IGBT MODULE 1200V 1200A
2024-03-14 21:24:04
IGBT MODULE 1200V 1200A
2024-03-14 21:24:04
蓉矽半導(dǎo)體近日宣布,其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實力,也進(jìn)一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大競爭力。
2024-03-12 11:06:30
228 全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列專為電動汽車充電站、儲能系統(tǒng)、工業(yè)電源和太陽能應(yīng)用而設(shè)計。
2024-03-06 11:43:19
282 全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日發(fā)布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:35
331 納斯達(dá)克股票代號:ON),宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù)的1200V SPM31 智能功率模塊 (IPM)。與市場上其他領(lǐng)先的解決方案相比, SPM31
2024-02-27 16:04:04
458 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C1/5E/wKgZomXdl6qAZFkBAAHBZW4m778962.jpg)
第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù)的1200V SPM31 智能功率模塊 (IPM)。與市場上其他領(lǐng)先的解決方案相比, SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高,因而總體
2024-02-27 15:42:11
121 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號:ON),宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59
344 深圳市至信微電子有限公司(簡稱:至信微)在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發(fā)布暨代理商大會。此次大會上,至信微發(fā)布了一系列行業(yè)領(lǐng)先的SiC芯片,其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產(chǎn)品。
2024-01-16 15:45:17
286 本文介紹了針對電機(jī)驅(qū)動進(jìn)行優(yōu)化的全新1200 V IGBT和二極管技術(shù)。該IGBT結(jié)構(gòu)基于全新微溝槽技術(shù),與標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)相比,可大幅減少靜態(tài)損耗,并具備高可控性。而二極管因為優(yōu)化了場截止設(shè)計,其振蕩發(fā)生
2024-01-09 14:24:50
232 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/BC/9A/wKgaomWc5q6AVW7rAAAzeRLec4w467.png)
IGBT 是應(yīng)用最廣泛的可控功率電子開關(guān),一個200A 1200V的IGBT4芯片只有指甲大小。你能想象嗎?它可以每個周期快速關(guān)斷600安培的電流,電流密度高達(dá)300安培每平方厘米!這個耐壓1200V的IGBT芯片只有紙張的厚度,可以想象圍繞芯片的物理界面的機(jī)械應(yīng)力會有多大。
2023-11-27 09:39:42
434 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B3/12/wKgZomVj9E2AQd-8AAA6RBwWtoE089.png)
什么是igbt短路測試?igbt短路測試平臺? IGBT短路測試是針對晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)進(jìn)行的一種測試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:29
1042 描述 EiceDRIVER?緊湊型 - 寬體封裝電流隔離式單通道IGBT驅(qū)動器IC,采用CT技術(shù),適用于600V / 1200V IGBT模塊。 特性 ? 根據(jù)
2023-11-08 15:42:59
IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
2023-11-01 14:51:08
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
2023-11-01 14:51:08
IGBT MODULE 1200V 5000W
2023-11-01 10:26:39
繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證后
2023-10-25 18:28:10
422 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AA/5A/wKgaomU47iWARgYvAABXYJGIYis062.jpg)
2023年10月,凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異,開關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動,能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。
2023-10-20 09:43:26
485 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AB/2E/wKgZomUx25WAZOEOAAAYCN0TxLw234.png)
;1200V系列SiC二極管。
陸芯科技的產(chǎn)品(IGBT、SJMOS、SiC)包括芯片、單管和模塊,具有以下技術(shù)優(yōu)勢:通過優(yōu)化耐壓終端環(huán),實現(xiàn)IGBT高阻斷電壓,有效減少芯片面積,達(dá)到工業(yè)級和汽車級可靠性
2023-10-16 11:00:14
來源:半導(dǎo)體芯科技編譯 Magnachip開始全面量產(chǎn)用于電動汽車PTC加熱器的1200V和650V IGBT。 Magnachip Semiconductor推出了1200V和650V絕緣
2023-09-19 16:04:38
306 繼英飛凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模塊產(chǎn)品相繼量產(chǎn)并取得客戶認(rèn)可后,英飛凌最新推出了適用于大功率應(yīng)用場景的1200VIGBT7P7芯片,并將其應(yīng)用在PrimePACK模塊中,再次刷新
2023-09-14 08:16:10
