半導(dǎo)體放電管TSS：原理及在電子領(lǐng)域的應(yīng)用？|深圳比創(chuàng)達(dá)電子EMC半導(dǎo)體放電管TSS是一種高壓、高速、低電流的電子元件，廣泛用于電力電子、通訊、光電子等領(lǐng)域。本文將從TSS的定義、工作原理、應(yīng)用場(chǎng)
2024-03-06 10:07:51
可以用于控制光通訊設(shè)備的輸出功率和波長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸；2、射頻開關(guān)TSS可用于射頻開關(guān)中，用于控制高頻信號(hào)的開關(guān)和調(diào)制，實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大和捕獲。五、半導(dǎo)體放電管TSS的優(yōu)勢(shì)和發(fā)展趨勢(shì)TSS具有響應(yīng)速度
2024-03-06 10:03:11
ART1K6FHG功率LDMOS晶體管 這款 1600 W LDMOS RF 功率晶體管基于先進(jìn)耐用技術(shù) (ART)，旨在涵蓋 ISM、廣播和通信的廣泛應(yīng)用。不匹配的晶體管的頻率范圍為 1
2024-02-29 20:57:46
BLF888B,112Ampleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，0.47 至 0.86 GHz，650 W，20 dB，50 V，LDMOS，SOT-539A零件號(hào)： BLF888B
2024-02-29 16:14:13
BLP15H9S30GXYAmpleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，0.001 至 1.5 GHz，30 W，21 dB，50 V，SOT1483-1，LDMOS零件號(hào)：
2024-02-29 16:13:32
ART150PEGXYAmpleon 的 RF 功率晶體管RF功率晶體管，0.001至0.65 GHz，150 W，31.2 dB，65 V，LDMOSMMFEB21PP6-預(yù)分
2024-02-29 14:46:47
C4H27W400AVYAmpleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，2.3 至 2.69 GHz，400 W，15 dB，48 V，SOT1275-1
2024-02-29 14:00:41
BLP9G0722-20G 功率LDMOS晶體管20 W 塑料 LDMOS 功率晶體管，適用于頻率為 100 MHz 至 2700 MHz 的基站應(yīng)用。BLP9G0722-20G
2024-02-29 13:46:41
？
再者在場(chǎng)效應(yīng)管這種單極性導(dǎo)電半導(dǎo)體中，為什么只是有一種離子導(dǎo)電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導(dǎo)電，請(qǐng)問這是為什么？同樣對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管也有上面的問題？
2024-02-21 21:39:24
雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT），也被稱為半導(dǎo)體三極管或三極管，是一種具有三個(gè)終端的電子器件。它由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體組成，這三部分分別是發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。這種晶體管的工作方式涉及電子和空穴兩種載流子的流動(dòng)，因此被稱為雙極性的。
2024-02-19 15:15:05
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是，最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場(chǎng)效應(yīng)管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場(chǎng)效應(yīng)管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請(qǐng)問對(duì)于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí)，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請(qǐng)問這個(gè)單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
相比較，GaN具有更加優(yōu)異的性能；包含更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)；更高的飽和電子漂移效率和更高的導(dǎo)熱系數(shù)。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
三極管功率會(huì)先上升后下降，因?yàn)殡妷航翟谙陆刀娏髟谏仙?b class="flag-6" style="color: red">功率最大點(diǎn)在中間位置。
3、當(dāng)基射極電流增大到一定水平，集射極電壓降低到不能再降的程度時(shí)，晶體管進(jìn)入飽和，此時(shí)無論基射極電流如何增大，集射極電流也
2024-01-18 16:34:45
半導(dǎo)體工藝的歷史可以追溯到20世紀(jì)40年代末至50年代初，當(dāng)時(shí)的科學(xué)家們開始使用鍺（Ge）和硅（Si）這類半導(dǎo)體材料來制造晶體管。1947年，貝爾實(shí)驗(yàn)室的威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特·布拉頓發(fā)明
