非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:15
13 
電池+STM8+RF433無(wú)線門鎖時(shí)，如何既能保持RF433的數(shù)據(jù)接收，又能最低功耗待機(jī)
2024-03-18 07:13:38
嵌入式鐵電存儲(chǔ)器可實(shí)現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計(jì)。將鐵電存儲(chǔ)器添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理，是存儲(chǔ)系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計(jì)量?jī)x表到
2024-03-06 09:57:22
與主存儲(chǔ)器（內(nèi)存）和輔助存儲(chǔ)器（外存）有不同的特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。 首先，我們來(lái)詳細(xì)了解ROM的特點(diǎn)和分類。ROM是一種非易失性存儲(chǔ)器，這意味著即使在斷電或重啟系統(tǒng)后，存儲(chǔ)在ROM中的數(shù)據(jù)仍然保持完整。這是由于ROM的存儲(chǔ)單元是由非可更改的電路或柵電勢(shì)器構(gòu)成
2024-02-05 10:05:10732 1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問(wèn)
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出DA14592低功耗藍(lán)牙（LE）片上系統(tǒng)（SoC），成為瑞薩功耗最低、體積最小的多核（Cortex-M33、Cortex-M0+
2024-01-19 16:37:30586 美光科技近日宣布推出業(yè)界首款標(biāo)準(zhǔn)低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊（LPCAMM2），這款產(chǎn)品提供了從16GB至64GB的容量選項(xiàng)，旨在為PC提供更高性能、更低功耗、更緊湊的設(shè)計(jì)空間及模塊化設(shè)計(jì)。
2024-01-19 16:20:47262 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出新款低功耗藍(lán)牙（LE）片上系統(tǒng)（SoC），即DA14592。這款產(chǎn)品憑借其超低功耗和微型尺寸，成為瑞薩電子系列中功耗最低、體積最小的多核（Cortex-M33、Cortex-M0+）低功耗藍(lán)牙產(chǎn)品。
2024-01-19 16:18:15322 ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存儲(chǔ)器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲(chǔ)器），又稱
2024-01-12 17:27:15512 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來(lái)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 ，但它的指標(biāo)是每個(gè)腳可驅(qū)動(dòng)60毫安的負(fù)載（如匹配幾十歐姆的電阻），即滿負(fù)荷的功耗最大可達(dá)60*16=960mA，當(dāng)然只是電源電流這么大，熱量都落到負(fù)載身上了。
誤區(qū)六：存儲(chǔ)器有這么多控制信號(hào)，我
2024-01-09 08:04:28
的。那么如何解決呢？本文將對(duì)RF模組在Sleep狀態(tài)下如何做到最低功耗進(jìn)行說(shuō)明。RF模組sleep時(shí)RF模組的IO狀態(tài)先要獲知RF模組Sleep時(shí)，RF模組的IO
2024-01-06 08:13:43141 
藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2010年推出了藍(lán)牙4.0規(guī)范，其中低功耗藍(lán)牙的出現(xiàn)滿足了小型電池供電設(shè)備進(jìn)行低功耗無(wú)線連接的需求，因此得到廣泛應(yīng)用。本文章將帶你深入了解低功耗藍(lán)牙的應(yīng)用。低功耗藍(lán)牙簡(jiǎn)介2010
2023-12-28 08:24:49350 
最高48MHz。芯片有TSSOP20, QFN20兩種封裝類型。PY32L020 單片機(jī)集成I2C、SPI、USART 等通訊外設(shè)，1 路 12bit ADC，2 個(gè) 16bit 定時(shí)器，一個(gè)低功耗
2023-12-20 16:02:38
如何充分利用單片機(jī)（MCU）的非易失性存儲(chǔ)器 單片機(jī)（MCU）的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序的重要組成部分。它可以保留數(shù)據(jù)，即使在斷電或復(fù)位后也不會(huì)丟失。為了充分利用MCU的NVM，我們
2023-12-15 10:10:49499 mW。取消選擇該器件時(shí)，CMOS待機(jī)電流小于200 A。 型號(hào)AT28C256-25FM/883功能描述電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 256K 11MIL
2023-12-08 15:05:01
Vishay 推出五款新型 10 MBd 低功耗高速光耦，有助于工業(yè)應(yīng)用節(jié)能。
2023-12-08 09:27:10394 
如果按照資料里的：0x1419 0x0000 準(zhǔn)備從存儲(chǔ)器位置0x19讀取數(shù)據(jù)。
0x2000 0x0100 準(zhǔn)備從控制寄存器讀取數(shù)據(jù)。SDO輸出16位字，其中最后10位包含存儲(chǔ)器位置0x19的內(nèi)容
