電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:20:58
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的650V 270m? GaN FETLMG3616數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:19:400 公司發(fā)展，掌握國(guó)際領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)。薩科微產(chǎn)品包括二極管三極管、功率器件、電源管理芯片等集成電路三大系列，可以替換英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體、富士、三菱、科銳cree等品牌的產(chǎn)品
2024-03-18 11:39:25
近日，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“揚(yáng)杰科技”）再度刷新業(yè)界認(rèn)知，推出了一款專為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:19
558 本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07187 
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過(guò)了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 650V 高壓 MOSFET 和高壓?jiǎn)?dòng)電路
?優(yōu)化輕載噪音、提升系統(tǒng)抗干擾能力
?多模式控制、無(wú)異音工作
?支持降壓和升降壓拓?fù)??默認(rèn) 12V 輸出 (FB 腳懸空)
?待機(jī)功耗 <
2024-03-12 14:25:14
近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過(guò)了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:24260 近日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱“羅姆”）宣布，其650V GaN器件（EcoGaN?）已被臺(tái)達(dá)電子（Delta Electronics, Inc.，以下簡(jiǎn)稱
2024-03-12 10:42:46123 3月8日，瞻芯電子開(kāi)發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38286 
，原始取得MOS管、IGBT管、TVS二極管、元器件封測(cè)方面幾十項(xiàng)發(fā)明專利，通過(guò)歐盟ROHS及REACH檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)。“slkor”發(fā)展成為國(guó)際知名品牌，薩科微產(chǎn)品被超10000家客戶采用！薩科微工廠
2024-03-05 14:23:46
【米爾-瑞薩RZ/G2UL開(kāi)發(fā)板】3.雜項(xiàng)測(cè)試
不知道為啥我這板子好多奇奇怪怪的調(diào)試信息蹦出來(lái)，臨時(shí)抑制辦法
echo 1 4 1 7 > /proc/sys/kernel
2024-02-28 15:25:13
【米爾-瑞薩RZ/G2UL開(kāi)發(fā)板】1.開(kāi)箱
開(kāi)箱視頻
開(kāi)箱也許會(huì)遲到，但是絕對(duì)不會(huì)缺席。今天開(kāi)箱的是米爾-瑞薩 RZ/G2UL 開(kāi)發(fā)板，這是目前筆者接觸到的第二款米爾開(kāi)發(fā)板。那么這塊板子又會(huì)給大家
2024-02-04 23:38:07
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的650V軟特性發(fā)射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個(gè)引腳，不僅增加了安規(guī)距離，提高了可靠性，而且適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-02-01 10:50:02364 近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過(guò)了嚴(yán)苛的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡(jiǎn)便，損耗更低的特點(diǎn)。
2024-01-16 10:16:24770 
瑞薩電子推出圍繞64位RISC-V CPU內(nèi)核構(gòu)建的RZ/5個(gè)通用微處理器單元（MPU），具體的型號(hào)是多少？性能怎么樣？
2024-01-11 13:03:31
3AC400V變頻異步電機(jī)，連續(xù)工作的允許耐壓值是多少呢？
比如說(shuō)，變頻器的直流母線電壓是650V的狀態(tài)下，3AC400V的電機(jī)能受得了嗎？
2024-01-09 07:20:21
IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)，是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢(shì)，在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35270 
產(chǎn)品概述：DK045G 是一款高度集成了 650V/400mΩ GaN HEMT 的準(zhǔn)諧振反激控制 AC-DC 功率開(kāi)關(guān)芯片。DK045G 檢測(cè)功率管漏極和源極之間的電壓（V DS ）,當(dāng) V DS
2023-12-16 12:01:21
MOS管在直流充電樁上的應(yīng)用，推薦瑞森半導(dǎo)650V/1200V碳化硅MOS系列，600V/650V超結(jié)MOS系列
