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AD9361和AD9371里接收機的性能有哪些不同呢？

話說，如果使用CMOS工藝的話，零中頻的閃爍噪聲會比較大，如果使用SiGe和BiCMOS工藝的話，閃爍噪聲就會小很多[1]。所以，我就打算看看AD936...

2024-04-17 標簽：接收機 SNR CMOS工藝 3395 0

極低抖動頻率綜合器的多速率時間戳建模

繼實現(xiàn)振蕩器閃爍相噪理論統(tǒng)一后，我們再次實現(xiàn)頻率綜合器的相噪理論一統(tǒng)。

2023-12-01 標簽：振蕩器 CMOS工藝 PLL電路 679 0

運放穩(wěn)定性，你真的懂了嗎？

一個運放，使用電阻接成負反饋的形式，閉環(huán)放大倍數(shù)為-1。進行環(huán)路stb仿真，有些corner下相位曲線從0開始，但其他corner正常。這種是什么原因？...

2023-11-07 標簽：仿真器 STB CMOS工藝 2089 0

淺談阻抗匹配（七）傳輸線的端接技術

仿真驗證結果表明，端接技術可以有效抑制傳輸線上的反射噪聲，改善高速電路的性能。

2023-11-03 標簽：阻抗匹配 TTL電路傳輸線 1992 0

聊聊芯片中的負壓產(chǎn)生機理及其應用

SRAM是目前最成熟的易失性高速存儲器，通常由6管（6T）實現(xiàn)數(shù)據(jù)的讀寫，可以用做CPU和內存（DRAM）之間的高速緩存。

2023-10-31 標簽：放大器 Nand CMOS工藝 4322 0

如何通過有源器件實現(xiàn)低功耗及小的芯片面積呢？

高速SerDes的數(shù)據(jù)和時鐘通路上需要很多buffer，傳統(tǒng)CML buffer的有限帶寬往往限制系統(tǒng)的奈奎斯特頻率

2023-10-31 標簽：寄生電容 CMOS工藝 CML 821 0

前端工程師應該知道的一些layout技能

數(shù)字電路中，可能會有上萬個互聯(lián)的反相器，而在模擬電路中卻看不到上萬個放大器。

2023-10-31 標簽：NMOS 反相器 Layout 1487 0

雙通道鎖相環(huán)結構設計

傳統(tǒng)PLL大都采用單通道控制技術，其結構框圖和調諧曲線如圖1所示。

2023-10-30 標簽：鎖相環(huán)壓控振蕩器 CMOS工藝 1264 0

為什么我們需要SERDES？SERDES的優(yōu)點有哪些？

盡管設計和驗證很復雜，SERDES 已成為 SoC 模塊不可或缺的一部分。隨著 SERDES IP 模塊現(xiàn)已推出，它有助于緩解任何成本、風險和上市時間問題。

2023-10-23 標簽：HDMI接口串行器 CMOS工藝 1692 0

相位問詢型全介質BIC超表面的新型折射率傳感器件

2023年10月，浙江大學何賽靈研究團隊在《Nano Letters》期刊在線發(fā)表了題為“Phase Interrogation Sensor Base...

2023-10-18 標簽：傳感器 BiC 微流控芯片 1209 0

用于分離模式MEMS陀螺儀的低閃爍噪聲自動幅度控制的ASIC

本文介紹了一種用于分離式MEMS陀螺儀的全差分、低閃爍噪聲、自動幅度控制（AAC）的ASIC。

2023-10-17 標簽：斬波器電源電壓 CMOS工藝 1154 0

什么是運放的軌至軌特性？軌到軌還有哪些細節(jié)需要注意？

前級采樣電阻上的采樣電壓 VI_AMP_IN 經(jīng) U6 的跟隨作用 VI_AMP_OUT 送至 ADC 進行A/D 轉換。

2023-10-12 標簽：二極管運放電源電壓 3928 0

555型集成時基電路及其基本應用

555時基電路是一種數(shù)字、模擬混合型的中規(guī)模集成電路，其電路類型有雙極型和CMOS型兩大類，結構與工作原理類似。

2023-10-11 標簽：示波器電源電壓施密特觸發(fā)器 2036 0

低成本單片集成射頻前端電路天線仿真與測試

無線網(wǎng)絡不斷增長的容量，對寬帶多媒體組件的需求不斷增加。特別是對于密集的本地通信來說，指定給無線個人網(wǎng)絡（WPAN）的60GHz頻帶對于短距通信具有特殊意義。

2023-10-11 標簽：轉換器嵌入式系統(tǒng)Fem 1060 0

介紹一種在PCB板上同時安置RF電路和數(shù)字電路的方法

如果模擬電路(射頻) 和數(shù)字電路(微控制器) 單獨工作可能各自工作良好，但是一旦將兩者放在同一塊電路板上，使用同一個電源供電一起工作，整個系統(tǒng)很可能就會不穩(wěn)定。

2023-09-26 標簽：微控制器 PCB板 CMOS工藝 418 0

模擬IC入門：MOS器件物理基礎知識

擴散運動：由熱運動引起的隨機運動，一般由高濃度向低濃度轉移，直到均勻分布。

2023-10-02 標簽：MOS管硅晶圓 NPN晶體管 1379 0

為什么消耗相同電流的情況下有電感的電路帶寬高？

從之前域域轉化系列中，我們可以知道頻域的帶寬高，到時域上體現(xiàn)就是信號變化快。

2023-09-20 標簽：放大器電感器 MOS管 1234 0

放大電路的基礎—單級放大器（1）

放大是模擬電路的基本功能之一，是運算放大器、功率放大器、低噪聲放大器等模塊的主要功能。

2023-09-18 標簽：功率放大器運算放大器 MOS管 6015 0

講解一下SRAM型FPGA在軌會遇到的問題及其影響

SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對SRAM型FPGA進行抗輻照加固設計非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會遇到的問題及其影響。

2023-08-11 標簽：fpga sram CMOS工藝 2503 0

N阱CMOS工藝版圖

CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎上發(fā)展起來的。

2023-07-06 標簽：集成電路晶體管 CMOS工藝 4003 0

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉折區(qū)的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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