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薄膜是一種薄而軟的透明薄片。用塑料、膠粘劑、橡膠或其他材料制成。薄膜科學上的解釋為：由原子，分子或離子沉積在基片表面形成的2維材料。例：光學薄膜、復合薄膜、超導薄膜、聚酯薄膜、尼龍薄膜、塑料薄膜等等。薄膜被廣泛用于電子電器，機械，印刷等行業。
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多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優勢和多樣的沉積技術而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化...
在半導體制造業這一精密且日新月異的舞臺上，每一項技術都是推動行業躍進的關鍵舞者。其中，原子層沉積（ALD）技術，作為薄膜沉積領域的一顆璀璨明星，正逐步成...
RS-ALD技術制備的Al2O3薄膜在TOPCon電池邊緣鈍化中的應用研究
硅太陽能電池和組件在光伏市場占主導，但半電池切割產生的新表面會加劇載流子復合，影響電池效率，邊緣鈍化技術可解決此問題。Al2O3薄膜穩定性高、介電常數高...
薄膜電容以金屬箔為電極，具有無極性、高絕緣阻抗和優異頻率特性，是電子產品中不可缺的關鍵元件，能提高電路穩定性和信號傳輸質量，使電子產品更加耐用。
耐高溫導熱聚酰亞胺薄膜，作為一種高性能材料，具有一系列獨特的特性和廣泛的用途。以下是對其特性和用途的詳細闡述：一、特性耐高溫性：聚酰亞胺薄膜具有極高的熱...
薄膜電容，是電子元件中一類重要的電容器，以一層或多層很薄的絕緣塑料薄膜為介質，兩側蒸鍍金屬層作為電極而制成的電容器。 薄膜電容在電子、家電、通訊、電力...
薄膜電容是以金屬箔當電極，將其和聚乙酯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜從兩端重疊后卷繞成圓筒狀構造的電容器。 薄膜電容絕緣電阻高，容量范圍廣，穩定...
光譜共焦傳感器不受薄膜材料光學特性的過多干擾，無論是透明薄膜還是具有一定吸光性的薄膜，都可以進行有效的測量。
薄膜電容是以金屬箔為電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜制成的電容器。 因有無極性、耐壓高、溫度特性好、絕緣阻抗高、頻率特性好等優...
黃色外殼薄膜電容與安規X電容外觀雖然相似但不是同一種電容，薄膜電容采用塑料薄膜作介質，不需要安規認證；安規X電容用于抗干擾，需強制安規認證，獲得安規認證...
本文介紹了CVD薄膜質量的影響因素及故障排除。 CVD薄膜質量影響因素 以下將以PECVD技術沉積薄膜作為案例，闡述影響薄膜品質的幾個核心要素。 PEC...
一、觸摸屏三代技術路線，電容屏有望加速替代其他技術 觸摸屏（簡稱“TP”），是一種可接收觸頭等輸入訊號的感應式液晶顯示裝置，可用以取代機械式的按鈕面板。...
模擬電路用于信號傳輸處理，易失真需選優質電容器，薄膜電容頻率特性好、介質損失小，是模擬電路優中選擇，對保持信號完整性和提高性能很重要。
模擬電路用于信號傳輸處理，易失真需選優質電容器，薄膜電容頻率特性好、介質損失小，是模擬電路優中選擇，對保持信號完整性和提高性能很重要。
Aigtek功率放大器如何幫助制備(1~100nm)級的納米薄膜
納米薄膜材料，是納米材料在二維空間內的應用材料，是納米晶粒在二維平面內按照一定的排列方式粘合，晶粒分子之間的間隙及其小的的薄膜，具有薄層致密和晶粒納米級...
文章鏈接：https://doi.org/10.1063/5.0172805 ? 摘要 薄(100nm厚)疏水聚合物薄膜被用于許多需要防水的應用。然而,...
本文介紹了SiO2薄膜的刻蝕機理。 干法刻蝕SiO2的化學方程式怎么寫？刻蝕的過程是怎么樣的？干法刻氧化硅的化學方程式？ 如上圖，以F系氣體刻蝕為例，反...
氮化硅（Si?N?）薄膜是一種高性能介質材料，在集成電路制造領域具有廣泛的應用前景。作為非晶態絕緣體，氮化硅薄膜不僅介電特性優于傳統的二氧化硅，還具備對...
一、氮化硅薄膜制備方法及用途 氮化硅（Si3N4）薄膜是一種應用廣泛的介質材料。作為非晶態絕緣體，氮化硅薄膜的介電特性優于二氧化硅，具有對可移動離子較強...
在現代科技領域中，薄膜技術發揮著至關重要的作用。而磁控濺射鍍膜作為一種常用的薄膜制備方法，其工藝的成功與否關鍵在于對薄膜性能的準確表征。 一、薄膜的物理...
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