2024-01-15 14:02:37202 IGBT）是一種半導(dǎo)體器件，它將MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）的優(yōu)點(diǎn)集于一身，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高電流密度等優(yōu)點(diǎn)。IGBT廣泛應(yīng)用于電力電子、軌道交通
2024-01-03 15:14:22268 
事通訊設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％）：70額定電壓(V)：27類型：封裝分立晶體管封裝類別：法蘭盤、丸狀技術(shù)應(yīng)用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
100米UHF發(fā)射電路圖進(jìn)行詳細(xì)的介紹。 首先，我們需要了解UHF頻段。UHF（Ultra High Frequency）超高頻，是指頻率在300MHz-3GHz之間的無線電波。UHF頻段具有傳輸距離遠(yuǎn)、抗干擾能力強(qiáng)、繞射能力好等特點(diǎn)，因此在無線通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。
2023-12-30 11:32:00480 
晶體管是一種半導(dǎo)體器件，用于放大電信號(hào)、開關(guān)電路和邏輯運(yùn)算等。它是現(xiàn)代電子技術(shù)和計(jì)算機(jī)科學(xué)的核心之一。在晶體管中，有三個(gè)電極：基極、發(fā)射極和集電極。這三個(gè)電極的電壓之間的關(guān)系對(duì)于理解晶體管的工作原理
2023-12-20 14:50:491193 。超高頻RFID讀寫器其實(shí)是一種智能化的無線射頻識(shí)別設(shè)備，它可以一次性讀取多個(gè)標(biāo)簽、識(shí)別距離遠(yuǎn)、傳送數(shù)據(jù)速度快，可靠性高和壽命長(zhǎng)、耐受戶外惡劣環(huán)境等特點(diǎn)，應(yīng)用領(lǐng)域越
2023-12-13 16:32:44332 
【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
該陪審員同意了普度的意見，即電動(dòng)汽車用充電器及其他產(chǎn)品使用的碳化物金屬氧化物半導(dǎo)體電場(chǎng)效果晶體管（mosfet）侵害了高電壓電源應(yīng)用（high power power application）使用的晶體管的專利。
2023-12-06 13:55:23420 ，如功率二極管、功率晶體管、功率MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等。它們主要在電源、變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等功率電子領(lǐng)域中使用。 集成電路是將大量電子器件（如晶體管、電阻、電容等）集成在單個(gè)芯片上，形成一個(gè)完整的
2023-12-04 17:00:57682 [半導(dǎo)體前端工藝：第一篇] 計(jì)算機(jī)、晶體管的問世與半導(dǎo)體
2023-11-29 16:24:59193 
功率半導(dǎo)體有多種類型，我們可以使用它們的應(yīng)用甚至更多。基本上，所有功率半導(dǎo)體器件都可以分為三類：二極管、晶閘管和晶體管。
2023-11-27 13:24:26239 來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
RFID技術(shù)在安全門禁領(lǐng)域的應(yīng)用已經(jīng)十分成熟，根據(jù)不同的應(yīng)用場(chǎng)景，可以將其細(xì)分為不同的設(shè)備，目前超高頻RFID在安全門禁中主要有會(huì)議通道、智能門禁、隱形門禁、安全通道這幾種。 RFID超高頻門禁類型
2023-11-17 10:58:48257 據(jù)悉，匯芯半導(dǎo)體成立于2020年，是一家專注于功率芯片及模塊開發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)，其主要產(chǎn)品包括高壓集成電路（HVIC）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（PowerMOS）、微控制單元（MCU）、傳感器（Sensor）及其集成化。
2023-11-09 14:41:48470 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《超高頻RFID讀寫器部分電路設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-07 15:11:23
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一種超高頻RFID讀寫器的軟件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-06 16:07:531 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《超高頻RFID無源讀寫器的硬件設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-06 10:15:072 有熟悉超高頻電磁加熱電路的工程師嗎？振蕩頻率為18MHz，請(qǐng)聯(lián)系我。
2023-10-18 17:29:31
根據(jù)專利摘要，該公開是關(guān)于半導(dǎo)體元件及其制造方法的。半導(dǎo)體器件包括電裝效應(yīng)晶體管。電場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導(dǎo)體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導(dǎo)體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417 