430 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/3F/DB/pYYBAGJqOMiAUmBUAAAUKS9OY54015.jpg)
型號:1、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高壓IGBT,適用于高效能和高可靠性的應(yīng)用。它具有1200V的電壓額定值和40A的電流額定值,能夠提供低導(dǎo)通
2023-08-25 16:58:53
1477 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A1/54/wKgaomTobUqAFa9-AAAn9U9Ien8692.png)
JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管,產(chǎn)品型號為 JHY140N120HA。產(chǎn)品外觀和內(nèi)部電路拓?fù)淙缦聢D所示。
2023-08-25 15:40:57
1056 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A1/4F/wKgaomToW06ANTK9AABCcQ_7NYA260.png)
新品用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增強(qiáng)型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半橋模塊,采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測
2023-07-31 16:57:59
584 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/3F/DB/pYYBAGJqOMiAUmBUAAAUKS9OY54015.jpg)
增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊,采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測NTC,并有使用預(yù)涂的熱界面材料(TIM)版本。
2023-07-28 14:22:44
231 在此方向上,青桐資本項目伙伴「量芯微半導(dǎo)體(GaNPower)」(以下簡稱「量芯微」)在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)1200V 硅基GaN HEMT的商業(yè)化量產(chǎn),并于近日與泰克科技(Tektronix Inc.)合作進(jìn)行了器件測試。
2023-07-19 16:37:30
1366 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8D/31/wKgZomS3oUyAKoNyAAASOMZBzzI729.jpg)
RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:50
0 RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:35
0 RJH1CM7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-07-12 19:18:22
0 RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-12 19:11:33
0 的汽車驅(qū)動產(chǎn)品來實現(xiàn)“充電五分鐘續(xù)航百公里”的效果。 ? 針對這一需求,士蘭微電子近期推出了一款高性能的汽車驅(qū)動模塊——600A/1200V IGBT模塊(B3模塊), 它能夠提升新能源汽車充電速度和行駛動力,為用戶帶來更高的效率和更好
2023-06-20 11:36:48
735 本產(chǎn)品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管,設(shè)計用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
/引言/英飛凌TRENCHSTOPIGBT7系列單管具有兩種電壓等級(650V&1200V)和三個系列(T7,S7,H7)。其中,H7系列單管針對光儲、UPS、EVcharger、焊機(jī)
2023-05-31 16:51:27
636 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/3F/DB/pYYBAGJqOMiAUmBUAAAUKS9OY54015.jpg)
EiceDRIVER SOI系列誕生了首批1200V SOI半橋產(chǎn)品,用于高功率應(yīng)用,如商用HVAC、熱泵、伺服驅(qū)動器、工業(yè)變頻器、泵和風(fēng)機(jī)(高達(dá)10kW)。
2023-05-18 16:18:24
315 合作關(guān)系。此次,賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續(xù)保持緊密合作,全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英 (左) 賽米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02
938 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/89/F9/wKgaomSNb1OAPL3PAAAJiTJ8Bso443.jpg)
RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:59
0 RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:48
0 RJH1CM7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-05-15 20:25:30
0 RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 20:18:54
0 隨著全球電氣化技術(shù)的快速發(fā)展,對功率模塊的需求已經(jīng)達(dá)到了前所未有的程度,相關(guān)產(chǎn)品的市場規(guī)模急劇擴(kuò)大,幾乎超出了芯片制造商的產(chǎn)能提升速度。
2023-05-10 10:48:02
279 中,采用了羅姆的新產(chǎn)品—— 1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續(xù)保持緊密合作,全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd.董事 常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英(左)賽米控丹佛斯 CEO Claus A. Petersen(右) 隨著全球電動化技術(shù)的快速發(fā)展,對功
2023-04-26 15:27:11
517 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/A1/C5/poYBAGRI0cGAM2JlAAGz_6qd71o306.png)
