石墨烯原材料選擇、制備及應用

　　前言

　　2004 年，Manchester大學的Geim小組首次用機械剝離法獲得了單層或薄層的新型二維原子晶體—石墨烯。石墨烯的發現， 充實了碳材料家族，形成了從零維的富勒烯、一維的CNTs、二維的石墨烯到三維的金剛石和石墨的完整體系。 石墨烯是目前所發現的最薄的二維材料。 可以翹曲變成零維的富勒烯，卷曲形成一維的CNTs［4-5］或者堆垛成三維的石墨，這種特殊結構蘊含了豐富而奇特的物理現象， 使石墨烯表現出許多優異的物理化學性質，具有很多奇異的電子及機械性能。決定了其具有廣泛的用途。本文參考以往的研究成果，主要介紹了石墨的提純、制備石墨烯原料選擇、石墨烯的制備方法以及石墨烯的應用等幾個方面。

　　第一章 石墨提純

　　天然產出的石墨很少是純凈的，常含有10%～ 20%的雜質，包括SiO2、Al2O3、MgO、CaO、P2O5、CuO、V2O5、H2O、S、FeO以及H、N、CO2、CH4、NH3等。石墨礦物呈鐵黑、鋼灰色，條痕光亮黑色;金屬光澤，隱晶集合體光澤暗淡，不透明;質軟，密度為2.09～ 2.23g/cm 3。目前國內外石墨提純的各種方法，主要有浮選法、堿酸法、氫氟酸法、氯化焙燒法和高溫提純法，每種方法各有優缺點。

　　1.1 浮選法

　　浮選法是一種比較常用的提純礦物的方法，由于石墨表面不易被水浸潤，因此具有良好的可浮性，容易使其與雜質礦物分離，在中國基本上都是采用浮選方法對石墨進行選礦。石墨原礦的浮選一般先使用正浮選法，然后再對正浮選精礦進行反浮選。采用浮選法就能得到品位較高的石墨精礦。浮選石墨精礦品位通常可達80%～90%，采用多段磨選，純度可達98%左右。使用浮選法提純的石墨精礦，品位只能達到一定的范圍，因為部分雜質呈極細粒狀浸染在石墨鱗片中，即使細磨也不能完全單體解離，所以采用物理選礦方法難以徹底除去這部分雜質，一般只作為石墨提純的第一步，進一步提純石墨的方法通常有化學法或高溫法。

　　實例：

　　（1）山東南墅石墨礦。該礦位于山東省萊西縣，生產鱗片石墨。選礦廠原礦處理量約35萬t/a，原礦粒度為- 450mm，入磨粒度為- 15mm，入選粒度為- 0.15mm占60%～ 65%。原礦品位4.39%～ 4.45%，精礦品位88%～ 89%，回收率約80%，尾礦品位0.6%～ 0.8%。浮選精礦采用堿酸法提純，最終石墨精礦品位達到98%～ 99%，作業回收率達88%。

　　（2）內蒙古興和石墨礦。兩選廠年處理原礦約30萬t，石墨產量約7 000t。原礦粒度為- 350mm，入磨粒度為-10mm，入選粒度為- 0.15mm的占38%。原礦品位為3. 82%～ 4. 07%，精礦品位約88%，尾礦品位1.34%～ 1. 68%，回收率約68%。浮選精礦經化學提純品位可達94%～ 99.5%。

　　（3）黑龍江柳毛石墨礦。該礦生產鱗片石墨。原礦粒度為- 550mm，入磨粒度- 20mm，入選粒度為- 100目占70%，原礦品位為14%～ 16%，經浮選后的石墨粗精礦再經5次再磨、6次精選、中礦集中返回粗磨回路，得到的精礦品位為93%～ 95%，尾礦品位為3%～ 4%，選礦回收率約為75%。

　　（4）湖南魯塘石墨礦。該礦生產隱晶質石墨。原礦品位65%～ 68%，粒度為- 250mm，呈細粒嵌布。加工流程較簡單，主要由手選、粗碎、篩分、中碎、烘干、磨礦、分級等工序組成。該選礦廠原礦處理能力約6萬t/d，入磨粒度- 40mm。手選精礦品位70%～ 88%，手選尾礦品位小于60%，選礦回收率為90%。

