榮湃半導體近日宣布推出其最新研發的Pai8265xx系列柵極驅動器，該系列驅動器基于電容隔離技術，集成了多種保護功能，專為驅動SiC、IGBT和MOSFET等功率管而設計。這款產品的推出，標志著榮湃半導體在功率半導體領域的技術創新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52
248 意法半導體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅動器，這些產品不僅在設計上追求穩健性和可靠性，還致力于提供高度的系統集成性和靈活性，以滿足不同應用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 
電荷耦合器件 (Charge Coupled Device,CCD）是一種半導體器件，它的基本單元是 MOS 電容器，器件中的所有基本單元電容器依次排列。
2024-02-20 17:30:20205 光耦合器、光分束器、光分波器的區別？ 光耦合器、光分束器和光分波器是光學器件中常用的三種器件，它們在光學通信、光學測量等領域具有重要的應用。盡管它們的名稱相似，但是它們的功能和工作原理有所區別。本文
2024-02-20 14:22:22186 光纖耦合器分單模和多模嗎 光纖分路器和光纖耦合器有何不同 光纖耦合器分單模和多模，具體來說，光纖耦合器是一種用于實現光纖之間的光信號耦合的光學元件。它可以將來自多個輸入光纖的光信號耦合到一個或多個
2024-02-20 14:11:06194 IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時間是什么關系？ IGBT是一種集成了晶體管和MOSFET技術的功率電子器件。它的主要功能是將低電平信號轉換為高電壓、高電流能力的輸出信號。在工業控制和電源
2024-02-20 11:00:57204 引言：EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產業鏈市場！EV中的電機控制系統、引擎控制系統、車身控制系統均需使用大量的半導體功率器件，它的普及為汽車功率半導體市場打開了增長的窗口。充電
2024-02-19 12:28:04191 
目前的光電耦合器產品包括：晶體管輸出光耦、光電繼電器、可控硅輸出光耦、高速光耦、達林頓、 IGBT驅動光耦等產品， 產品廣泛應用于智能家居、移動互聯、智能儀表、智能汽車、醫療設備
2024-01-30 17:39:01
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2024-01-30 17:29:18
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2024-01-30 15:34:58
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2024-01-30 15:30:38
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2024-01-29 18:07:22
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2024-01-29 17:16:02
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2024-01-29 17:09:04
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2024-01-29 16:24:57
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2024-01-29 14:53:06
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2024-01-29 14:41:33
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2024-01-29 14:35:47
光耦合器的工作模式 選購光耦合器注意事項? 光耦合器是一種將電信號轉換為光信號，或將光信號轉換為電信號的器件。它在光通信、光傳感、光電子設備等領域廣泛應用。光耦合器的工作模式有多種，并且在選購時有
2024-01-23 15:29:00131 IGBT驅動電路工作原理： IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種特殊的雙極晶體管，結合了MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和普通雙極晶體管的優點。它在高電壓和高電流應用中具有
2024-01-23 13:44:51674 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導體器件，結合了絕緣柵場效應晶體管（MOSFET）和雙極型晶體管（BJT）的特點。IGBT被廣泛應用于電力
