功率器件雪崩擊穿的工作原理和失效機(jī)理

雪崩耐量是功率器件性能評估的關(guān)鍵指標(biāo)，那么什么是雪崩耐量呢？即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí),電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減,此時(shí)元件可吸收...

2024-08-15 標(biāo)簽：MOSFET雪崩擊穿功率器件 1787 0

一文詳解齊納擊穿和雪崩擊穿

圖1給出了PN二極管的伏安特性，包括擊穿區(qū)域。因此，當(dāng)PN二極管高度反向偏置時(shí)，結(jié)可能會擊穿，即它呈現(xiàn)極小的電阻，導(dǎo)致電流在幾乎恒定的電壓下突然增加。只...

2024-05-05 標(biāo)簽：二極管雪崩擊穿齊納擊穿 9447 0

TVS瞬態(tài)電壓抑制器關(guān)鍵參數(shù)都有哪些？

TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬態(tài)電壓抑制器，又稱雪崩擊穿二極管。

2024-02-26 標(biāo)簽：二極管TVS雪崩擊穿 1386 0

MOSFET雪崩擊穿圖解 MOSFET避免雪崩失效的方法

當(dāng)功率器件承受的雪崩耐量超過極限后，芯片最終會損壞，然而單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩的失效機(jī)理并不相同。

2024-02-25 標(biāo)簽：MOSFET雪崩擊穿功率器件 4792 0

一文詳解雪崩擊穿與齊納擊穿

材料摻雜濃度較低的PN結(jié)中，當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時(shí)，空間電荷區(qū)中的電場隨著增強(qiáng)。

2024-02-25 標(biāo)簽：PN結(jié)雪崩擊穿載流子 5780 0

什么是雪崩擊穿？電除塵器中的電子雪崩現(xiàn)象

材料摻雜濃度較低的PN結(jié)中，當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時(shí)，空間電荷區(qū)中的電場隨著增強(qiáng)。

2024-02-25 標(biāo)簽：示波器雪崩擊穿單脈沖 1481 0

什么是雪崩擊穿 雪崩失效電流路徑示意圖

雪崩擊穿（Avalanche Breakdown）是半導(dǎo)體器件中一個(gè)關(guān)鍵的物理現(xiàn)象，特別是在PN結(jié)二極管和各種類型的功率晶體管中。當(dāng)這些器件的反向電壓超...

2024-02-23 標(biāo)簽：電流半導(dǎo)體雪崩擊穿 3376 0

雪崩擊穿和齊納擊穿區(qū)別有哪些

崩擊穿和齊納擊穿是半導(dǎo)體器件中常見的兩種擊穿現(xiàn)象，它們在物理機(jī)制、電壓特性和應(yīng)用方面有很大的區(qū)別。本文將對這兩種擊穿現(xiàn)象進(jìn)行詳細(xì)的介紹和分析。 一、雪崩...

2023-12-30 標(biāo)簽：電壓雪崩擊穿半導(dǎo)體器件 2.2萬 0

雪崩擊穿和光電器件介紹與仿真

本推文包含兩個(gè)部分，一個(gè)是雪崩擊穿和碰撞電離的關(guān)系，一個(gè)是光電器件仿真簡介。旨在提倡用理論知識去指導(dǎo)仿真，和通過仿真結(jié)果反過來加深對理論理解的重要性。

2023-11-27 標(biāo)簽：仿真光電器件雪崩擊穿 1362 0

如何提高開關(guān)電源芯片MOSFET雪崩可靠性？

當(dāng)功率器件PN結(jié)的反向電壓增大到某一數(shù)值后，半導(dǎo)體內(nèi)載流子通過碰撞電離開始倍增，這一現(xiàn)象與宏觀世界中高山雪崩是很像的，所以我們稱之為雪崩擊穿。

2023-11-23 標(biāo)簽：MOSFET示波器VDMOS 1284 0

一文詳解MOSFET的失效機(jī)理

當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，會造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。

2022-05-16 標(biāo)簽：MOSFET雪崩擊穿雪崩失效 4619 0

什么原因?qū)е铝遂o態(tài)雪崩擊穿？

IGBT關(guān)斷時(shí)，如果關(guān)斷過快，di/dt過大會導(dǎo)致Vce電壓過大超過斷態(tài)電壓Uces時(shí)就有可能導(dǎo)致靜態(tài)雪崩擊穿。

2021-05-15 標(biāo)簽：IGBT雪崩擊穿 5988 0

雪崩擊穿與齊納擊穿有什么區(qū)別？

隨著反向電壓的提高，空間電荷區(qū)內(nèi)電場增強(qiáng)，通過勢壘區(qū)的載流子獲得的能量也隨之增加。

2020-09-13 標(biāo)簽：雪崩擊穿齊納 7.3萬 0