2023-12-06 06:04:03
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-24 16:04:35
0 閃速存儲(chǔ)器 （Flash Memory）簡(jiǎn)稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17910 
低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡(jiǎn)稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動(dòng)
2023-11-21 09:37:36257 
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。按照電源在關(guān)斷后數(shù)據(jù)是否依舊被保存的方式區(qū)分，存儲(chǔ)器可分為非易失性存儲(chǔ)器 (Non-volatile Memory，NVM)和易失性存儲(chǔ)器 （volatile Memory
2023-11-16 09:14:06413 這個(gè)最低功耗可以達(dá)到多少
2023-11-07 07:33:19
單片機(jī)的存儲(chǔ)器主要有幾個(gè)物理存儲(chǔ)空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間，其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
構(gòu)、應(yīng)用和OTA在線升級(jí)。此外，芯片串行外設(shè)IO和集成的應(yīng)用程序IP還能夠讓客戶以最小的BOM成本開發(fā)自己的產(chǎn)品。
采用高效率片上電源管理、低功耗射頻前端、低功耗時(shí)鐘產(chǎn)生架構(gòu)、振蕩器快速啟動(dòng)技術(shù)等電路技術(shù)
2023-10-27 17:23:53
摘要：萊迪思(Lattice )半導(dǎo)體公司在這應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)推出兩款低成本帶有SERDES的 FPGA器件系列基礎(chǔ)上，日前又推出采用富士通公司先進(jìn)的低功耗工藝，目前業(yè)界首款最低功耗與價(jià)格并擁有SERDES 功能的FPGA器件――中檔的、采用65nm工藝技術(shù)的 LatticeECP3系列。
2023-10-27 16:54:24235 大家有誰(shuí)知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了啊？？AT89C52手??冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說(shuō)明，各位高手有誰(shuí)知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
存儲(chǔ)器測(cè)試問(wèn)題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
stm8l系列低功耗待機(jī)電流最低能達(dá)到多少呢
2023-10-15 11:25:16
處理器提供多種存儲(chǔ)器接口，其中包括16位lpddr2，ddr3，ddr3l，nand flash，nor flash，emmc，具有qspi spi接口可與廣泛的外設(shè)進(jìn)行連接，如wifi、藍(lán)牙、gps、顯示屏及攝像頭等。
2023-10-09 07:41:53
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 摘要：本文主要對(duì)兩種常見的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 由于車載電子控制系統(tǒng)對(duì)于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
如何檢測(cè)24c存儲(chǔ)器容量
2023-09-25 06:48:32
在MCU的使用中，經(jīng)常遇到需要存儲(chǔ)參數(shù)或掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)等功能。其中，F(xiàn)lash和EEPROM是常見的非易失性存儲(chǔ)器
2023-09-21 09:14:39812 行車記錄儀方案 聯(lián)發(fā)科低功耗迷你安卓主板。超小尺寸的安卓主板，尺寸為43mm*57.5mm。主板搭載聯(lián)發(fā)科四核/八核64位A53架構(gòu)的CPU，具有超低功耗。默認(rèn)內(nèi)置1G+8G/2G+16G內(nèi)存
2023-09-20 19:02:43655 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《復(fù)旦微FM3316/3313/3312低功耗MCU芯片技術(shù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-20 14:49:201 存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類，前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:282617 根據(jù)專利要點(diǎn)，提供本申請(qǐng)的一種存儲(chǔ)器是檢測(cè)方法及存儲(chǔ)半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲(chǔ)單位與上線之間漏電測(cè)定的復(fù)雜技術(shù)問(wèn)題，該存儲(chǔ)器的檢測(cè)方法如下：選通字線，通過(guò)位線在所有存儲(chǔ)單元中寫設(shè)定存儲(chǔ)。
2023-09-07 14:27:24523 
