供應商器件封裝 P 14 x 8
2024-03-14 21:19:01
Diodes 公司推出一款符合汽車規格* 的新型線性 LED 驅動器，讓用戶能獨立控制三個通道的亮度和色彩。
2024-03-12 14:38:31
640 【2024 年 03月 11日美國德州普拉諾訊】 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出一款符合汽車規格* 的新型線性 LED 驅動器，讓使用者能獨立控制三個通道的亮度
2024-03-12 14:30:46195 
電子元器件的封裝測試是確保元器件在正常工作條件下能夠穩定運行的重要環節。
2024-02-23 18:17:171002 Diodes公司近日宣布推出三款符合汽車標準的新型雙通道高側電源開關，分別為ZXMS82090S14PQ、ZXMS82120S14PQ和ZXMS82180S14PQ。這些新品進一步豐富了其IntelliFET自我保護型MOSFET產品組合，為汽車行業帶來了更強大的電源管理解決方案。
2024-02-03 11:03:25347 【 2024 年 1 月 31 日美國德州普拉諾訊】 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出首款符合汽車標準的雙通道高側電源開關 — ZXMS82090S14PQ
2024-02-01 18:01:201090 
我知道嵌入式軟件構建工具報告程序閃存使用情況。我認為他們也報告了 RAM 使用情況，但他們是否報告了最大 RAM 使用率？
生成工具可能不知道在運行時將使用多少堆。是否還有其他構建工具不知道的 RAM 使用情況？
如何準確找出運行時使用的RAM量？
2024-01-31 07:48:58
Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了創新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創新型封裝為 AOS 產品賦予了卓越的散熱性能，使其在長期惡劣的運行條件下仍能保持穩定的性能。
2024-01-26 18:25:151382 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 將 AH371xQ 系列高電壓霍爾效應鎖存器加入產品組合。
2024-01-05 13:52:22334 近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 應用的80V 和 100V MOSFET，這兩款車規級器件是TO-Leadless (TOLL)?封裝。AOS TOLL 封裝旨在優化功率半導體器件成為電動汽車發展中的重要組件，尤其是在兩輪和三輪及其
2023-12-15 11:26:49279 應用的80V 和 100V MOSFET，這兩款車規級器件是TO-Leadless (TOLL) 封裝。AOS TOLL 封裝旨在優化功率半導體器件成為電動汽車發展中的重要組件，尤其是在兩輪和三輪及其
2023-12-14 16:55:24949 工程師必看！MOSFET器件選型的3大法則
2023-12-06 15:58:49209 ，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品，隨后安世半導體將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 器件可靠性與溫度的關系
2023-12-04 16:34:45239 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 加拿大蒙特利爾 - 11月27日 - 全球知名的電子元器件分銷商富昌電子最近榮獲 Diodes 公司頒發的2023年最佳全球分銷商獎。 Diodes公司是全球領先的高品質模擬、分立、邏輯和混合信號
2023-11-30 15:52:51131 
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出一款低功耗、高性能且符合 MIPI D-PHY 1.2 協議的信號 ReDriver。
2023-11-30 14:04:49370 為了擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-26 16:40:46862 TO-220-5,其中TO-220表示封裝代號，后面的5表示管腳數，TO封裝主要應用在照明設備開關電源，微波爐，電動汽車等電子產品的中高功率器件；
第二種：DIP封裝，也叫雙列直插式封裝
2023-11-22 11:30:40
如果器件的最高工作溫度為85℃，器件的儲存溫度為125℃，請教此器件如果在通電狀態下，且溫度達到120℃，此時器件是否會損壞？
2023-11-17 13:24:22
為了擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-16 17:18:25570 ，能夠像IGBT一樣進行高壓開關，同時開關頻率等于或高于低壓硅MOSFET的開關頻率。之前的文章中，我們介紹了 SiCMOSFET特有的器件特性 和 如何優化SiC柵極驅動電路 。今天將帶來本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封裝、系統性能和應用 。 封裝 WBG半導體使高壓轉換器能夠在更接近
2023-11-09 10:10:02333 