　　1.2 堿酸法

　　堿酸法是石墨化學提純的主要方法，也是目前比較成熟的工藝方法。該方法包括NaOH -HCl，NaOH-H2SO4，NaOH -HCl-HNO3等體系。其中NaOH-HCl法最常見。另外從目前的文獻來看，其高純石墨的純度可達到99%，但達不到99.9%的要求。酸堿法是當今我國高純石墨廠家中應用最廣泛的方法，它除了具有一次性投資少，產品品位較高以及適應性強等特點外，還具有設備易實現、通用性強的優點，其缺點在于需要高溫燒結、熔融、能量消耗大，且反應時間長，設備腐蝕嚴重，石墨流失量大以及廢水污染嚴重。

　　1.3 氫氟酸法

　　當所處理的石墨中云母含量較高時，采用堿酸法效果不會太佳，這時可采用氫氟酸法氫氟酸法最主要的優點是除雜效率高、所得產品的品位高、對石墨產品的性能影響小、能耗低，可將石墨的固定碳含量提高到99.95%。缺點是氟氫酸有劇毒和強腐蝕性，生產過程中必須有嚴格的安全防護措施，環保投入也使氫氟酸法成本低的優點大打折扣。

　　1.4 氯化焙燒法

　　氯化焙燒法是將石墨粉摻加一定量的還原劑，在一定溫度和特定氣氛下焙燒，再通入氯氣進行化學反應，使物料中有價金屬轉變成熔沸點較低的氣相或凝聚相的氯化物及絡合物而逸出，從而與其余組分分離，達到提純石墨的目的。氯化焙燒法具有節能、提純效率高（》 98%）、回收率高等優點。氯氣的毒性、嚴重腐蝕性和嚴重污染環境等因素在一定程度上限制了氯化焙燒工藝的推廣應用。當然該工藝難以生產極限純度的石墨，且工藝系統不夠穩定，也影響了氯化法在實際生產中的應用。

　　1.5 高溫提純法

　　石墨是自然界中熔沸點最高的物質之一，熔點為3 850± 50℃ ，沸點為4 500℃ ，而硅酸鹽礦物的沸點都在2 750℃（石英沸點）以下，石墨的沸點遠高于所含雜質硅酸鹽的沸點。這一特性正是高溫法提純石墨的理論基礎。高溫法能夠生產99.99%以上的超高純石墨，但要求原料的固定碳要在99%以上，而且設備昂貴，投資巨大，生產規模又受到限制，電爐加熱技術要求嚴格，需隔絕空氣，否則石墨在熱空氣中升溫到450℃時就開始被氧化，溫度越高，石墨的損失就越大。只有對石墨質量要求非常高的特殊行業（如國防、航天等）采用高溫法小批量生產高純石墨。

　　第二章 石墨烯原料選擇

　　在以天然石墨為原料制備石墨烯的過程中，如何得到純度較高的單層石墨烯成為重要的難題。對制備石墨烯原料天然石墨的選擇，采用hummers法，經過晶質石墨和土狀石墨制備石墨烯對比試驗，得出如下下結論：

　　（1）對于制備粒徑較大、純度較高的石墨烯，原料選擇最好是鱗片石墨，其粒徑200-300目之間最佳，但不能小于300目；粒徑太大，影響制備過程中的反應充分性，進而導致石墨烯純度的降低、產率降低和缺陷度的增大；粒徑太小，會導致制備出的石墨烯粒徑較小、缺陷度增大。

　　（2）以晶質石墨為原料制備的石墨烯比以微晶石墨制備的石墨烯的電阻率與結構缺陷含量更低。

　　（3）在相同的氧化-熱剝離還原條件下，以晶質石墨為原料制備的石墨烯材料的超級電容性能略優于以微晶石墨為原料制備的石墨烯的超級電容性。

　　（4）在相同的溫度條件下，晶質石墨制備的石墨烯的吸附性小于微晶石墨制備的石墨烯。

　　石墨烯的表征方法主要有拉曼光譜、紫外光譜、XRD、SEM等，其中拉曼光譜較為常見，主要用來反映石墨烯的缺陷密度，缺陷密度越低意味著結晶程度越高越好，石墨烯越高度有序，表明石墨層與層直接的聯系越稀疏，易得到純度較高的石墨烯。反之越緊密，不易得到純度較高的石墨烯。

　　對于高度有序的石墨，在拉曼圖譜上一般會出現兩個峰，分別在 1350cm-1附近（稱為D帶）和 1580cm-1附近（稱為 G 帶），G 帶是由兩個E2g拉曼活性振動模式產生，峰型較窄，強度較高，表明石墨結構中sp2雜化碳的振動；而一般來說，D 帶的出現表明石墨有邊緣、存在缺陷或者不規則的碳等，由于石墨的有序度很高，所以該帶的強度很微弱。基于這個原因，我們可以將 D 帶的強度與 G 帶的強度之比作為衡量碳材料結構中的無序程度即缺陷密度，即為（ID/IG）。ID/IG越大說明缺點度越大。