2023-12-08 11:50:15235 
650V高壓低功耗非隔離電源芯片，默認(rèn)輸出12V，最大電流2A，具有輸出可設(shè)置3-24V
2023-12-01 19:19:030 、Buck-Boost 變換器拓?fù)鋺?yīng)用。 BP8523D 內(nèi)部集成了 650V 高壓 MOSFET、高壓?jiǎn)?dòng)和自供電電路、電流采樣電路、電壓反饋電路以及續(xù)流二極管!采用先進(jìn)的控制技術(shù)，無(wú)需外部 VCC
2023-11-21 10:32:19
華芯微特SWM241系列性能完美兼容瑞薩的R5F100LEA，提供更高性價(jià)比的小家電32位MCU，SWM241 系列 32 位 MCU 內(nèi)嵌 ARM? CortexTM-M0 內(nèi)核
24位系統(tǒng)定時(shí)器
2023-11-20 15:43:07
在分立式封裝中，650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可輸出高達(dá)150A的電流。該產(chǎn)品系列電流等級(jí)為40A至150A，有四種不同封裝類型：TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。
2023-11-10 15:36:22265 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7
2023-11-03 11:40:49644 
IGBT 650V TO247-3
2023-11-01 13:45:06
Power Integrations 近日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN開(kāi)關(guān)技術(shù)。InnoSwitch3-EP 1250V?IC
2023-10-31 16:54:481866 采用了1250V的PowiGaN?開(kāi)關(guān)技術(shù)。InnoSwitch?3-EP 1250V?IC是Power Integrations的InnoSwitch恒壓/恒流準(zhǔn)諧振離線反激式開(kāi)關(guān)IC產(chǎn)品
2023-10-31 11:12:52266 %以內(nèi)的恒流精度，并且能夠?qū)崿F(xiàn)輸出電流對(duì)電
感與輸出電壓的自適應(yīng)，從而取得優(yōu)異的線型調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率
LC6833 內(nèi)部集成了 650V 功率MOSFET，無(wú)需次級(jí)反饋電路，也無(wú)需
補(bǔ)償電路，加之精準(zhǔn)
2023-10-30 18:01:18
請(qǐng)教大俠們 瑞薩的集成LO芯片8V97051，8V97051 L,8V97051 A
這三款有沒(méi)有區(qū)別？？
2023-10-30 12:36:41
瑞薩RX130在時(shí)鐘頻率32MHz時(shí)，指令最短執(zhí)行時(shí)間是多少？
2023-10-28 07:01:18
SP9683高頻準(zhǔn)諧振、集成650V氮化鎵功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 
開(kāi)發(fā)技術(shù)和設(shè)計(jì)能力，是國(guó)內(nèi)新一代功率半導(dǎo)體技術(shù)的領(lǐng)航企業(yè)。陸芯科技功率半導(dǎo)體產(chǎn)品包括：最新一代Trench Field-Stop技術(shù)的400V 200A-400A系列IGBT、650V 10A-200A
2023-10-16 11:00:14
來(lái)源：半導(dǎo)體芯科技編譯 Magnachip開(kāi)始全面量產(chǎn)用于電動(dòng)汽車PTC加熱器的1200V和650V IGBT。 Magnachip Semiconductor推出了1200V和650V絕緣
2023-09-19 16:04:38306 SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
CMN-650 CML鏈接的四個(gè)計(jì)算子系統(tǒng)組成。
它提供了一個(gè)四芯片系統(tǒng)的功能模型。
每個(gè)子系統(tǒng)包含四個(gè)ARM?Neoverse?V1核心，因此FVP中總共有16個(gè)核心。
有關(guān)更多信息，請(qǐng)參見(jiàn)第49頁(yè)的固定虛擬平臺(tái)
2023-08-29 06:59:20
設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)N通道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓最高可達(dá)650V。
特性
?650V無(wú)芯變壓器隔離驅(qū)動(dòng)器IC
?軌到軌輸出
?保護(hù)功能
?浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)
?雙通道欠壓鎖定
?3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45
Ω? ? 650V? ?? ? SOP7? ?? ?? ?? ?? ? SIC9773? ?? ?0.9? ?? ?? ?4.5Ω? ? 650V? ?? ? SOP7/DIP7
2023-08-24 09:53:37263 650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無(wú)引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開(kāi)關(guān)
2023-08-07 17:22:17964 
使用。其中PFC維也納電路AC/DC的開(kāi)關(guān)頻率40kHz左右，一般使用650V的超結(jié)MOSFET或者650V的IGBT，劣勢(shì)是器件多，硬件設(shè)計(jì)復(fù)雜，效率低，失效率