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規級功率模塊封裝的現狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
點擊藍字?關注我們 對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行并非易事
2023-10-18 16:05:02328 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅動功率，且開關速度優異?？梢哉f具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態電阻(RDS(on))和正溫度系數較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出一款適用于各種車用 LED 產品應用的升壓/單端初級電感轉換器 (SEPIC) 控制器。
2023-09-26 14:13:26586 供應商器件封裝 P 9 x 5
2023-09-07 11:50:43
供應商器件封裝 E 13 x 7 x 4
2023-09-07 11:50:43
供應商器件封裝 E 13 x 7 x 4
2023-09-07 11:50:43
供應商器件封裝 RM 8
2023-09-07 11:50:35
供應商器件封裝 P 14 x 8
2023-09-07 11:50:33
供應商器件封裝 RM 5
2023-09-07 11:50:33
供應商器件封裝 RM 5
2023-09-07 11:50:33
供應商器件封裝 RM 4
2023-09-07 11:50:32
供應商器件封裝
2023-09-07 11:50:32
供應商器件封裝 P 14 x 8
2023-09-07 11:50:28
供應商器件封裝 RM 4
2023-09-07 11:50:28
供應商器件封裝 E 13 x 7 x 4
2023-09-07 11:50:25
供應商器件封裝 E 13 x 7 x 4
2023-09-07 11:50:25
供應商器件封裝 RM 5
2023-09-07 11:50:21
供應商器件封裝 P 9 x 5
2023-09-07 11:50:18
供應商器件封裝 P 9 x 5
2023-09-07 11:50:15
供應商器件封裝 E 32 x 16 x 9
2023-09-07 11:50:14
供應商器件封裝 RM 6
2023-09-07 11:50:10
供應商器件封裝 RM 6
2023-09-07 11:50:10
供應商器件封裝 E 32 x 16 x 9
2023-09-07 11:50:10
供應商器件封裝 RM 8
2023-09-07 11:50:07
供應商器件封裝 E 6 x 3
2023-09-07 11:49:28
供應商器件封裝 RM 6
2023-09-07 11:49:25
供應商器件封裝 RM 8
2023-09-07 11:49:25
供應商器件封裝 RM 6
2023-09-07 11:49:24
供應商器件封裝 E 8 x 8
2023-09-07 11:49:18
供應商器件封裝
2023-09-07 11:49:12
供應商器件封裝 RM 4
2023-09-07 11:49:11
供應商器件封裝 E 6 x 3
2023-09-07 11:49:11
供應商器件封裝 E 6 x 3
2023-09-07 11:49:11
供應商器件封裝 E 6 x 3
2023-09-07 11:49:11
供應商器件封裝 RM 7
2023-09-07 11:49:07
供應商器件封裝 EP 7
2023-09-07 11:49:07
供應商器件封裝 P 9 x 5
2023-09-07 11:49:04
供應商器件封裝 P 9 x 5
2023-09-07 11:49:04
供應商器件封裝 P 7 x 4
2023-09-07 11:49:02
供應商器件封裝 P 14 x 8
2023-09-07 11:49:01
供應商器件封裝 P 14 x 8
2023-09-07 11:49:01
供應商器件封裝 RM 6
2023-09-07 11:48:52
供應商器件封裝 RM 8
2023-09-07 11:48:51
供應商器件封裝 RM 8
2023-09-07 11:48:51
供應商器件封裝 RM 7
2023-09-07 11:48:49
供應商器件封裝 EP 7
2023-09-07 11:48:46
供應商器件封裝 EP 7
2023-09-07 11:48:46
供應商器件封裝 RM 4
2023-09-07 11:48:42
供應商器件封裝 P 9 x 5
2023-09-07 11:48:23
供應商器件封裝 RM 8
2023-09-07 11:48:05
供應商器件封裝 RM 5
2023-09-07 11:47:00
供應商器件封裝 RM 6
2023-09-07 11:46:58
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:431202 
點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
產品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
森國科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運輸能力及低損耗的優點。
2023-07-26 17:34:13355 
電子發燒友網站提供《DMC4040SSD可降低MOSFET損耗 確?？煽?b class="flag-6" style="color: red">運行.pdf》資料免費下載
