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      標簽　>　NAND芯片

      NAND芯片

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      nand芯片技術

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      英特爾聯合創始人戈登摩爾曾預言，芯片上的晶體管數量每隔一到兩年就會增加一倍。

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      芯片互連在先進封裝中的重要性

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      英特爾聯合創始人戈登摩爾曾預言，芯片上的晶體管數量每隔一到兩年就會增加一倍。由于圖案微型化技術的發展，這一預測被稱為摩爾定律，直到最近才得以實現。

      2023-09-07 標簽：PCB板存儲器倒裝芯片 634 0

      TTL逆變器和NAND門實驗研究

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      2023-08-28 標簽：連接器TTL電路逆變器 983 0

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      TBW（Total Bytes Written）是衡量閃存存儲器壽命和耐用性的重要指標。但由于寫入放大的影響，實際TBW值可能會偏離理論值。

      2023-07-25 標簽：存儲器SSD閃存控制器 3379 0

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      nand芯片資訊

      美光232層QLC NAND芯片已量產并出貨，推出SSD新品

      美光科技近期宣布，其創新的232層QLC NAND芯片已成功實現量產并已開始出貨。這一里程碑式的成就標志著美光在NAND技術領域再次取得了顯著進步，鞏固...

      2024-04-29 標簽：SSD美光科技固態硬盤 803 0

      三星宣布量產第九代V-NAND 1Tb TLC產品，采用290層雙重堆疊技術

      作為九代V-NAND的核心技術，雙重堆疊技術使旗艦V8閃存的層數從236層增至290層，主要應用于大型企業服務器及人工智能與云計算領域。據了解，三星計劃...

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      分析師表示：“我們看到NAND芯片價格在第一季度連續上漲超過20%，在某些地區漲幅更大?！毖芯繖C構TrendForce近日報告顯示，預計2024年第一季...

      2024-01-29 標簽：人工智能Nand flash英偉達 799 0

      2024年DRAM、NAND Flash合約價將如何演繹呢？

      存儲作為半導體領域最大的一個細分之一，一直以來，它是行情晴雨表。2024年電子存儲行情如何呢？

      2024-01-23 標簽：半導體DRAMNAND閃存 1362 0

      二季度硅片出貨面積同比減少10.1%

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      半導體行業繼續應對各個細分市場的庫存過剩問題。

      2023-07-30 標簽：MOSFET半導體硅晶圓 1204 0

      新型氧化鉿材料是如何將存儲容量提升100倍的

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      2023-07-27 標簽：存儲器RAM晶體管 594 0

      背面供電與DRAM、3D NAND三大技術介紹

      背面供電與DRAM、3D NAND三大技術介紹

      最近有許多正在全球范圍內研究和開發的技術，例如晶體管GAA（Gate All around）、背面供電以及3D IC。

      2023-07-26 標簽：DRAM晶體管NAND閃存 3745 0

      全球第一SSD誕生：QLC閃存70年寫不死

      全球第一SSD誕生：QLC閃存70年寫不死

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      2023-07-24 標簽：NAND閃存NAND芯片 1439 0

      存儲價格低迷，三星2023年營業利益率恐跌至12年最低水平

      三星電子2023年營業利益率恐時隔12年跌至個位數。

      2023-07-07 標簽：DRAMCSPNAND芯片 859 0

      SIA：4月全球半導體銷售喜憂參半

      SIA：4月全球半導體銷售喜憂參半

      全球半導體銷售額將在今年出現雙位數下滑，并在2024年實現強勁反彈。

      2023-06-08 標簽：半導體DRAM存儲芯片 877 0

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