2024-01-22 11:14:57269 由于IGBT高電壓、大電流和高頻特性，IGBT需要一個專門的驅動電路來控制其開通和關斷。本文將介紹IGBT驅動電路。 一、IGBT驅動電路的作用 IGBT驅動電路的主要作用是向IGBT提供適當的柵極
2024-01-17 13:56:55552 
IGBT是一種高性能功率半導體器件，常用于驅動大功率負載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和BJT（雙極型晶體管）兩個器件構成。它結合
2024-01-12 14:43:521672 本文深入探討了光耦合器的主要參數，并指導您選擇理想的高速光耦合器。
2024-01-05 16:07:49149 
耦合器是一種用于將電路中的信號進行耦合或解耦的器件。在電路中，耦合器通常用于將信號從一個電路傳輸到另一個電路，或者從一個電路中提取信號。它也可以用于將一路微波功率按比例分成幾路，實現功率分配。常見
2023-12-23 16:15:191123 報告內容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅動器功能
驅動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅動器進化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
、詳實、細致的比較分析。 一、基本概念 MOSFET和IGBT都是用于功率電子領域的半導體器件。它們的主要區別在于結構和工作原理。 MOSFET：MOSFET是一種由金屬氧化物絕緣體（MOS）構成的雙極性晶體管。它由源極、漏極和柵極組成。在MOSFET中，源極和漏極之間的電流由柵極的電壓控制
2023-12-15 15:25:35366 電子發燒友網站提供《高CMR、高速TTL兼容光電耦合器應用介紹.pdf》資料免費下載
2023-12-14 10:46:46
0 一、產品介紹 基于國內外新能源行業發展態勢，半導體應用市場持續擴大；對于新能源充電樁、光伏SVG行業，IGBT/SiC MOSFET的應用廣泛，而驅動電源作為專為IGBT/SiC MOSFET驅動
2023-12-13 16:36:19131 
圣邦微電子推出 SGM48541/2/3/4/5 系列，一款耐受 -10V 輸入電壓的單通道高速低側柵極驅動器。 該系列器件被廣泛應用于 DC/DC 轉換器、太陽能和電機驅動器中的功率 MOSFET
2023-12-13 10:10:01271 的應用。目前它已成為種類最多、用途最廣的光電器件之一。
（二）光耦合器一般由三部分組成：光的發射、光的接收及信號放大。輸入的電信號驅動發光二極管（LED），使之發出一定波長的光，被光探測器接收而產生
2023-12-12 19:41:38
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 基于國內外新能源行業發展態勢，半導體應用市場持續擴大；對于新能源充電樁、光伏SVG行業，IGBT/SiC MOSFET的應用廣泛，而驅動電源作為專為IGBT/SiC MOSFET驅動器提供驅動能力的來源，市場潛力巨大。
2023-12-01 09:47:42211 
IGBT柵極驅動設計，關鍵元件該怎么選？
2023-11-30 18:02:38294 
20dB、±1.0dB標稱耦合（相較于輸出）和±0.5的頻率敏感度。195020定向耦合器的插入損耗（包括耦合功率）低于1.5dB，方向性超過10dB，最高VSWR（任意端口）為1.80，額定輸入功率
2023-11-30 11:17:44
MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。
2023-11-24 15:51:59682 
深度剖析 IGBT 柵極驅動注意事項
2023-11-24 14:48:25217 
電子發燒友網站提供《現代IGBT/MOSFET柵極驅動器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:48:150 在電力電子領域，為了最大限度地降低開關損耗，通常希望開關時間短。然而快速開關同時隱藏了高壓瞬變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，必須設計更高性能的開關驅動系統 。 目前，寬帶隙半導體
2023-11-17 18:45:01326 
本應用報告旨在展示一種為高速開關應用設計的高性能柵極驅動電路 應用非常重要。這是一個內容詳實的主題集，可為您提供解決最常見設計難題的“一站式服務”。因此，它可為具有不同經驗的電子產品工程師提供強大
2023-11-17 16:56:163 定向耦合器的耦合度和耦合損耗之間存在一定的關系。耦合度是指定向耦合器中從一個輸入端口到另一個輸出端口的能量傳輸比例，通常以分貝（dB）為單位表示。耦合損耗是指在能量傳輸過程中由于耦合器的結構和材料等因素引起的能量損失，通常以分貝（dB）為單位表示。
2023-10-27 11:14:54401 MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 igbt的柵極驅動條件 igbt的柵極驅動條件對其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關器件，常用于高功率電子應用中。IGBT是一種三極管，由一個PN結組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622
