2023-05-18 14:13:37
HT32F61630/HT32F61641具備32 KB / 64 KB Flash ROM、SRAM存儲(chǔ)容量為2 KB / 8 KB，最高運(yùn)行速度為16 MHz / 20 MHz，I/O方面具有22個(gè)多功能引腳并提供豐富外圍資源。
2023-05-17 11:27:04289 。這使得 OTA 非常棘手！
我需要一個(gè)開(kāi)銷(xiāo)比 Arduino 少得多的環(huán)境？
或者從 SD 閃存進(jìn)行 OTA 的方法？
或者修改 eboot 以在 OTA 期間將代碼從 SD 復(fù)制到閃存？
或者其他一些聰明的解決方案？
2023-05-17 08:29:00
英國(guó)真尚有高溫電渦流傳感器HL系列探頭使用了專(zhuān)門(mén)的材料和制造技術(shù)，高溫版本探頭可在+25℃到+649℃的環(huán)境溫度下穩(wěn)定測(cè)量，分辨率及重復(fù)性均可高達(dá)0.76um。
2023-05-16 16:40:03983 
Marki Microwave 的 NLTL-6796SM 是一款倍頻器，輸出頻率為 0.5 至 50 GHz，輸出功率為 13 至 23 dBm。標(biāo)簽：表面貼裝
2023-05-15 14:17:45
Marki Microwave 的 NLTL-6273SM 是一款倍頻器，輸出頻率為 0.7 至 24 GHz，輸出功率為 16 至 26 dBm。標(biāo)簽：表面貼裝。NLTL-6273SM 的更多細(xì)節(jié)
2023-05-15 14:06:30
- 我的任務(wù)是找出根本原因并解決基于 imx28 的定制設(shè)計(jì)板中的問(wèn)題。
- imx28 無(wú)法從 NAND 啟動(dòng)并進(jìn)入 USB 恢復(fù)模式。
- 將 NAND 閃存更改為不同的 NAND 閃存后
2023-04-27 06:50:47
德國(guó)heimann sensor海曼?HTS A10 F8-14-HT是一款耐高溫紅外熱電堆溫度傳感器，儲(chǔ)存溫度-40～185℃溫度，工作溫度-20～180℃。海曼全型號(hào)可以訂貨，交期快，供貨穩(wěn)定！
2023-04-21 17:23:19980 
德州儀器 (TI) 今日推出全新 SimpleLink 系列 Wi-Fi 6 配套集成電路 (IC)，可幫助設(shè)計(jì)人員以實(shí)惠的價(jià)格為在高達(dá) 105oC 的高密度或高溫環(huán)境中運(yùn)行的應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高度可靠、安全高效的 Wi-Fi 連接。
2023-04-21 10:48:37796 超高溫型射頻導(dǎo)納料位開(kāi)關(guān)是射頻導(dǎo)納料位開(kāi)關(guān)的一種，顧名思義，其主要用于高溫環(huán)境下料位的測(cè)量。那么，超高溫型射頻導(dǎo)納料位開(kāi)關(guān)的原理、特點(diǎn)和應(yīng)用是怎樣的呢？
2023-04-19 16:53:25606 
隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展和智能手機(jī)的普及，對(duì)于手機(jī)的環(huán)境可靠性試驗(yàn)愈加重視。環(huán)境可靠性試驗(yàn)涉及多個(gè)方面，主要包括以下幾個(gè)方面：
首先，手機(jī)需要經(jīng)過(guò)高溫試驗(yàn)，以測(cè)試手機(jī)在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)。高溫試驗(yàn)
2023-04-17 15:53:16391 
針對(duì)行業(yè)級(jí)安防監(jiān)控、車(chē)載媒體、工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用等，佰維推出工業(yè)級(jí)寬溫 Micro SD（TF）卡，從容應(yīng)對(duì)各種復(fù)雜環(huán)境挑戰(zhàn)。
2023-04-14 17:26:32522 
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
中，車(chē)載電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜度顯著提升，對(duì)于存儲(chǔ)產(chǎn)品而言，大容量、實(shí)時(shí)響應(yīng)、高可靠性和安全性必不可少，兆易創(chuàng)新車(chē)規(guī)級(jí)GD25/55 SPI NOR Flash和GD5F SPINAND Flash具有豐富
2023-04-13 15:18:46
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫(xiě)時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲(chǔ)器容量。快速的寫(xiě)入速度和無(wú)限的耐用性使該存儲(chǔ)器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
汽車(chē)材料是汽車(chē)制造中不可或缺的重要組成部分，為保證汽車(chē)性能和質(zhì)量，材料的高溫老化試驗(yàn)尤為重要。汽車(chē)材料的高溫老化試驗(yàn)通常采用模擬車(chē)輛運(yùn)行中耐高溫環(huán)境的方式來(lái)進(jìn)行，以模擬材料在汽車(chē)使用過(guò)程中的實(shí)際受力
2023-04-07 11:26:09332 
半導(dǎo)體元器件在高溫環(huán)境下的可靠性是制造商和用戶十分關(guān)注的問(wèn)題。高溫試驗(yàn)是一種常用的測(cè)試方法，通過(guò)模擬實(shí)際使用中的高溫環(huán)境，可以評(píng)估元器件在高溫下的性能和可靠性。高溫試驗(yàn)需要仔細(xì)設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)方案，包括選擇
2023-04-07 10:21:03765 
LEAD TEST MINIHK-RA BANAPLG VLT
2023-03-30 17:33:43
高溫老化房用于評(píng)估確定電子產(chǎn)品或材料在溫度循環(huán)變化和產(chǎn)品表面高溫老化的環(huán)境條件下的儲(chǔ)存適應(yīng)性和使用的儲(chǔ)存適應(yīng)性，作為環(huán)境試驗(yàn)中的主要檢測(cè)設(shè)備，老化房憑借其高精度、高穩(wěn)定性、多功能性，以及便于升級(jí)
2023-03-23 10:36:00550 我目前正在嘗試防止臨時(shí)對(duì)稱密鑰在重新啟動(dòng)后保留在內(nèi)存中。我的巧妙計(jì)劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時(shí)歸零）對(duì)它們進(jìn)行異或，我在重啟時(shí)將其設(shè)置為隨機(jī)數(shù)。（這與非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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