　　（1）拉曼位移1350cm-1處為缺陷峰，與本征峰進行對比，如果缺陷密度高，其峰值可能與1580 cm-1處的峰高相等；

　　（2）拉曼位移1580 cm-1處為本征峰，是最高的峰。也可看其半高寬，其半高寬也是隨缺陷密度的增加而變寬的；

　　（3）拉曼位移2720 cm-1處，其峰高大概是1580處的1/2~1/3。

　　第三章 石墨烯制備

　　目前石墨烯的合成方法主要有：機械剝落法、碳化硅表面外延生長、取向附生法、化學氣相沉積法、化學分散法及化學合成法。其中機械剝離法和化學分散法是以純度較高（90%以上）天然鱗片石墨為原料，而且化學分散法是目前公認的有可能實現量產的方法。

　　2.1 機械剝落法

　　該方法首先利用離子束在l mm厚的高定向熱解石墨表面用氧等離子干刻蝕進行離子刻蝕。在表面刻蝕出寬2 μm ~ 2 mm、深5 μm的微槽，并將其用光刻膠粘到玻璃襯底上；然后用透明膠帶進行反復撕揭，將多余的高定向裂解石墨HOPG（highly oriented pyrolitic graphite）去除；隨后將粘有微片的玻璃襯底放入丙酮溶液中作超聲處理；再將單晶硅片放入丙酮溶劑中，將單層石墨烯“撈出”。由于范德華力或毛細管力，單層石墨烯會吸附在單晶硅片上。利用這一方法成功制備了準二維石墨單層并觀測到其形貌。將微機械剝離法制得的含有單層石墨烯的硅晶片放置于一個經過刻蝕的金屬架上，用酸將硅晶片腐蝕掉，獲得了由金屬支架支撐的懸空的單層石墨烯。用透射電鏡觀測到其形貌，發現單層石墨烯并不是一個平整的平面，而是平面上面有一定高度（50 ? ~ 100 ?）的褶皺。通過對單層石墨烯和雙層石墨烯表面的褶皺程度的研究發現，石墨烯表面的褶皺可能是二維石墨烯存在的必要條件。單層石墨烯表面褶皺明顯大于雙層石墨烯，并且隨著石墨烯層數的增加褶皺程度越來越小，趨于平滑。這是因為單層石墨烯片為降低其表面能量，由二維向三維形貌轉換。盡管利用這種方法很難大規模制備石墨烯，而且尺寸不易控制，但是機械剝落法仍是制備高質量石墨烯最有效的方法之一。

　　2.2 化學分散法

　　利用化學方法制備水溶性氧化石墨烯（GO）的方法主要有3種：Brodie 、Staudenmaier和Hummers法。無論是哪種方法都是將石墨與強酸、強氧化劑作用，在石墨原有的C-C骨架之間引入了大量的-OH，-COOH和環氧基。氧化石墨烯上C原子屬于sp3雜化，大大破壞了石墨烯的平面結構，從而降低了石墨烯原有的優良導電性能。因此，許多科學家正試圖利用熱退火或化學還原等手段將氧化石墨還原，恢復原有的優良性能。氧化石墨烯是目前研究最多的一類石墨烯衍生物，在水、乙二醇、DMF、NMP和THF中有良好的溶解度。隨著制備方法的深入開展，一些科學家修正或發展了原有的化學制備可溶液加工處理的高質量石墨烯方法。

　　作為一種常用的方法hummers法制備石墨烯過程如下：①先使用無機強質子酸（如濃硝硫酸、發煙硝酸或它們的混合物）處理原料石墨，目的是將強酸小分子插入石墨層間；②再使用強氧化劑（如KMnO4、KCLO4）對其進行氧化，形成邊緣含有羧基、羥基，層間含有環氧及羰基等含氧基團的石墨氧化物；此過程可使石墨層間距離從0.34nm擴大至0.78nm；③再通過外力剝離（超聲剝離）得到單原子層度的石墨烯氧化物；④進一步還原可以制備出石墨。

