Vishay發(fā)布率先采用PowerPAK SC-75和SC-70封裝的MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET?應用到更小的封裝尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是業(yè)內首次采用這種小尺寸、熱增強型PowerPAK? SC-75 1.6mm x 1.6mm和PowerPAK? SC-70 2mm x 2mm占位面積的100V N溝道器件，導通電阻分別小于200m?和100m?。

　　今天推出的MOSFET適用于升壓轉換器、低功率DC/AC 逆變器，以及電信磚式電源、負載點應用和便攜式設備中的LED照明等小型DC/DC轉換器的初級側開關。對于設計者來說，器件的超小PowerPAK SC-75和PowerPAK SC-70封裝可在這些應用中節(jié)省PCB空間，其低導通電阻可實現(xiàn)更低的導通電阻，從而降低能源消耗，提高效率。另外，MOSFET可在4.5V下導通，簡化了柵極驅動。

　　在導通電阻比尺寸更重要的應用中，2mm x 2mm的SiA416DJ在10V、4.5V下的最大導通電阻為83m?和130m?，導通電阻與柵極電荷乘積在10V和4.5V下分別為540mΩ-nC和455mΩ-nC，該參數(shù)是DC/DC轉換器應用中評價MOSFET的優(yōu)值系數(shù)（FOM）。對于尺寸大小更重要的應用，1.6mm x 1.6mm的SiB456DK在10V、4.5V下的最大導通電阻為185m?和310 m?，在10V、4.5V下的FOM為611mΩ-nC和558mΩ-nC。

　　SiB456DK和SiA416DJ進行了100%的Rg和UIS測試。這些MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。

　　新款MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。

　　VISHAY簡介

　　Vishay Intertechnology， Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1，000 強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。

　　TrenchFET?、ThunderFET?和PowerPAK?是Vishay Siliconix公司的注冊商標。

　　新聞聯(lián)系人：

　　VISHAY

　　張艷（Chris Zhang）

　　地址：上海市淮海西路 55 號申通信息廣場 15 樓 D 座

　　電話：（8621）52585000-6072

　　傳真：（8621）52587979

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　　仁治時代信息咨詢（北京）有限公司

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2SC5292 數(shù)據(jù)表

2023-05-11 20:17:36

2SC3512數(shù)據(jù)表

2SC3512 數(shù)據(jù)表

2023-05-08 18:58:13

2SC3512數(shù)據(jù)表

2023-05-08 18:57:58

廣和通發(fā)布5G智能模組SC151系列，助力AIoT應用更智能高效

2023年5月，廣和通發(fā)布5G R16智能模組SC151系列。SC151系列基于4nm制程工藝的高通QCM4490解決方案設計，采用8核高性能處理器，為工業(yè)與商業(yè)物聯(lián)網終端提供高性能處理能力。面對與日俱增的終端智能化需求，SC151系列將助力打造高生產力與高效率的智能應用場景。

2023-05-08 11:44:32

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