砷化鎵

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砷化鎵（gallium arsenide）是一種無機(jī)化合物，化學(xué)式為GaAs，為黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏。

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砷化鎵技術(shù)

氮化鎵和砷化鎵哪個先進(jìn)

氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員，它們在各自的應(yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而，要判斷哪個更先進(jìn)，并不是一個簡單的二...

2024-09-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵砷化鎵 3207 0

提拉法生長晶體的概念和應(yīng)用

在外加電場作用下折射率發(fā)生變化，從而使通過晶體的一束激光分解為兩束偏振方向相互垂直的偏振光，并產(chǎn)生一根位差效應(yīng)的晶體。

2024-02-27 標(biāo)簽：晶體砷化鎵 1699 0

電磁量子標(biāo)準(zhǔn)扁平化應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢

約瑟夫森效應(yīng)和量子化霍爾電阻效應(yīng)對應(yīng)的h/2e和h/e2，剛好可以導(dǎo)出基本電荷e，在微觀上形成量子三角形（見圖5）。另外，國際上也正在積極探索基于單電子...

2024-01-08 標(biāo)簽：電磁石墨烯砷化鎵 1200 0

伯努利吸盤的應(yīng)用場景、原理及優(yōu)勢

伯努利吸盤是一種基于伯努利原理而工作的非接觸式吸盤。伯努利原理是流體動力學(xué)中的一個基本概念，由18世紀(jì)的瑞士科學(xué)家丹尼爾·伯努利提出。伯努利原理指出，在...

2023-12-27 標(biāo)簽：晶圓砷化鎵半導(dǎo)體制造 2906 0

半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長和硅片準(zhǔn)備（三）

我們看到的半導(dǎo)體晶圓是從一塊完整的半導(dǎo)體大晶體切成出來形成的。

2023-12-25 標(biāo)簽：砷化鎵半導(dǎo)體晶圓 1076 0

半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長和硅片準(zhǔn)備（二）

晶體材料可能有兩層原子結(jié)構(gòu)。首先是原子以特定的形狀排列在單個晶胞的特定的點上。

2023-12-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓砷化鎵 713 0

太陽能電池中表面等離子體增強(qiáng)光捕獲技術(shù)

光捕獲技術(shù)是提高太陽能電池光吸收率的有效方法之一，它可以減少材料厚度，從而降低成本。近年來，表面等離子體（SP）在這一領(lǐng)域取得了長足的進(jìn)步。利用表面等離...

2023-12-05 標(biāo)簽：太陽能電池太陽能等離子體 1486 0

太陽能電池中表面等離子體增強(qiáng)光捕獲方案

延長光路的常見方法是在電池中集成背反射器，或使用光捕獲結(jié)構(gòu)多次散射光線，使其進(jìn)入活性吸收層。在電池表面添加防反射涂層或在電池表面進(jìn)行紋理處理，可以減少陽...

2023-12-02 標(biāo)簽：太陽能電池石墨烯砷化鎵 1010 0

氮化鎵技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀分析

GaN器件的功率密度是砷化鎵(GaAs) 器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能夠提供更寬的帶寬，更高的放大器增益和更高的效率,這是由于器件外圍更小。

2023-08-21 標(biāo)簽：放大器導(dǎo)通電阻氮化鎵 514 0

半導(dǎo)體器件中材料、工藝結(jié)構(gòu)、模型之間的關(guān)系

為了延續(xù)傳統(tǒng)平面型晶體管制造技術(shù)的壽命，彌補(bǔ)關(guān)鍵尺寸縮小給傳統(tǒng)平面型晶體管帶來的負(fù)面效應(yīng)，業(yè)界研究出了很多能夠改善傳統(tǒng)平面型晶體管性能的技術(shù)。