請(qǐng)問有熟悉18MHz超高頻電磁感應(yīng)加熱電路的嗎？
2023-10-10 15:25:59
專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
電源設(shè)計(jì)者只要熟悉雙極型晶體管的設(shè)計(jì)，掌握關(guān)于MOSFET管特性的基本信息，就可以很快學(xué)會(huì)使用MOSFET管進(jìn)行電路設(shè)計(jì)。對(duì)電路設(shè)計(jì)者來說,決定MOSFET管特性的制造材料和固態(tài)物理結(jié)構(gòu)并不太重要,這里
2023-09-28 06:33:09
晶體管是通常用于放大器或電控開關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。
2023-09-27 10:59:402306 
介紹：
晶體管是一種用于放大或切換電子信號(hào)和電力的半導(dǎo)體器件。它是一種三端口半導(dǎo)體器件，這些引腳分別標(biāo)記為集電極（C）、基極（B）和發(fā)射極（E）。現(xiàn)在，我將展示如何使用萬用表檢查晶體管。
2023-09-21 13:48:18832 
2023 年 9 月 11 日，中國(guó) – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01190 免費(fèi)開放，點(diǎn)擊文末“閱讀原文”可獲取電子參觀證。 RFID的采用在衣物的識(shí)別與管理發(fā)揮重要的作用，采用超高頻RFID技術(shù)
2023-09-13 11:45:02284 
意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 2023 年 9 月 6 日，中國(guó) ——意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對(duì)寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護(hù)的更高要求。
2023-09-07 10:12:13183 深圳觸覺智能研發(fā)的PX30核心板應(yīng)用于智能檔案柜，可采用先進(jìn)的超高頻RFID（無線射頻識(shí)別即射頻識(shí)別技術(shù)），以RFID電子標(biāo)簽作為信息存儲(chǔ)媒介并粘貼在檔案袋上，在RFID電子標(biāo)簽中存儲(chǔ)該檔案
2023-09-07 08:35:15342 
絕緣柵雙極晶體管也簡(jiǎn)稱為IGBT ，是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導(dǎo)體開關(guān)器件。
2023-09-06 15:12:291490 
復(fù)旦微電子單口模塊是一款高性能的嵌入式UHF超高頻電子標(biāo)簽讀寫模塊，完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)設(shè)計(jì)，結(jié)合專有的高效碰撞處理算法，在保持高識(shí)讀率的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)對(duì)電子標(biāo)簽的快速讀寫處理，可廣泛應(yīng)用于物流、個(gè)人身份識(shí)別、會(huì)議簽到系統(tǒng)、門禁系統(tǒng)、防偽系統(tǒng)及生產(chǎn)過程控制等多種無線射頻識(shí)別（RFID）系統(tǒng)。
2023-08-30 17:39:37346 
晶體管是一種半導(dǎo)體元器件，它由三個(gè)層疊在一起的材料構(gòu)成，分別是 P 型半導(dǎo)體、N 型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體。其中 NPN 和 PNP 型晶體管是最常用的兩種。晶體管有三個(gè)電極，分別是基極、發(fā)射極和集電極。
2023-08-25 17:17:47651 晶閘管和晶體管區(qū)別是什么？ 晶閘管和晶體管都屬于半導(dǎo)體器件的范疇，它們的出現(xiàn)都徹底改變了電子行業(yè)的發(fā)展。但是，晶閘管和晶體管之間存在著一些關(guān)鍵的區(qū)別，這些區(qū)別在分析它們的工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用等方面
2023-08-25 15:47:411278 晶體管的工作原理介紹? 晶體管是一種電子器件，它是現(xiàn)代電子設(shè)備的基礎(chǔ)，如計(jì)算機(jī)、手機(jī)、電視等。晶體管是一個(gè)半導(dǎo)體器件，它可以放大或開關(guān)電流信號(hào)。晶體管的工作原理是由三個(gè)不同類型的材料組成：N型半導(dǎo)體
2023-08-25 15:35:141791 晶體管和芯片的關(guān)系介紹 晶體管和芯片是現(xiàn)代電子技術(shù)中最重要的兩個(gè)概念，二者有密不可分的關(guān)系。晶體管是一種半導(dǎo)體材料制造的電子器件，而芯片則是晶體管等電子器件及相關(guān)電路的集成體。 一、晶體管 晶體管
2023-08-25 15:29:372440 晶體管和芯片的關(guān)系是什么？ 晶體管和芯片是相互關(guān)聯(lián)的兩個(gè)概念，晶體管是芯片的核心組成部分之一。 晶體管是一種能夠控制電流的電子器件，由美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的William Shockley、John