　　制備石墨烯過程圖

　　2.3 碳化硅表面外延生長

　　該方法是通過加熱單晶SiC 脫除硅，在單晶（001）面上分解出石墨烯片層［11］（在超高真空、1000℃條件下，硅會被釋放出來，剩下的只有石墨化的碳）。利用這種方法能可控地制備出單層或是多層石墨烯（最多可獲得100 層的多層石墨烯），其厚度由加熱溫度決定，缺點是制備大面積、具有單一厚度的石墨烯比較困難。具體方法是：將經氧氣或氫氣刻蝕處理得到的樣品在高真空下通過電子轟擊加熱，除去氧化物。用俄歇電子能譜確定表面的氧化物完全被移除后，將樣品加熱使之溫度升高至1 250 ℃~1 450 ℃后，恒溫1分鐘~ 20 分鐘，從而得到極薄的石墨烯層。加州理工大學的deHeer 等［12-14］利用這種方法成功制備了石墨烯，但從這種方法制備出來的二維石墨中并沒有觀測到由HOPG 剝離出的二維石墨所表現出的量子霍爾效應，并且石墨烯表面的電子性質受SiC 襯底的影響很大，進一步的研究仍在進行中。

　　2.4 取向附生法

　　該方法是利用生長基質原子結構“種出”石墨烯的。在1 150 ℃溫度下讓碳原子滲入金屬釕中，然后冷卻到850 ℃，在此溫度時大量碳原子上浮到釕表面，形成的片狀單層的碳原子“孤島”密布于整個基質表面，最后長成完整的一層石墨烯。第一層覆蓋基質80％以后，第二層開始生長。底層的石墨烯會與釕產生強烈的交互作用，而第二層后就與釕幾乎完全分離，只剩下弱電耦合，得到令人滿意的單層石墨烯薄片。該方法的缺點是得到的石墨烯薄片往往厚度不均勻，且石墨烯和基質之間的黏合會影響碳層的特性。

　　2.5 化學氣相沉積法

　　化學氣相沉積法（Chemical vapor deposition）是應用最廣泛的一種大規模工業化制備半導體薄膜材料的方法，也成為了研究人員制備石墨烯的一條途徑。到目前為止利用化學沉積法制備石墨烯的途徑還在進一步探索、完善中，現階段工藝的不成熟以及較高的成本都限制了其大規模應用。如何大量、低成本制備出高質量的石墨烯材料應該是未來研究的一個重點。

　　2.6 化學合成法

　　主要是利用苯環類化合物為原料合成石墨烯。 2008年Muellen 小組利用有機合成方法得到了石墨烯類化合物，其厚度為12 nm。盡管這種材料的電學性質還沒有測定，但是，它毫無疑問應該具有與石墨烯相似的性質。化學合成法可以制備出連續且性能優異的石墨烯薄膜半導體材料，而且現有的半導體加工技術也可以對石墨烯薄膜材料進行剪裁修飾，使得化學生長法制備出的石墨烯材料在微電子領域有著巨大的應用潛力。如果在未來幾年內，有機合成方法能夠突破制得的石墨烯尺寸較小的這一問題，那將為石墨烯的應用提供廣闊的前景。

　　第四章 石墨烯功能化

　　所謂功能化就是利用石墨烯在制備過程中表面產生的缺陷和基團通過共價、非共價或摻雜等方法， 使石墨烯表面的某些性質發生改變， 更易于研究和應用。

　　石墨烯將來面臨的問題就是如何實現其可控功能化。結構完整的石墨烯是由不含任何不穩定鍵的苯六元環組合而成的二維晶體，化學穩定性高，其表面呈惰性狀態，與其他介質（如溶劑等）的相互作用較弱，并且石墨烯片與片之間有較強的范德華力，容易產生聚集，使其難溶于水及常用的有機溶劑，這給石墨烯的進一步研究和應用造成了極大的困難，為了充分發揮其優良性質，并改善其成型加工性（如提高溶解性、在基體中的分散性等），必須對石墨烯進行有效的功能化。 通過引入特定的官能團，還可以賦予石墨烯新的性質，進一步拓展其應用領域。功能化是實現石墨烯分散、溶解和成型加工的最重要手段。石墨烯二維晶體的發現為凝聚態物理研究開啟了激動人心的一頁，而石墨烯的功能化及其應用將為化學和材料領域提供新的機遇。