l 華潤微
成立時間：1997年
業務模式：IDM
簡介：中國最大的功率器件企業之一，主要產品包括以MOSFET、IGBT 為代表的功率半導體產品和以光電傳感器、煙報傳感器、MEMS 傳感器為主
2023-10-16 11:00:14
點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 光耦也叫光電耦合器，是以光為媒介傳輸電信號的一種電-光-電轉換器件。光耦由發光源和受光器兩部分組成，密閉于同一殼體內，彼此用透明絕緣體隔離。 東芝擴展了智能柵極
2023-09-28 17:40:02526 
光耦合器：
光耦合器、光電耦合器或光隔離器是一種利用光在兩個隔離電路之間傳輸電信號的元件。光隔離器可防止高電壓影響接收信號的系統。光耦合器有四種常見類型，每種類型都具有紅外 LED 光源，但具有不同的光敏器件。這四種光耦合器分別稱為：光電晶體管、光電達林頓、光電SCR 和光電雙向可控硅，如下所示。
2023-09-25 15:31:23817 
電子發燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 2023 年 9 月 6 日，中國 ——意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅動器，新產品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。
2023-09-07 10:12:13183 和低壓功率MOSFET與 IGBT ? 定制的電源模塊? 二極管和晶閘管 ? 保護器件和濾波器? AC-DC轉換器和控制器 ? DC/DC轉換器 ? 線性電壓穩壓器 ? 模擬集成電路 ? 電池管理IC ? 數字控制器? STM32微控制器 ? MOSFET和IGBT柵極驅動器 非常好的資料
2023-09-07 07:36:32
用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD，采用意法半導體新型6kV電流隔離技術，以及SO-36W寬體封裝。瞬態抗擾度為±100V/ns，可防止電噪音工作條件
2023-09-05 06:59:59
。在IGBT中，P型區和N型區被分別放置在一個PNPN結構中，然后通過MOSFET的柵極進行控制。MOSFET是由金屬氧化物半導體場效應管構成的，MOSFET的柵極由氧化物隔離。 2. 開關速度 MOSFET的開關速
2023-08-25 14:50:013217 定向耦合器是射頻電路設計中常用的一種射頻無源器件，它將線路中傳輸的射頻功率耦合到另一個線路里。定向耦合器的基本特征是它只將信號耦合到指定的方向。
2023-08-23 14:05:091818 
MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性能的柵極驅動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統級考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
耦合器是利用微波傳輸中的耦合原理對主線路信號 進行采樣，高隔離度，高定向性，低插損等優勢的 電性能使其能滿足耦合檢測及末級放大器耦合等應 用的嚴格要求。
產品特點：
?采用半導體工藝技術生產，圖形
2023-08-03 10:47:41
新品6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅動器評估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路，用兩個柵極驅動IC1ED3142MU12F來驅動IGBT
2023-07-31 17:55:56430 
近年來薩科微半導體發展神速，在掌握第三代半導體碳化硅功率器件技術的基礎上，薩科微slkor投入大量精力和資金，推出了IGBT和電源管理芯片等系列高端產品。薩科微副總經理賀俊駒介紹，在功率器件應用市場
2023-07-31 11:14:43404 
介紹
在設計電源開關系統（例如電機驅動器或電源）時，設計人員必須做出重要決定。什么電機或變壓器符合系統要求？什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機或變壓器？以及哪種柵極驅動器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 則兩全其美，可實現在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特
2023-07-18 19:05:01462 
寬供電電壓、雙通道、高速、低測柵極驅動器，包括功率MOSFET，IGBT。單個通道能夠提供高達4A拉電流和4A灌電流的軌到軌驅
2023-07-18 09:01:27330 
IGBT/功率MOSFET的結構使得柵極形成一個非線性電容。給柵極電容充電會使功率器件導通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動，而放電則會使器件關斷，漏極和源極引腳上就可以阻斷大電壓。