2023-08-25 15:21:051513 、胸腔晶體管、雙極交接晶體管、金屬-氧化半導(dǎo)體外效晶體管和隔熱雙極晶體管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在電子應(yīng)用中,二極管發(fā)揮簡(jiǎn)單的開關(guān)功能,只允許電流向一個(gè)方向流動(dòng),電極二極管擁有更大的動(dòng)力、電壓和當(dāng)前處理能力,在電
2023-08-15 17:17:32699 
的制造商生產(chǎn)半導(dǎo)體（晶體管是該設(shè)備家族的成員），因此有數(shù)千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管及其應(yīng)用。
2023-08-02 12:27:481044 
的制造商生產(chǎn)半導(dǎo)體（晶體管是該設(shè)備家族的成員），因此有數(shù)千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管
2023-08-02 12:26:53
MRF300AN/MRF300BN射頻功率LDMOS晶體管規(guī)格書，這些設(shè)備被設(shè)計(jì)用于HF和VHF通信，工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療（ISM）以及廣播和航空航天應(yīng)用程序。這些設(shè)備非常堅(jiān)固，表現(xiàn)出高性能高達(dá)250MHz。
2023-07-28 17:45:470 這款UHF寬帶放大器（超高頻放大器）在10 – 15 MHz域頻率下的總增益為400至850 dB，因此可用于電視信號(hào)較弱的地方。
2023-07-26 15:42:231525 
功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
MRF427 NPN硅射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:27:530 MRF428射頻功率晶體管規(guī)格書。主要設(shè)計(jì)用于高電壓應(yīng)用，作為2.0至30 MHz的高功率線性放大器。適用于船舶和基站設(shè)備。·規(guī)定的50伏、30 MHz特性-輸出功率=150 W（PEP）最小增益=13 db效率=45%·150 W時(shí)的互調(diào)失真
2023-07-24 14:26:520 MRF422射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:24:070 這款UHF變送器專為低功率應(yīng)用而設(shè)計(jì)，可作為車庫門和操作系統(tǒng)的遙控器、無線報(bào)警。這款UHFFM發(fā)射器只有一個(gè)晶體管，其工作頻率保留給低功率電波信號(hào)。
2023-07-23 17:15:561028 產(chǎn)品發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為梳狀結(jié)構(gòu)。晶體管版圖中發(fā)射區(qū)半寬度選擇為30μm。
2023-07-05 11:23:34360 
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
本文介紹如何使用ADI信號(hào)鏈進(jìn)行超高頻(UHF)局部放電在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的RF前端設(shè)計(jì)。該前端靈敏度低，動(dòng)態(tài)范圍高，可以滿足中國(guó)國(guó)家電網(wǎng)企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)Q/GDW11059.8-2013"電氣設(shè)備通電試驗(yàn)裝置技術(shù)規(guī)范第8部分：超高頻局部放電檢測(cè)器的技術(shù)規(guī)范"的要求，并且提供不錯(cuò)的裕量。
2023-06-15 16:28:01704 
和設(shè)計(jì)師的首選。本文將深入探討RX65T125HS1B功率晶體管的工作原理，并介紹其在不同應(yīng)用領(lǐng)域中的突出應(yīng)用。 一、RX65T125HS1B功率晶體管的工作原理 功率晶體管簡(jiǎn)介： 功率晶體管是一種用于控制和放大電力信號(hào)的半導(dǎo)體器件。與傳統(tǒng)的小信號(hào)晶體管相比
2023-06-12 16:48:161016 器件的大規(guī)模集成化、大功率小型化、高效率低損耗、超高頻的發(fā)展而引發(fā)的電路發(fā)熱也迅速提高，電子封裝對(duì)基板材料的要求有：熱導(dǎo)率高、介電常數(shù)低、與芯片材料的熱膨脹系數(shù)相匹配、力學(xué)強(qiáng)度優(yōu)良、加工性能好、成本低、耐熱沖擊和冷熱循環(huán)等。
2023-06-09 15:49:241816 
晶體管是什么控制型器件 晶體管屬于電流控制電流控制型器件。 晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件（包括二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管等，有時(shí)特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種
2023-05-30 15:32:362177 我正在尋找摩托羅拉收音機(jī) VHF 射頻末級(jí)中使用的這些舊射頻晶體管的數(shù)據(jù)表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
Nexperia | 為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動(dòng)功率LED？
2023-05-24 12:15:48341 
柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。
