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標簽 > hbm4
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近日,據報道,全球知名半導體公司美光科技發布了其HBM4(High Bandwidth Memory 4,第四代高帶寬內存)和HBM4E項目的最新研發進...
400層閃存、HBM4、122TB SSD等,成為2025年存儲市場牽引力
? 電子發燒友網報道(文/黃晶晶)在人工智能、數據中心、新能源汽車、智能終端等應用的帶動下,存儲新技術新產品加速到來。例如數據中心市場,不僅是高帶寬HB...
電子發燒友網報道(文/黃晶晶)近日據韓媒報道,特斯拉已向SK海力士和三星提交了HBM4的采購意向,并要求這兩家公司提供通用HBM4芯片樣品。特斯拉此次欲...
近日,SK海力士和三星電子正在為特斯拉公司開發第六代高帶寬內存(HBM4)芯片樣品。據悉,特斯拉計劃在測試這兩家公司提供的樣品后,選擇其中一家作為其HB...
電子發燒友網報道(文/黃晶晶)2022年11月發布的GPT-3使用1750億個參數,而今年5月發布的最新版本GPT-4o則使用超過1.5萬億個參數。在過...
2024-11-19 標簽:HBM4 1193 0
Rambus Inc.,業界知名的芯片和半導體IP供應商,近日宣布了一項重大突破:推出業界首款HBM4(High Bandwidth Memory 4,...
Rambus宣布推出業界首款HBM4控制器IP,加速下一代AI工作負載
基于一百多項HBM成功設計案例,確保芯片一次流片成功 在低延遲下提供超過HBM3兩倍的吞吐量,滿足生成式AI和高性能計算(HPC)工作負載的需求 擴展了...
英偉達加速Rubin平臺AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲器
日,英偉達(NVIDIA)的主要高帶寬存儲器(HBM)供應商南韓SK集團會長崔泰源透露,英偉達執行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個月交付用于英偉達下一代...
HBM4需求激增,英偉達與SK海力士攜手加速高帶寬內存技術革新
隨著生成式AI技術的迅猛發展和大模型參數量的急劇增加,對高帶寬、高容量存儲的需求日益迫切,這直接推動了高帶寬內存(HBM)市場的快速增長,并對HBM的性...
近日,韓國SK集團會長透露了一項重要信息,即英偉達公司的首席執行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個月供應其下一...
韓國大型財團SK集團的董事長崔泰源在周一的采訪中透露,英偉達的首席執行官黃仁勛已向SK集團旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求,希望其能提前六個月推...
人工智能(AI)與機器學習(ML)正以前所未有的速度蓬勃發展,驅動著各行各業的革新。隨著模型復雜度與數據量的激增,實時處理海量數據的需求對底層硬件基礎設...
據媒體報道,摩根士丹利(大摩)的分析指出,三星電子預計將于2026年將其HBM4基底技術的生產外包給臺積電,并計劃采用12nm至6nm的先進制程技術。同...
電子發燒友網報道(文/黃晶晶)高帶寬存儲器HBM由于生成式AI的到來而異軍突起,成為AI訓練不可或缺的存儲產品。三大HBM廠商SK海力士、三星電子、美光...
GPU集成12顆HBM4,臺積電CoWoS-L、CoW-SoW技術演進
電子發燒友網報道(文/黃晶晶)日前消息,臺積電計劃于2027年量產CoW-SoW(晶圓上系統)封裝技術,該技術是將InFO-SoW(集成扇出晶圓上系統)...
在科技日新月異的今天,三星電子與臺積電兩大半導體巨頭的強強聯合再次引發業界矚目。據最新報道,雙方正攜手并進,共同開發下一代高帶寬存儲器(HBM4)人工智...
據最新報道,三星電子與臺積電攜手共謀AI芯片的未來,雙方正緊密合作開發下一代高帶寬存儲器(HBM4)芯片,旨在鞏固并加強各自在快速增長的人工智能芯片市場...
三星電子在半導體技術的創新之路上再邁堅實一步,據業界消息透露,該公司計劃于今年年底正式啟動第6代高帶寬存儲器(HBM4)的流片工作。這一舉措標志著三星電...
在半導體技術日新月異的今天,SK海力士再次引領行業潮流,宣布將采用臺積電先進的N5工藝版基礎裸片來構建其新一代HBM4內存。這一舉措不僅標志著SK海力士...
在半導體存儲技術的快速發展浪潮中,SK海力士,作為全球領先的內存芯片制造商,正積極探索前沿技術,以推動高帶寬內存(HBM)的進一步演進。據最新業界消息,...
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