CMOS模擬集成電路中的密勒補(bǔ)償基本知識(shí)詳解

當(dāng)一阻抗與主通路并聯(lián)時(shí)，可以使用密勒定理，將該兩個(gè)節(jié)點(diǎn)之間的阻抗 等效成兩個(gè)對(duì)應(yīng)節(jié)點(diǎn)對(duì)地的阻抗 和 。

2023-11-04 標(biāo)簽：放大器OTACMOS集成電路 8183 0

模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)：虛零點(diǎn)法

虛零點(diǎn)法是指引入的對(duì)應(yīng)零點(diǎn)只出現(xiàn)在環(huán)路增益A(s)F(s)中，而不出現(xiàn)在閉環(huán)傳遞函數(shù)H(S)中，能夠?qū)崿F(xiàn)此目的的零點(diǎn)

2023-10-18 標(biāo)簽：放大器電阻器CMOS集成電路 1600 0

模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)：零極點(diǎn)對(duì)消

極點(diǎn)零點(diǎn)對(duì)消與極點(diǎn)分裂法(見(jiàn)前述推文)一樣，可以使兩個(gè)極點(diǎn)分離

2023-10-18 標(biāo)簽：放大器并聯(lián)電阻CMOS集成電路 3303 0

按鈕開(kāi)關(guān)失靈原因探究

基本電路如圖32-11。這是一個(gè)改變CMOS數(shù)字集成電路輸入端電位的轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電路，用按鈕開(kāi)關(guān)控制該端電壓的高低，用數(shù)字化語(yǔ)言來(lái)說(shuō)就是分別輸入“0”和“1”。

2023-10-11 標(biāo)簽：電容器振蕩電路電源電壓 5837 0

4000系列CMOS數(shù)字集成電路制作（4）

本作品每到天黑，就會(huì)自動(dòng)點(diǎn)亮電燈，天明了電燈自動(dòng)熄滅。在某些特定的場(chǎng)合，使用起來(lái)十分方便。

2023-10-11 標(biāo)簽：CMOS晶閘管發(fā)光二極管 1659 0

4000系列CMOS數(shù)字集成電路制作（3）

每按動(dòng)一次電子骰子機(jī)上的按鈕開(kāi)關(guān)，隨著喇叭的一聲?shū)Q叫，電子骰子會(huì)隨機(jī)產(chǎn)生1至6點(diǎn)的燈光圖案，模擬一次擲骰子的結(jié)果。

2023-10-11 標(biāo)簽：緩沖器發(fā)光二極管電源電壓 1828 0

用D觸發(fā)器構(gòu)成異步二進(jìn)制加／減計(jì)數(shù)器

計(jì)數(shù)器是一個(gè)用以實(shí)現(xiàn)計(jì)數(shù)功能的時(shí)序部件，它不僅可用來(lái)計(jì)脈沖數(shù)，還常用作數(shù)字系統(tǒng)的定時(shí)、分頻和執(zhí)行數(shù)字運(yùn)算以及其它特定的邏輯功能。

2023-10-11 標(biāo)簽：二進(jìn)制分頻器計(jì)數(shù)器 4.4萬(wàn) 0

CMOS模擬集成電路-比較器設(shè)計(jì)

開(kāi)環(huán)比較器基于未補(bǔ)償?shù)姆糯笃鳎梢允褂脝渭?jí)或者多級(jí)結(jié)構(gòu)。根據(jù)輸入信號(hào)的大小，開(kāi)環(huán)放大器工作于小信號(hào)狀態(tài)和大信號(hào)狀態(tài)(擺率限制)，其對(duì)應(yīng)的延遲時(shí)間計(jì)算也是不同。

2023-09-26 標(biāo)簽：集成電路CMOS放大器 1.3萬(wàn) 0

MOS管的基本結(jié)構(gòu) MOS管的二級(jí)效應(yīng)

本章首先介紹了MOS管的基本結(jié)構(gòu)并推導(dǎo)了其I/V特性，并闡述MOS管的二級(jí)效應(yīng)，如體效應(yīng)、溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值傳導(dǎo)等，之后介紹了MOS管的寄生電容，...

2023-10-02 標(biāo)簽：MOS管寄生電容CMOS集成電路 5277 0

音頻DAC基礎(chǔ)技術(shù)的學(xué)習(xí)指南

由于在音響系統(tǒng)中的重要地位，愛(ài)好音響的朋友或發(fā)燒友，都會(huì)熱衷于選擇一款好的“解碼器”（DAC），而“解碼”技術(shù)，又總是大家津津樂(lè)道或爭(zhēng)論的話題。

2023-09-19 標(biāo)簽：解碼器繼電器數(shù)模轉(zhuǎn)換器 2.4萬(wàn) 0

微電子所在《中國(guó)科學(xué)：國(guó)家科學(xué)評(píng)論》發(fā)表關(guān)于先進(jìn)CMOS集成電路新結(jié)構(gòu)晶體管的綜述論文

來(lái)源：中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）是推動(dòng)大規(guī)模CMOS集成電路按照“摩爾定律”持續(xù)微縮并不斷發(fā)展的核心器件。...

2024-05-31 標(biāo)簽：晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管微電子 522 0

CMOS工藝流程詳解，你Get到了嗎？

CMOS工藝流程介紹1.襯底選擇：選擇合適的襯底，或者外延片，本流程是帶外延的襯底；2. 開(kāi)始：Pad ox

2018-03-16 標(biāo)簽：CMOSCMOS傳感器CMOS集成電路 11.2萬(wàn) 0