dram知識

• 三星電子否認1b DRAM重新設計報道

  據(jù)報道，三星電子已正式否認了有關其將重新設計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發(fā)了業(yè)界對三星

  2025-01-23 標簽： DRAM 三星電子 內(nèi)存 163 0

• 三星否認重新設計1b DRAM

  據(jù)DigiTimes報道，三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報道予以否認。 此前，ETNe

  2025-01-23 標簽： DRAM 三星 551 0

• 三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期

  據(jù)韓媒MoneyToday報道，三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程

  2025-01-22 標簽： 半導體 DRAM 制程技術 163 0

• 三星重啟1b nm DRAM設計，應對良率與性能挑戰(zhàn)

  近日，據(jù)韓媒最新報道，三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時，已于2024年底作出了重要決策。

  2025-01-22 標簽： DRAM 內(nèi)存 三星 249 0

• 美光科技計劃大規(guī)模擴大DRAM產(chǎn)能

  據(jù)業(yè)內(nèi)消息，美光科技預計今年將繼續(xù)積極擴大其DRAM產(chǎn)能，與去年相似。得益于美國政府確認的巨額補貼，美光近期將具體落實對

  2025-01-07 標簽： DRAM 美光科技 HBM 349 0

• SK海力士增產(chǎn)HBM DRAM,應對AI芯片市場旺盛需求

  SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存（HBM）的DRAM產(chǎn)能，目標是將每月產(chǎn)能從去年的10萬片增加至17萬片，這一增幅

  2025-01-07 標簽： DRAM SK海力士 HBM 299 0

• 國產(chǎn)DDR5內(nèi)存上市,內(nèi)存市場價格戰(zhàn)一觸即發(fā)

  隨著國產(chǎn)DDR5內(nèi)存的上市，內(nèi)存市場的競爭態(tài)勢即將迎來新的變化。DRAM內(nèi)存作為半導體產(chǎn)業(yè)的明星產(chǎn)品，據(jù)市調(diào)機構Tren

  2025-01-07 標簽： DRAM 內(nèi)存 DDR5 410 0

• AI興起推動HBM需求激增，DRAM市場面臨重塑

  TechInsights的最新報告揭示了AI興起對高帶寬內(nèi)存(HBM)需求的巨大影響。特別是在機器學習和深度學習等數(shù)據(jù)密

  2024-12-26 標簽： 處理器 DRAM AI 270 0

• Kioxia發(fā)布OCTRAM技術，開啟低功耗DRAM新篇章

  近日，在存儲器解決方案領域，Kioxia Corporation再次展現(xiàn)其創(chuàng)新實力，宣布成功開發(fā)出OCTRAM(氧化物半

  2024-12-24 標簽： 半導體 DRAM Kioxia 443 0

• 南亞科技與補丁科技攜手開發(fā)定制超高帶寬內(nèi)存

  近日，臺灣地區(qū)知名的DRAM內(nèi)存制造商南亞科技宣布，已與專業(yè)DRAM設計公司補丁科技達成戰(zhàn)略合作，共同致力于定制超高帶寬

  2024-12-20 標簽： DRAM 帶寬 內(nèi)存 234 0

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