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      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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      igbt資訊

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      在光伏系統的最大功率點跟蹤（MPPT）設計中，IGBT、碳化硅（SiC）器件及其組合方案的選擇直接影響系統效率、成本和可靠性。

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      碳化硅（SiC）MOSFET相較于傳統IGBT能夠釋放更多潛力的核心原因在于其材料特性與器件物理的革新，具體體現在高頻高效、高溫耐受、低損耗設計以及系統...

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      儲能變流器PCS中碳化硅功率模塊全面取代IGBT模塊

      在儲能變流器（PCS）中，碳化硅（SiC）功率模塊全面取代傳統IGBT模塊的趨勢主要源于其顯著的技術優勢、成本效益以及系統級性能提升。SiC模塊在PCS...

      2025-02-05 標簽：IGBT儲能功率半導體 43 0

      廣電計量入選2025年無錫市場景清單

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      2025-01-21 標簽：IGBT功率器件廣電計量 172 0

      重慶IGBT項目即將試產，年產能120萬片

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      來源：行家說-葉知秋 1月17日，據“涪陵高新區綜保區”報道，重慶新陵微電子有限公司正在緊鑼密鼓地安裝設備，預計2025年二季度將實現整線通線，進行試生...

      2025-01-21 標簽：IGBT 102 0

      三菱電機開始提供工業用第8代IGBT模塊樣品

      三菱電機株式會社近日宣布，將于2月15日起開始提供新型工業用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣品，適用于太陽能和其他可再生能源發電系統。該模塊采用...

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      IGBT模塊在頗具挑戰性的逆變器應用中提供更高能效

      背景：電力驅動的能效雖高，但電動汽車、數據中心、熱泵等應用仍需大量能源運行，因此提高能效至關重要。 技術原理：IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊是一種電力...

      2025-01-16 標簽：逆變器IGBT 100 0

      英飛凌IGBT7系列芯片大解析

      英飛凌IGBT7系列芯片大解析

      上回書(英飛凌芯片簡史)說到，IGBT自面世以來，歷經數代技術更迭，標志性的技術包括平面柵+NPT結構的IGBT2，溝槽柵+場截止結構的IGBT3和IG...

      2025-01-15 標簽：英飛凌芯片IGBT 301 0

      廣東佳訊邀您一起探究：SiC MOSFET 替代 IGBT ，這是必然走向嗎？

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      碳化硅MOSFET以其高開關速度、高溫工作能力和低導通電阻等優勢，在電動汽車、太陽能逆變器等領域替代IGBT。盡管IGBT在成本和成熟度上仍有優勢，但碳...

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