　　第五章 石墨烯應用

　　石墨烯目前是世上最薄（理論厚度僅為0.35 nm）卻也是最堅硬的納米材料（強度是鋼的100多倍，達到130 Gpa），幾乎是完全透明的，只吸收2.3%的光；目前世上電阻率最小的材料，因為它的電阻率極低，電子跑的速度極快，因此被期待可用來發展出更薄、導電速度更快的新一代電子元件或晶體管；由于石墨烯實質上是一種透明、良好的導體，也適合用來制造透明觸控屏幕、光板、甚至是太陽能電池；導熱性能優良（熱導率是金剛石的三倍，達到5 000 W·m-1·K-1）、零帶隙、電子/空穴遷移率高（理論上達到200 000 cm2·V-1·S-1，是目前已知的具有最高遷移率的銻化銦材料的2倍，超過商用硅片遷移率的10 倍）；在常溫下，即使周圍碳原子發生擠撞，石墨烯中電子受到的干擾也非常小。在室溫下石墨烯還表現出整數和分數量子霍爾效應和室溫鐵磁性。石墨烯的獨特結構和優良的電學、光學、熱學和機械性能吸引了難以計數的物理學家、化學家和材料學家的目光，轟轟烈烈地開啟了石墨烯時代。

　　5.1 聚合物復合材料

　　介于石墨烯具有優良的性質和低廉的成本，功能化以后的石墨烯可以采用溶液加工等常規方法處理，非常適用于開發高性能聚合物復合材料，Ruoff等手續指標了石墨烯-聚苯乙烯導電材料其導電臨界含量僅為0.1%，還大大提高了聚合物熱穩定性能。Chen等制備了磺酸基以及異氰酸酯功能化的石墨烯與熱塑性聚氨酯（TPU）的復合材料，并研究了該材料在紅外光觸發器驅動親愛呢中應用

　　5.2 光電功能材料與器件

　　新型光電功能材料與器件的開發對電子、信息及通訊等領域的發展有極大的促進作用。 其中， 非線性光學材料在圖像處理、光開關、光學存儲及人員和器件保護等諸多領域有重要的應用前景。好的非線性光學材料通常具有大的偶極矩和π體系等特點，而石墨烯的結構特征正好符合這些要求。

　　5.3 在信息存儲領域中的應用

　　與硅存儲器相比，基于有機高分子存儲材料制作的存儲器具有成本低、易加工、柔軟性好、可大面積制作、響應快、功耗低、高密度存儲等優點，在信息存儲以及高速計算領域有著非常廣泛的應用前景。

　　5.4 在納米電子器件方面的應用

　　室溫下石墨烯的載流子遷移率是普通硅片的十倍，受溫度和摻雜效應的影響很小，表現出室溫亞微米尺度的彈道傳輸特性。這是石墨烯作為納米電子器件最突出的優勢。為了要賦予單層石墨烯某種電性，會按照特定樣式切割石墨烯，形成石墨烯納米帶（Graphene nanoribbon）。石墨烯納米帶的結構具有高電導率、高熱導率、低噪聲，這些優良品質促使石墨烯納米帶成為集成電路互連材料的另一種選擇，有可能替代銅金屬。

　　5.5 石墨烯在生物領域的應用

　　由于石墨烯的可修改化學功能、大接觸面積、原子尺寸厚度、分子閘極結構等等特色，應用于細菌偵測與診斷器件，石墨烯是個優良的選擇。嵌入生物傳感器界面的石墨烯可增大電極的有效表面積并可用作金屬納米顆粒的支撐物。

　　5.6 太陽能電池

　　銦錫氧化物（ITO）由于其高的電導率和光透射率已被廣泛用作太陽能電池的電極材料， 但由于銦資源稀缺，人們急需要尋找一些替代品來代替ITO. 石墨烯具有良好的透光性和導電性， 很有潛力成為ITO的替代材料。利用石墨烯制作透明的導電膜并將其應用于太陽電池中也成為人們研究的熱點。

　　5.7 催化劑和藥物載體

　　石墨化的碳材料，包括石墨、碳黑、活性碳、CNTs、碳納米纖維等，已廣泛用作催化劑的載體，大量的研究結果表明碳載體的結構對擔載催化劑的性能有很大影響；石墨烯具有規整的二維表面結構，可以作為一個理想的模板擔載催化劑，基于石墨烯的催化劑有著更高的催化活性。由于石墨烯具有單原子層結構，其比表面積很大，且由于其良好的生物相容性，非常適合用作藥物載體。