庫(kù)的慢-慢工藝點(diǎn)對(duì)塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲(chǔ)器端口上的信號(hào)符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲(chǔ)器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
技術(shù)，每種技術(shù)都具有不同的特性和高級(jí)功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲(chǔ)器最主流的存儲(chǔ)器技術(shù)，因?yàn)樗褂秒娙萜髯鳛?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)元件來(lái)實(shí)現(xiàn)高密度和簡(jiǎn)單架構(gòu)、低延遲和高性能、無(wú)限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20413 
電池+STM8+RF433無(wú)線門鎖時(shí)，如何既能保持RF433的數(shù)據(jù)接收，又能最低功耗待機(jī)
2023-08-07 09:19:31
\\Applications\\X-NUCLEO-NFC08A1\\ap2p_proprietary中，兩個(gè)st25r16與st25r16b如何進(jìn)行P2P通信，目前已經(jīng)跑通了，但是看代碼的設(shè)置都一樣，為何是st25r16為Initiator，st25r16b為Target，可以反過(guò)來(lái)設(shè)置嘛？具體怎么操作
2023-08-07 07:31:04
富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲(chǔ)器串行接口系列中密度最高的產(chǎn)品。目前已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)產(chǎn)品。 在不斷變化的環(huán)境中，隨著傳感器信息數(shù)據(jù)量的增加和邊緣計(jì)算的擴(kuò)展，客
2023-08-04 11:55:04339 
℃ – 最大8K字節(jié)RAM，支持奇偶校驗(yàn) –128字節(jié)OTP存儲(chǔ)器? CRC 硬件計(jì)算單元? 復(fù)位和電源管理 – 低功耗模式（Sleep，DeepSleep） – 上
2023-08-01 15:45:220 HC88L051F4是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設(shè)計(jì)開發(fā)的增強(qiáng)型8位單片機(jī)，內(nèi)部有16KBytesFLASH程序存儲(chǔ)器，256BytesIRAM和1024BytesXRAM，最多18個(gè)雙向
2023-07-26 09:25:410 BCR25FM-14LJ 數(shù)據(jù)表
2023-07-07 18:37:550 BCR25FM-12LB 數(shù)據(jù)表
2023-07-07 18:37:020 BCR8FM-16LB 數(shù)據(jù)表
2023-07-05 20:06:220 BCR16FM-16LH 數(shù)據(jù)表
2023-07-05 19:51:530 鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時(shí)間等優(yōu)勢(shì)，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長(zhǎng)，芯片的擦寫次數(shù)為100萬(wàn)次，比一般的E2PROM存儲(chǔ)器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382 片選提供了許多選項(xiàng)，可以在每個(gè)片選上設(shè)置這些選項(xiàng)，以允許連接到各種外部器件。存儲(chǔ)器映射的外部片選區(qū)域地址從 0x60000000 開始。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參見《硬件用戶手冊(cè)》。 8.5.1 使用外部16位存儲(chǔ)器器件 連接具有字節(jié)選擇線的外部16位存儲(chǔ)器器件時(shí)，將MCU的A1連接到存
2023-06-28 12:10:02348 
易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時(shí)將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28873 Card外部存儲(chǔ)器。LTM32F103ZET6芯片支持多種省電模式，使其能夠滿足各種低功耗應(yīng)用的要求，其內(nèi)部框架圖如下： LTM32F103ZET6芯片主要特性： ARM 32位Cortex-M3內(nèi)核 512KB閃存、64KB SRAM高
2023-06-26 14:12:19793 
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
I/O寄存器、程序ROM、數(shù)據(jù)閃存和外部存儲(chǔ)器區(qū)域。 圖16. RA6M3存儲(chǔ)器映射 8.1 SRAM RA6 MCU提供帶
2023-06-21 12:15:03421 
ROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在，不會(huì)丟失，因此也被稱為非易失性存儲(chǔ)器。而RAM是易失性存儲(chǔ)器，當(dāng)斷電時(shí)，其中的數(shù)據(jù)將會(huì)丟失。
2023-06-20 16:38:442014 鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性，芯片能在常溫、沒有電場(chǎng)的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
請(qǐng)問(wèn)N76E003低功耗，掉電模式最低可以做到多少uA ?我怎么調(diào)也在120uA呢!