2023-07-14 14:54:071579 
聚焦高性能模擬芯片和嵌入式處理器的半導體設計公司——思瑞浦3PEAK（股票代碼：688536）推出CMTI ±150kV/μs隔離柵極驅動——TPM2351x系列, 因其突出的產品優勢，可廣泛應用于IGBT、SiC MOSFET等功率器件的驅動中。
2023-07-14 10:52:54453 
PT5619 在 同一顆芯片中同時集成了三個 90V 半橋柵極驅動器 ，特別適合于 三相電機應用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅動 。
2023-07-11 16:12:24434 
TF2136M是一種三相柵極驅動器IC，設計用于高壓、高速應用，驅動半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓工藝使TF2136M高側能夠在引導操作中切
2023-07-04 10:46:50
TF2011M是一種高壓、高速的柵極驅動器，能夠在半橋式配置中驅動n-通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓過程使TF2011的高側能夠
2023-06-29 10:58:25
TF21064M是一種高壓、高速柵極驅動器，能夠在半橋配置中驅動n通道MOSFET和IGBT。TF半導體的高壓過程使TF21064M的高側能夠在引導操作中切換到600V
2023-06-29 10:14:02
TF21814是一種高壓、高速的柵極驅動器，能夠在半橋式配置中驅動n-通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓過程使TF2181M的高側在
2023-06-29 09:10:24
TFB0527是一個半橋式柵極驅動器，內部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅動n通道mosfet和igbt。TF半導體的先進工藝，使浮動高側驅動器操作到100V的引導
2023-06-28 17:08:12
TFB0504是一個半橋式柵極驅動器，內部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅動n通道mosfet和igbt。TF半導體的先進工藝，使浮動高側驅動器操作到100V的引導
2023-06-27 17:01:42
TF2003M是一種高壓、高速的柵極驅動器，能夠在半橋式配置中驅動n-通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓過程使TF2003M高側切換到250V的引導操作
2023-06-27 16:35:30
為滿足汽車市場對產品可靠性和安全性的需求，數明半導體近期推出車規級高壓、高速MOSFET/IGBT驅動芯片SiLM21814-AQ，該產品通過AEC-Q100認證。600V,2.5A/3.5A的高低
2023-06-27 14:56:17510 TF21844M是一種高壓、高速柵極驅動器，能夠在半橋配置中驅動n通道MOSFET和IGBT。TF半導體的高壓過程使TF21844M的高側能夠在引導操作中切換到600V
2023-06-26 15:00:48
TF2103M是一種高壓、高速的柵極驅動器，能夠在半橋式配置中驅動n-通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓過程使TF2103M高側切換到600V的引導操作
2023-06-25 16:39:30
TF2184是一種高壓、高速柵極驅動器，能夠在半橋配置中驅動n通道MOSFET和igbt。TF半導體的高壓過程使TF2184的高側能夠在引導
2023-06-25 16:25:20
點擊藍字?關注我們 SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC
2023-06-25 14:35:02377 
點擊藍字?關注我們 IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發射極。就柵極驅動而言，該器件
2023-06-21 19:15:01398 
定向耦合器您聽說過嗎?什么是定向耦合器?這是目前咨詢比較多的一個問題，為了幫助大家更好的選擇，科蘭通訊小編為大家介紹一下定向耦合器。 什么是定向耦合器? 定向耦合器是微波系統中應用廣泛的一種微波器件
2023-06-16 09:52:47695 
和更快的切換速度與傳統的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅動在設計過程中必須仔細考慮需求。本應用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅動IC時的關鍵參數。
2023-06-16 06:04:07
在單個器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡單柵極驅動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結合。IGBT用于中到大功率應用，如開關電源、牽引電機控制