。此次,賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續(xù)保持緊密合作,全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官?CFO 伊野和英 (左) ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:51
606 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/82/47/wKgaomRIe76AXOzNAAZEUuwD-RA862.png)
以下文章來源于安森美,作者安森美領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克上市代號:ON),推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),具備業(yè)界領(lǐng)先的性能
2023-04-06 16:07:10
367 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/92/72/poYBAGPzDF2APvYFAAAbxdHf0so719.png)
新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7,TO-247封裝分立器件,旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應(yīng)用。產(chǎn)品特點得益于著名
2023-03-31 10:52:07
472 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/3F/DB/pYYBAGJqOMiAUmBUAAAUKS9OY54015.jpg)
新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7,TO-247封裝分立器件,可快速、方便地替換上一代T2芯片產(chǎn)品系列產(chǎn)品型號:IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE
2023-03-31 10:49:58
674 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/3F/DB/pYYBAGJqOMiAUmBUAAAUKS9OY54015.jpg)
IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
2023-03-29 15:28:40
IGBT PHASELEG 1200V 43A SMPD
2023-03-29 15:28:38
IGBT 1200V 32A 125W SMPD
2023-03-29 15:28:15
IGBT 1200V 32A 125W SMPD
2023-03-29 15:28:11
IGBT 1200V 9A 45W TO252AA
2023-03-29 15:24:50
IGBT 1200V 9A 45W TO252AA
2023-03-29 15:24:47
IGBT MODULE 1200V 105A SMPD
2023-03-29 15:16:31
IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
2023-03-29 15:16:31
IGBT MODULE 1200V 105A SMPD
2023-03-29 15:16:29
IGBT MODULE 1200V 150A HEX
2023-03-29 15:14:46
IGBT MODULE 1200V 183A HEX
2023-03-29 15:14:45
IGBT MODULE 1200V 108A HEX
2023-03-29 15:14:42
IGBT MODULE 1200V 325A
2023-03-29 15:14:41
IGBT MODULE 1200V 108A HEX
2023-03-29 15:14:39
IGBT MODULE 1200V 250A
2023-03-29 15:14:38
IGBT MODULE 1200V 183A QUAD
2023-03-29 15:14:37
IGBT MODULE 1200V 60A
2023-03-29 15:14:35
IGBT MODULE 1200V 84A
2023-03-29 15:14:35
IGBT MODULE 1200V 84A
2023-03-29 15:14:31
IGBT MODULE 1200V 250A
2023-03-29 15:14:30
IGBT MODULE 1200V 40A
2023-03-29 15:14:22
IGBT MODULE 1200V 30A
2023-03-29 15:14:21
IGBT MODULE 1200V 40A
2023-03-29 15:14:21
IGBT MODULE 1200V 60A
2023-03-29 15:14:21
IGBT MODULE 1200V 20A HEX
2023-03-29 15:14:19
IGBT MODULE 1200V 30A
2023-03-29 15:14:15
IGBT MODULE 1200V 40A
2023-03-29 15:14:13
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:14:12
IGBT MODULE 1200V 40A
2023-03-29 15:14:12
IGBT MODULE 1200V 150A HEX
2023-03-29 15:14:11
IGBT MODULE 1200V 150A HEX
2023-03-29 15:14:11
IGBT MODULE 1200V 60A
2023-03-29 15:14:08
IGBT MODULE 1200V 20A HEX
2023-03-29 15:14:06
IGBT MODULE 1200V 30A
2023-03-29 15:14:06
IGBT MODULE 1200V 30A
2023-03-29 15:14:06
IGBT MODULE 1200V 20A HEX
2023-03-29 15:14:05
IGBT MODULE 1200V 20A HEX
2023-03-29 15:14:05
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:14:03
IGBT MODULE 1200V 28A HEX
2023-03-29 15:14:03
IGBT MODULE 1200V 20A HEX
2023-03-29 15:14:02
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:14:01
IGBT MODULE 1200V 84A
2023-03-29 15:14:01
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:13:57
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:13:56
IGBT 1200V 88A SOT-227B
2023-03-29 15:13:54
IGBT MODULE 1200V ISOPLUS247
2023-03-29 15:13:53
IGBT 1200V 100A SOT-227B
2023-03-29 15:13:53
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