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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化...

2025-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體薄膜工藝 60 0

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅（SiC）是一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的材料，這些性質(zhì)使其在眾多行業(yè)中成為不可或缺的材料。 1. 半導(dǎo)體行業(yè) 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材...

2025-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件碳化硅可再生能源 287 0

碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案，對(duì)于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

一、引言隨著碳化硅在半導(dǎo)體等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，對(duì)其襯底質(zhì)量的檢測愈發(fā)關(guān)鍵。BOW（翹曲度）和 WARP（彎曲度）是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù)，準(zhǔn)確測量...

2025-01-23 標(biāo)簽：晶圓測量碳化硅 84 0

特氟龍夾具的晶圓夾持方式，相比真空吸附方式，對(duì)測量晶圓 BOW 的影響

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓作為芯片的基礎(chǔ)母材，其質(zhì)量把控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一便是對(duì) BOW（彎曲度）的精確測量。而在測量過程中，特氟龍夾具的晶圓夾持方式與傳統(tǒng)的真...

2025-01-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 211 0

測量探頭的 “溫漂” 問題，對(duì)于氮化鎵襯底厚度測量的實(shí)際影響

在半導(dǎo)體制造這一微觀且精密的領(lǐng)域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關(guān)鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應(yīng)用蓬勃發(fā)展。然而，氮化鎵襯底厚度測...

2025-01-20 標(biāo)簽：晶圓測量探頭碳化硅 161 0

碳化硅功率器件的散熱方法

碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其耐高壓、耐高溫、高開關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性，在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。...

2025-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 70 0

碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

碳化硅（SiC）功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能，封裝技術(shù)至...

2025-02-03 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 63 0

碳化硅襯底的生產(chǎn)過程

碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)特性，如高硬度、高熔點(diǎn)、高熱導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC襯底是...

2025-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 75 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)

功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性，還...

2025-02-03 標(biāo)簽：IGBT 功率器件碳化硅 86 0

安森美如何引領(lǐng)電源技術(shù)的綠色變革

在全球氣候變化日益嚴(yán)峻的背景下，節(jié)能減排已成為國際社會(huì)共同面臨的重大課題。各國政府紛紛出臺(tái)政策，推動(dòng)能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型和低碳經(jīng)濟(jì)發(fā)展，旨在實(shí)現(xiàn)《巴黎協(xié)定》設(shè)定...

2025-01-15 標(biāo)簽：安森美電源技術(shù)SiC 238 0

測量探頭的 “溫漂” 問題，都是怎么產(chǎn)生的，以及對(duì)于碳化硅襯底厚度測量的影響

在半導(dǎo)體制造這一高精尖領(lǐng)域，碳化硅襯底作為支撐新一代芯片性能飛躍的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，其厚度測量的準(zhǔn)確性如同精密機(jī)械運(yùn)轉(zhuǎn)的核心齒輪，容不得絲毫差錯(cuò)。然而，測量...

2025-01-15 標(biāo)簽：晶圓測量碳化硅 154 0

測量探頭的 “溫漂” 問題，對(duì)于碳化硅襯底厚度測量的實(shí)際影響

在半導(dǎo)體制造的微觀世界里，碳化硅襯底作為新一代芯片的關(guān)鍵基石，其厚度測量的精準(zhǔn)性如同精密建筑的根基，不容有絲毫偏差。然而，測量探頭的 “溫漂” 問題卻如...

2025-01-14 標(biāo)簽：晶圓測量碳化硅 212 0

不同的碳化硅襯底的吸附方案，對(duì)測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在當(dāng)今蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，碳化硅（SiC）襯底作為關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，正引領(lǐng)著高性能芯片制造邁向新的臺(tái)階。對(duì)于碳化硅襯底而言，其 BOW（彎曲度）和 WA...

2025-01-14 標(biāo)簽：晶圓測量碳化硅 165 0

極海G32R501全數(shù)字雙向電源參考方案介紹

雙向電源控制技術(shù)廣泛應(yīng)用于戶用儲(chǔ)能、便攜式儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車等應(yīng)用，在能源使用效率備受關(guān)注的今天，雙向電源必須滿足更高的效率和可靠性標(biāo)準(zhǔn)，高轉(zhuǎn)換效率已成為數(shù)...

2025-01-10 標(biāo)簽：mcu 數(shù)字電源碳化硅 287 0

碳化硅IGBT在汽車領(lǐng)域的關(guān)鍵作用是什么?

自電動(dòng)汽車大規(guī)模普及的早期階段以來，碳化硅(SiC)和其他寬禁帶(WBG)技術(shù)就被認(rèn)為是電池電動(dòng)汽車子系統(tǒng)的理想選擇。與傳統(tǒng)硅材料相比，寬禁帶材料具有更...

2025-01-08 標(biāo)簽：IGBT 碳化硅汽車 367 0

鐘罩式熱壁碳化硅高溫外延片生長裝置

一、引言隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種具有優(yōu)異物理和化學(xué)性質(zhì)的材料，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。高...

2025-01-07 標(biāo)簽：SiC 碳化硅硅外延片 245 0

減少減薄碳化硅紋路的方法

碳化硅（SiC）作為一種高性能半導(dǎo)體材料，因其出色的熱穩(wěn)定性、高硬度和高電子遷移率，在電力電子、微電子、光電子等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。在SiC器件的制造過...

2025-01-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 162 0

安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)？粉末純度、SiC晶錠一致性

硅通常是半導(dǎo)體技術(shù)的基石。然而，硅也有局限性，尤其在電力電子領(lǐng)域，設(shè)計(jì)人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導(dǎo)體。本文為白皮...

2025-01-05 標(biāo)簽：安森美 SiC GaN 866 0

溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其出色的寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等特性，在新能源、智能電網(wǎng)以及電動(dòng)汽車等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)...

2025-02-02 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 110 0

SiC MOSFET的參數(shù)特性

碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料（WBG）的一種，具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討...

2025-02-02 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 88 0

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驍龍是Qualcomm Technologies（美國高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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