2023-06-14 20:15:012111 
電源是電子設備的基礎，其中的柵極驅動器是穩定提供設備電源的關鍵。柵極驅動器是一種功率放大器，它接受來自控制器芯片的低功率輸入，并為高功率晶體管（例如IGBT或功率MOSFET）的柵極產生高電流驅動
2023-06-08 14:03:09362 一路微波功率按比例分成幾路，這就是功率分配問題。實現這一功能的元件稱為功率分配元器件即耦合器，主要包括: 定向耦合器、功率分配器以及各種微波分支器件。這些元器件一般都是線性多端口互易網絡。在機械中，將驅動設備和被
2023-06-05 11:39:46354 
本參考設計采用 Flybuck 變換器為 IGBT 柵極驅動器提供正負電壓軌。Flybuck 變換器可等效于降壓變換器和類似反激變換器二次側的組合，采用同步 Buck 芯片實現電路控制，并使用變壓器
2023-05-25 09:40:533958 
半導體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關器件，具有開關速度快、易于驅動、損耗低等優勢。IGBT全稱是絕緣柵極
2023-05-18 09:51:583446 
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
芯洲的SCT51240是一款寬供電電壓、單通道、高速、低測柵極驅動器，適用于功率MOSFET，IGBT和寬禁帶器件，例如氮化鎵功率器件等驅動。 提供高達4A驅動拉電流和灌電流，并實現軌到軌輸出
2023-05-05 09:00:14209 輸出光電耦合器的最基
本電路。在該電路中由于輸出元件的功率MOSFET是電壓驅動型元件，因此利用光電二極管陣列(P.D.A)所供給的電壓使柵極容
量充電，致使柵極電壓上升至接通電壓（閾值），從而使MOSFET輸出光電耦合器動作。
2023-04-26 11:06:352 您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅動器，但我們遇到了設備故障和損壞高側 MOSFET 柵極驅動器的問題。首先，是否有任何關于正確設置柵極驅動器輸出的應用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
，工程師們需要選用合適的柵極驅動器，提高UPS的轉換效率和響應速度，以滿足不斷增長的UPS市場需求。高速低側柵極驅動器是一種電路，用于控制半導體開關（例如MOSFET或IGBT）的導通和斷開，從而實現對電路的控制和調節。正確選擇高速低側柵極驅動器
2023-04-11 12:39:14279 
基極電，使IGBT關斷。 由圖2可知，若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通; 若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。
2023-04-08 09:36:261454 本文介紹了光耦合器反饋驅動技術
2023-04-07 15:23:59797 
前面我們也聊到過IGBT的柵極驅動設計，雖然今天聊的可能有些重復，但是感覺人到中年，最討厭的就是記憶力不夠用，就當回顧和加重記憶吧。
2023-04-06 17:38:291595 
半導體器件是現代電力電子系統的核心。這些系統利用許多門控半導體器件，如普通晶體管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作為開關模式電源（SMPS）、通用電源（UPS）和電機驅動器中的開關元件。電力電子的現代技術發展通常跟隨功率半導體器件的發展。
2023-04-04 10:23:45546 薩科微slkor半導體技術總監、清華大學李健雄介紹說，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型晶體管)和 MOSFET
2023-04-03 16:29:25521 
光耦合器用于各種應用，包括光通信（如光纖）和存儲設備。該技術已經存在了30年，并且隨著數碼相機和其他電子元件的出現而得到更廣泛的應用。光耦合器是半導體二極管器件的一個例子，主要由光耦合器和LED組成。
2023-03-31 17:28:28998 電機用于電梯、食品加工設備、工廠自動化、機器人、起重機……這樣的例子不勝枚舉。交流感應電機在這種應用中很常見，且總是通過用于電源級的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）來實現驅動。典型的總線電壓為200 VDC至1,000 VDC。IGBT采用電子換向，以實現交流感應電機所需的正弦電流。
2023-03-31 09:40:45369 帶 IGBT 柵極驅動器的光耦合器
2023-03-24 15:09:07
IGBT模塊作為汽車電驅系統最常昂貴的開關元件。IGBT同時具有功率MOSFET導通功率小及開關速度快的性能，以及雙極型晶體管飽和壓降低（導通電阻小）高電壓和大電流處理能力的半導體元件
2023-03-23 16:01:54
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