2023-05-20 15:19:12583 
防爆三防工業(yè)平板 超高頻 激光掃描頭Model:P1000功能 IP67 MTK6771 GGB+128GB 21MPCamera 8500mAH可拆卸 Androld10 NFC系統(tǒng)
2023-05-19 14:56:17
雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor，簡(jiǎn)稱BJT)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電子和空穴的雙極性導(dǎo)電性質(zhì)的三極管。與場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比，雙極型晶體管的控制電流較大，但具有高電流放大系數(shù)和高頻特性等優(yōu)點(diǎn)。
2023-05-17 15:23:134370 光電晶體管是基極端子暴露的晶體管，來自撞擊光的光子不會(huì)向基極發(fā)送電流，而是激活晶體管。這是因?yàn)楣怆?b class="flag-6" style="color: red">晶體管由雙極半導(dǎo)體制成，并集中在通過它的能量上。
2023-05-16 15:59:06286 
迅遠(yuǎn)P6300超高頻RFID三防平板電腦，采用防水、防塵、防跌落設(shè)計(jì)，并搭載了先進(jìn)的超高頻RFID射頻模塊，讀寫距離可達(dá)0~7米。
2023-05-12 11:04:23284 差分放大電路輸入共模信號(hào)時(shí)
為什么說RE對(duì)每個(gè)晶體管的共模信號(hào)有2RE的負(fù)反饋效果
這里說的每個(gè)晶體管的共模信號(hào)是指什么信號(hào) 是指輸入信號(hào) 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負(fù)的反饋
2023-04-25 16:15:31
為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動(dòng)功率LED？
2023-04-24 09:09:55413 
我在 AWR 中模擬 LDMOS MRFE6VS25N 時(shí)遇到問題。我使用 12 和 13 版本 64 位，但模型只有 32 位。我如何使用我的 AWR 軟件模擬這個(gè)晶體管？
2023-04-23 09:07:17
）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MetalOxideSemiconductor，MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432097 
M2216模塊是基于IMPINJ 第二代射頻芯片R2000設(shè)計(jì)的十六通道超高頻讀寫模塊，專為高挑戰(zhàn)性RFID應(yīng)用環(huán)境而設(shè)計(jì)的高性能讀寫模塊。
2023-04-17 14:57:31345 一個(gè)傳統(tǒng)的宏蜂窩包含覆蓋配置中多個(gè)小蜂窩(或準(zhǔn)宏蜂窩)。在該方案中，宏蜂窩使用現(xiàn)有系統(tǒng)所采用的超高頻(UHF)頻帶(0.3～3 GHz)，而覆蓋小小區(qū)使用更高的頻帶，即低超高頻(SHF)頻帶(3～6 GHz)、高SHF頻帶(6～30 GHz)和甚高頻(EHF)頻帶(30～300 GHz)。
2023-04-08 10:04:37635 有沒有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請(qǐng)賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
DU2860U 射頻功率 MOSFET 晶體管 60W，2-175MHz，28V 射頻功率 MOSFET 晶體管 60W，2-175MHz，28V
2023-03-31 10:37:00
DU2840S 射頻功率 MOSFET 晶體管 40W，2-175MHz，28V 射頻功率 MOSFET 晶體管
2023-03-30 18:07:32
半導(dǎo)體分立器件是由單個(gè)半導(dǎo)體晶體管構(gòu)成的具有獨(dú)立、完整功能的器件。例如：二極管、三極管、雙極型功率晶體管(GTR)、晶閘管(可控硅)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、MOSFET)、IGBT
2023-03-29 16:59:37404 
半導(dǎo)體分立器件是由單個(gè)半導(dǎo)體晶體管構(gòu)成的具有獨(dú)立、完整功能的器件。例如：二極管、三極管、雙極型功率晶體管(GTR)、晶閘管(可控硅)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、MOSFET)、IGBT
2023-03-28 13:10:04457 超高頻晶體管陣列 SOIC14_150MIL 12V 8GHz
2023-03-28 13:04:45
超高頻晶體管陣列 SOIC14_150MIL 12V 8GHz
2023-03-28 13:04:45
我在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)犯了一個(gè)錯(cuò)誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了。“正常”方式是有 1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個(gè)晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號(hào)與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個(gè)。
2023-03-28 06:37:56
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