2023-07-25 16:07:11
0 /HEV 子系統中的馬達驅動器、EV 牽引變流器及 DC-DC 轉換器。憑借低 RDS(ON) 的特性，在需要高功率密度的產品應用中，此系列 MOSFET 能以較低的溫度運作。
2023-07-20 15:43:45374 元器件溫度預測在很多方面都有重要意義。一直以來，元器件溫度關系到可靠性，早期研究認為現場故障率與穩態元器件溫度相關。近來，基于物理學的可靠性預測將電子組件的故障率與工作周期（開機、關機又開機等）內的溫度變化幅度和溫度變化率關聯起來，而這兩個因素均受穩態工作溫度的影響。
2023-07-11 10:31:14659 
及產業化項目、研發中心建設及第三代半導體功率器件研發項目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發、設計、封裝測試、銷售為主的半導體企業，主要產品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
研發及產業化項目、研發中心建設及第三代半導體功率器件研發項目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發、設計、封裝測試、銷售為主的半導體企業，主要產品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
（VLSI）設備采用的設計方式有極大的不同，它仍然采用了與VLSI電路類似的半導體加工工藝。金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)從70年代的初級場效應晶體管發展而來。圖1描述了MOSFET的器件原理圖，傳輸特性和器件符號。雙極結型晶體管（BJT)自身的局限性驅動了功率
2023-06-17 14:24:52591 
PRISEMI芯導產品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 
Nexperia | 推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產品組合 基礎半導體器件領域的專家 Nexperia（安世半導體）推出了用于自動化安全氣囊應用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點，已經在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-26 09:52:42393 
在電力電容器運行過程中，溫度對電容器的影響非常大。如果電容器運行時溫度過高，不僅會影響電容器的使用壽命，還有可能造成嚴重的故障。那么在電力電容器運行時，電容器溫度多少才算正常呢？
2023-05-25 14:57:341923 Diodes 公司（Diodes） （Nasdaq：DIOD） 宣布推出同步降壓轉換器產品組合的新產品。AP62500和AP62800 的連續輸出電流額定值分別為5A 和8A，讓工程師在開發針對效率或尺寸進行優化的負載點（POL） 解決方案時，更具彈性。
2023-05-15 16:11:29556 TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點，已經在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-13 17:38:521981 
?內部層-平均50%的面積覆蓋 ?散熱過孔-在每個器件下，5×4散熱過孔的圖案為0.8mm內徑器件間距d=25mm ?每臺器件的功耗為0.5W 第四章指出單個Mosfet的位置對他們的運行溫度
2023-04-21 15:19:53
是最小的。 一般來說，主要的熱路徑是通過封裝漏極片，進入任何連接到這個連接的平面，這是本指南中要考慮的配置?！ ⊥ㄟ^對不同尺寸的“x”進行實驗設計，我們可以確定器件結溫度（Tj）隨銅面積的變化情況
2023-04-20 16:54:04
在有限的封 裝空間內，如何把芯片的耗散熱及時高效的釋放到外界環境中以降低芯片結溫及器件內部各封裝材料的工作溫度，已成 為當前功率器件封裝設計階段需要考慮的重要問題之一。本文聚焦于功率器件封裝結構
2023-04-18 09:53:235973 
場效應晶體管 (MOSFET) 的溫度特性進行了分析， 闡述了本征載流子濃度、 載流子遷移率等參 數受溫度的影響機理， 分析了器件阻斷特性、 輸出特性、 轉移特性等參量， 以便找到能夠表征結 溫特性
2023-04-15 10:03:061452 Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新產品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。
2023-04-13 16:30:16215 Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出 AP7387Q 低壓差 (LDO) 線性穩壓器。此裝置可提供 150mA 的最大輸出電流，具有 5V 至 60V 的寬廣輸入電壓
2023-04-11 17:45:591461 KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應用優化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39987 
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