2023-08-02 10:29:00
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
收到米爾瑞薩RZ/G2L開(kāi)發(fā)板后一直對(duì)米爾旗下開(kāi)發(fā)板的做工感到非常精致，同時(shí)也有著很強(qiáng)大的功能，也一直很喜歡米爾系列開(kāi)發(fā)板。
引領(lǐng)工業(yè)市場(chǎng)從32位MPU向64位演進(jìn)
基于瑞薩高性價(jià)比RZ/G2L
2023-07-29 00:21:11
650V、120mΩ、22A、TO-247-3 封裝、第 3 代分立式 SiC MOSFETWolfspeed 通過(guò)推出第三代 650 V MOSFET 擴(kuò)展了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)領(lǐng)先地位，在
2023-07-24 11:30:39
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國(guó)科正式對(duì)外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
開(kāi)關(guān)電源芯片U6773D內(nèi)置5A 650V 的MOS，支持準(zhǔn)諧振降壓型LED恒流、恒壓輸出應(yīng)用，僅需將SEL管腳短接到GND管腳即可。
2023-07-18 15:48:01612 圳市森國(guó)科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27521 
RJH65T46DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650 V - 40 A - IGBT Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-11 20:19:440 RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:510 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-07-10 19:00:430 RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-07 20:26:120 ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)來(lái)提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD
2023-06-19 15:09:18273 
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
供應(yīng)DP3367 內(nèi)置4A/650V MOSFEET充電器芯片，提供DP3367 18W電流模式PWM模式控制器關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-06-15 17:00:02
潤(rùn)新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34686 收到的米爾瑞薩RZ/G2L開(kāi)發(fā)板上電測(cè)試一下SSH登錄方式和其它測(cè)試！
SSH登錄
在使用之前，需要事先連接網(wǎng)絡(luò)，筆者這里使用的是以太網(wǎng)，事先需要使用串口的登錄，然后輸入以下命令查看IP地址
2023-06-11 21:47:39
日本瑞薩電子提供的 RZ / Five MPU 處理器，以及晶心科技的 RISC-V AndesCore AX45MP 單核芯片，主頻達(dá) 1.0 GHz。此外，該機(jī)內(nèi)置 1GB 內(nèi)存，可選配 16GB
2023-06-09 16:36:30
我最近買了 RDDRONE-BMS772。連接 4 節(jié)電池，3 節(jié)電池顯示正確電壓，但第 4 節(jié)電池顯示 0v。請(qǐng)參考圖片，任何人都可以指出我還可以做些什么來(lái)糾正這個(gè)問(wèn)題嗎？
BMS 顯示屏顯示電池 4 為 0V 黃色
第 4 個(gè)電池讀數(shù)從這里開(kāi)始很好，3.6V
2023-06-07 07:36:23
【瑞薩FPB-RA6E1快速原型板】+機(jī)器人游戲主控項(xiàng)目(2)開(kāi)源 （分步實(shí)驗(yàn)） - 瑞薩單片機(jī)論壇 - 電子技術(shù)論壇- 廣受歡迎的專業(yè)電子論壇! https://bbs.elecfans.com
2023-06-05 18:03:11
接上一篇：【瑞薩FPB-RA6E1快速原型板】+機(jī)器人游戲主控項(xiàng)目(1)開(kāi)源 - 瑞薩單片機(jī)論壇 - 電子技術(shù)論壇- 廣受歡迎的專業(yè)電子論壇! https://bbs.elecfans.com
2023-06-03 06:35:23
大多是基于51、stm32、arduino，所以想試試將自己玩過(guò)的模塊移植到瑞薩上
PS:本人本次參賽題目為基于NBIOT和阿里云的采集系統(tǒng)，但是發(fā)現(xiàn)板子上自帶esp8266模塊，會(huì)先采用esp8266
2023-05-26 09:42:11
Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
IGBT導(dǎo)通后，電源1000V，電阻100Ω，仿真出電路電流10A（如圖1、圖2），這個(gè)沒(méi)問(wèn)題。但電源1000V，電阻10Ω，仿真出電流為什么不是100A（如圖3、圖4）？是IGBT引起的嗎？
圖1
圖2
圖3
圖4
2023-05-25 11:47:38
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。
2023-05-24 15:19:34447 
Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:57300 和 MMC
本次活動(dòng)試用的瑞薩FPB-RA6E1快速原型板，主控芯片型號(hào)為：RA7FA6E10F2CFP。
查閱官方網(wǎng)站，可以知道，它的閃存為1MB，SRAM為256 KB。
四、開(kāi)發(fā)環(huán)境搭建
這里搭建
2023-05-22 23:13:31
今天剛剛收到米爾瑞薩RZ/G2L開(kāi)發(fā)板，拆開(kāi)包裹后給人的感覺(jué)是驚艷，板卡設(shè)計(jì)真的很棒，來(lái)看看視頻做個(gè)簡(jiǎn)單了解吧。
更多板卡可以登錄官網(wǎng)了解哦。https://www.myir.cn/
2023-05-22 21:58:13
剛收到米爾瑞薩RZ/G2L開(kāi)發(fā)板打開(kāi)包裝后看到的很大的一塊黑色PCB，做工精美的開(kāi)發(fā)板，給人眼前一亮的感覺(jué)。
首先來(lái)介紹以下這家公司：
深圳市米爾電子有限公司，是一家專注于嵌入式處理器模組設(shè)計(jì)研發(fā)
2023-05-22 21:53:44
是 R7FA4M2AD3CFP ，如片如下：
經(jīng)過(guò)對(duì)照野火發(fā)布的瑞薩的文檔進(jìn)行一段時(shí)間的學(xué)習(xí)野火-瑞薩 啟明開(kāi)發(fā)板 — 野火產(chǎn)品資料下載中心 文檔 (embedfire.com)，對(duì)于瑞薩芯片的開(kāi)發(fā)有了一定的了解
2023-05-21 17:02:36
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)
2023-05-18 16:34:23463 RJH65T46DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650 V - 40 A - IGBT Application: Power Factor Correction circuit)
2023-05-15 19:08:280 ：
5、里面有一個(gè)快速入門（中英文）的小冊(cè)子：
6、按照使用說(shuō)明，開(kāi)機(jī)的畫面如下：
7、RZ/G2L 是瑞薩在智能工控領(lǐng)域的一款高性能、超高效處理器。RZ/G2L 微處理器配備 Arm
2023-05-14 19:41:46
、靈活性較差。為此，RT-Thread 聯(lián)合 瑞薩 推出了全新的 HMI Board 開(kāi)發(fā)模式，取代傳統(tǒng)的 HMI + 主控板 硬件，一套硬件即可實(shí)現(xiàn) HMI + IoT + 控制 的全套能力。依托于瑞薩
2023-05-08 08:22:12
本章教程主要在前面第38章的基礎(chǔ)上進(jìn)行10位地址模式下的主機(jī)發(fā)送從機(jī)接收實(shí)驗(yàn)。注意，本章例程使用CH32V103硬件IIC。 1、I2C簡(jiǎn)介及相關(guān)函數(shù)介紹關(guān)于I2C，當(dāng)作為主機(jī)模式使用時(shí)，在7位地址
2023-04-23 16:12:10
瑞薩RH850 R7F7010693 誰(shuí)能破解？可以的加我V：13520223020
2023-04-22 14:29:33
供應(yīng)ups逆變器中的igbt管600v 60a SGT60N60FD1P7，是士蘭微IGBT代理，提供SGT60N60FD1P7關(guān)鍵參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-04 10:37:48
IGBT 650V D2-PAK
2023-03-29 21:25:19
IGBT 650V D2-PAK
2023-03-29 21:25:19
IGBT 650V TO-247
2023-03-29 15:41:28
IGBT 650V TO-247
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IGBT 650V TO-247
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IGBT 650V
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IGBT 650V TO-247
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IGBT 650V TO220-3
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IGBT 650V TO220-3
2023-03-29 15:23:08
IGBT 650V 500A 1250W
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IGBT MODULE 650V 490A
2023-03-29 15:14:43
IGBT MODULE 650V SOT227
2023-03-29 15:14:02
20 年的生命周期。人們現(xiàn)在期待 7 到 10 年的生命周期，他們知道之后他們可能需要適應(yīng)新一代設(shè)備。在工業(yè)生態(tài)系統(tǒng)中，你需要的安全性超出了使用 Arm 最新內(nèi)核的標(biāo)準(zhǔn) Trust Zone 產(chǎn)品
2023-03-29 15:08:54
IGBT 650V 40A
2023-03-27 13:21:17
IGBT 650V TO247-3
2023-03-27 13:20:08
IGBT 650V TO247-3
2023-03-27 13:16:29
IGBT 650V A
2023-03-27 13:14:48
RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:250 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:100
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