　　5.8 氣體傳感器和單分子氣體偵測

　　石墨烯的一些重要特性使其在傳感器的制作及應用方面也有很好的發展前景，如石墨烯獨特的二維層狀結構使其有大的比表面積，而這是制作高靈敏度傳感器的必要因素，事實上這也是其它納米結構材料用作傳感器制作的重要原因；石墨烯用作傳感器的另一個重要原因是其獨特的電子結構，某些氣體分子的吸附能誘導石墨烯的電子結構發生變化，從而使其導電性能快速地發生很大的變化，即使是一個氣體分子吸附或釋放都可以檢測到。

　　與目前電子器件中使用的硅及金屬材料不同，石墨烯減小到納米尺度甚至單個苯環時同樣保持很好的穩定性和電學性能，使探索單電子器件成為可能。

　　5.9 電容設備

　　新型的化學電源體系， 尤其是二次電池和超級電容器是目前重要的“綠色”儲能裝置。各種碳材料，碳材料如無定形碳、多孔碳、石墨等已經廣泛地應用于鋰離子電池中。 由于石墨烯具有大的比表面積、層狀結構、小的尺寸效應及良好的催化活性， 因而可以提高電池的比容量，可成為重要儲能裝置的電極材料。

　　儲能元件充電速度使用壽命

　　5.10 抗菌物質

　　中國科學院上海分院的科學家發現石墨烯氧化物對于抑制大腸桿菌的生長超級有效，而且不會傷害到人體細胞。假若石墨烯氧化物對其他細菌也具有抗菌性，則可能找到一系列新的應用，像自動除去氣味的鞋子，或保存食品新鮮的包裝。

　　5.11 石墨烯感光元件

　　一群來自新加坡專精于石墨烯材質研究的科學家們，現在研發出將石墨烯應用于相機感光元件的最新技術，可望徹底顛覆未來的數位感光元件技術發展。

　　5.12 導熱材料和熱界面材料

　　當石墨烯分子中含有30 %的環氧基時，將具有一種十分有趣的特性，可被用作一些電子儀器組件及更高級電子設備的熱界面材料。2011年，美國佐治亞理工學院（Georgia Institute of Technology）學者首先報道了垂直排列官能化多層石墨烯三維立體結構在熱界面材料中的應用及其超高等效熱導率和超低界面熱阻。

　　5.13 海水淡化

　　研究表明，石墨烯過濾器可能大幅度的勝過其他的海水淡化技術

　　5.14 透明導電電極

　　石墨烯良好的電導性能和透光性能，使它在透明電導電極方面有非常好的應用前景。觸摸屏、液晶顯示、有機光伏電池、有機發光二極管等等，都需要良好的透明電導電極材料。特別是，石墨烯的機械強度和柔韌性都比常用材料氧化銦錫優良。由于氧化銦錫脆度較高，比較容易損毀。在溶液內的石墨烯薄膜可以沉積于大面積區域。

　　結語及展望

　　自2004年首次發現石墨烯以來，在石墨烯的制備和石墨應用研究已取了重大進展。但在如何制備出更高純的石墨烯及工業化生產，仍存在很多問題。石墨烯制備及其功能材料研究仍是未來的發展的大方向。

　　高純石墨是指石墨的含碳量》99.9-99.99%，廣泛用于冶金工業的高級耐火材料與涂料、軍事工業火工材料安定劑、輕工業的鉛筆芯、電氣工業的碳刷、電池工業的電極、化肥工業催化劑添加劑等。

　　高碳石墨是指碳含量（≧）94.00-99.00

　　中碳石墨是指碳含量（≧）80.00-93.00，中碳石墨主要用于生產鑄造涂料、耐火材料等

　　石墨行情

　　2015年12月份，東北地區-195鱗片石墨主流出廠含稅價格為2800-2900元/噸，-194鱗片石墨主流出廠含稅價格為2700-2800元/噸，價格均下調100元/噸。山東地區鱗片石墨-195主流出廠含稅價格為3200-3400元/噸，-194出廠含稅價格為3000-3200元/噸，價格均下調100元/噸。

　　2015-12-31國內河南地區鱗片石墨-190報2200元/噸；東北地區-190報2000元/噸左右，-195報2800-3000 元/噸左右；山東地區的-195報3200元/噸左右， 895報5200-5400元/噸左右， 195報4800元 /噸左右，-199報5700-6300元/噸左右；內蒙地區595報9700元/噸，895報5500-6000元/噸，-195報3700元/噸。

　　+100

　　-100

　　-200

　　-325

　　中碳石墨：

　　中碳石墨是指碳含量（≧）80.00-93.00，中碳石墨主要用于生產鑄造涂料、耐火材料等。

　　技術指標：

　　產品牌號 固定碳