2023-06-14 08:39:42
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性，芯片能在常溫、沒有電場(chǎng)的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
不斷推出和優(yōu)化新型存儲(chǔ)設(shè)備，例如開放通道固態(tài)盤、可字節(jié)尋址的非易失性存儲(chǔ)器以及存算一體化設(shè)備。此外，陸續(xù)推出模擬器、仿真器和軟件定義設(shè)備開發(fā)平臺(tái)，促進(jìn)了新型存儲(chǔ)設(shè)備的設(shè)計(jì)和優(yōu)化。
2023-06-05 15:47:55406 作為一種非易失性存儲(chǔ)器，鐵電存儲(chǔ)器兼具動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的高速度與可擦除存儲(chǔ)器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)合，鐵電存儲(chǔ)器以幾乎無(wú)限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
BL24C02A/BL24C04A/BL24C08A/BL24C16A提供2048/4096/8192/16384位串行電可擦除和可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM），組織方式為256/512/1024
2023-05-27 10:49:52
今天的內(nèi)容是兩則科技新聞，“用于物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的全球最低功耗的無(wú)線芯片”，和“一款多頻段微型芯片天線”。由于芯片的面積分別為1平方毫米，和21平方毫米，差不多是1粒芝麻和2粒大米的大小，故稱為芝麻芯片
2023-05-24 06:00:00626 
MRAM是一種新型的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，與傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器技術(shù)相比，MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長(zhǎng)的壽命。
2023-05-23 17:34:15395 核320M，低功耗保活，音頻code，回聲消除及降噪等，廣泛適用于可視貓眼，門鎖，門鈴，ipc，內(nèi)窺，兒童相機(jī)等應(yīng)用市場(chǎng)
RISC-V芯片架構(gòu)，雙核，支持 DVP，UVC雙攝像頭接口，支持720P
2023-05-23 09:59:32
SPI系列（FM25）容量覆蓋512Mb~4Gb，溫度覆蓋-40℃~+105℃。PPI系列為（FM29）容量覆蓋2Gb~8Gb，溫度覆蓋-40℃~+105℃。
2023-05-11 15:08:56477 單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
首個(gè)非易失性存儲(chǔ)器是PROM（可編程只讀存儲(chǔ)器），以及與之密切相關(guān)的EPROM（可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器）。最初的PROM產(chǎn)品在1967年由貝爾實(shí)驗(yàn)室提出，并于1971年由英特爾進(jìn)一步開發(fā)。
2023-05-10 11:03:57408 下一階段，復(fù)旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲(chǔ)器全系列產(chǎn)品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量，FM25N將補(bǔ)全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26377 
工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝，具備低功耗、超寬電壓、高可靠等特性，其中擦寫壽命大于400萬(wàn)次、數(shù)據(jù)保
2023-05-04 13:56:111160 
通過(guò)quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí)，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
基本上，我想將數(shù)據(jù)寫入/讀取 I.MX RT1170 評(píng)估板中的非易失性存儲(chǔ)器 (MX25L4006EM2R-12G)。1）是否有任何示例應(yīng)用程序可供參考？像 LPUART、LPI2C 等....
2023-04-19 09:07:12
本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲(chǔ)器，可直接從雙/四SPI接口執(zhí)行代碼，存儲(chǔ)語(yǔ)音、文本和數(shù)據(jù)，提供的靈活性和性能遠(yuǎn)超普通串行閃速存儲(chǔ)器，非常適合于
2023-04-14 10:42:553817 
存儲(chǔ)設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無(wú)需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器，實(shí)時(shí)時(shí)鐘，低VDD復(fù)位，看門狗定時(shí)器，非易失性事件計(jì)數(shù)器，可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器，如果可能，我們?nèi)绾问褂谩Ｕ?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
隨著需求的變化和技術(shù)的迭代，固態(tài)硬盤在接口、協(xié)議和形態(tài)上都出現(xiàn)了很多新發(fā)展和新變化。今天瑞薩君就為大家介紹這款 適用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的PCIe非易失性存儲(chǔ)器Express（NVMe）固態(tài)硬盤解決方案
2023-03-30 20:00:06674 存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來(lái)說(shuō)，可以分為兩類，一類就是易失性存儲(chǔ)器，一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看，易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
FM25Q16A-SO-U-G
2023-03-29 21:45:01
超低功耗16M位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:07
FRAM存儲(chǔ)器 16Kbit (2K× 8) SOIC8_150MIL VDD=2.7V~3.6V
2023-03-27 13:53:15
ReRAM代表電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是一種非易失性存儲(chǔ)器，具有如低功耗和快速寫入的特長(zhǎng)。該存儲(chǔ)器在所有存儲(chǔ)器產(chǎn)品中的讀取電流都最小，特別適合于助聽器等可穿戴設(shè)備。
2023-03-25 15:49:351054
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論