2023-08-21 標(biāo)簽：晶體管 MOS 砷化鎵 1178 0

砷化鎵帖子

砷化鎵二極管在高性能功率轉(zhuǎn)換中的作用是什么？

標(biāo)簽：二極管功率轉(zhuǎn)換砷化鎵 10161 0

如何使用砷化鎵二極管降低高功率LLC轉(zhuǎn)換器的成本？

標(biāo)簽：二極管 LLC 砷化鎵 9180 0

請問砷化鎵芯片化學(xué)腐蝕開封的配酸比例和溫度多少比較合適呀？

標(biāo)簽：砷化鎵 8067 1

射頻從業(yè)者必看，全球最大的砷化鎵晶圓代工龍頭解讀

標(biāo)簽：砷化鎵 0 0

臨時鍵合有人做過這個嗎？

標(biāo)簽：砷化鎵 84105 5

砷化鎵資料下載

AS169-73 PHEMT砷化鎵集成電路單刀雙擲開關(guān)規(guī)格書立即下載

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HMC998APM5E分布式功率放大器規(guī)格書立即下載

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HMC-AUH256砷化鎵放大器規(guī)格書立即下載

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HMMC-1015 DC–50GHz可變衰減器產(chǎn)品簡介立即下載

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載流子輸運現(xiàn)象之散射率、遷移率、電阻率、砷化鎵立即下載

類別：電子資料 2023-02-27 標(biāo)簽：砷化鎵電導(dǎo)率載流 523 0

砷化鎵集成單刀雙擲開關(guān)AS179-92LF英文手冊立即下載

類別：IC datasheet pdf 2022-04-12 標(biāo)簽：砷化鎵單刀雙擲開關(guān) 592 0

砷化鎵電池及砷化鎵LED綜述立即下載

類別：課件下載 2021-08-09 標(biāo)簽：LED 砷化鎵電池 1490 0

ADPA7009CHIP英文手冊立即下載

類別：IC datasheet pdf 2021-04-12 標(biāo)簽：集成電路晶體管砷化鎵 575 0

半導(dǎo)體制造技術(shù)之半導(dǎo)體的材料特性立即下載

類別：半導(dǎo)體技術(shù)論文 2018-11-08 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體砷化鎵 3031 0

砷化鎵資訊

河南澠池縣碳化硅半導(dǎo)體材料及砷化鎵襯底固廢綜合利用項目

5月9日，河南澠池縣舉行了化合物半導(dǎo)體碳化硅材料與固廢綜合利用砷化鎵襯底項目的簽約儀式。在儀式上，化合物半導(dǎo)體材料團(tuán)隊執(zhí)行總監(jiān)李有群對該項目做了詳細(xì)介紹。

2024-05-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體砷化鎵碳化硅 1338 0

三安集成于EDICON24展示新一代砷化鎵射頻器件制造工藝

北京2024年4月10日 /美通社/ -- EDICON CHINA 2024 （電子設(shè)計創(chuàng)新大會）于4月9日-10日在北京會議中心正式舉行，暌違三年有...

2024-04-10 標(biāo)簽：無線通信砷化鎵射頻器件 485 0

南京大學(xué)團(tuán)隊首次觀測到引力子激發(fā)現(xiàn)象

該科研成果已于北京時間2024年3月28日以“證據(jù)表明分?jǐn)?shù)量子霍爾液體中有手性黑格斯模”為題在國際頂尖學(xué)術(shù)期刊Nature上公開發(fā)表。全球的引力子研究一...

2024-03-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)砷化鎵 645 0

碳化硅SiC襯底生產(chǎn)工藝流程與革新方法

HTCVD法能通過控制源輸入氣體比例可以到達(dá)較為精準(zhǔn)的 Si/C比，進(jìn)而獲得高質(zhì)量、高純凈度的碳化硅晶體，但由于氣體作為原材料晶體生長的成本很高，該法主...

2024-02-29 標(biāo)簽：光電器件 SiC 砷化鎵 2464 0

菏澤市牡丹區(qū)砷化鎵半導(dǎo)體晶片項目奠基儀式隆重舉行

首期項目斥資15億人民幣，致力開發(fā)4/6英寸砷化鎵生產(chǎn)線。預(yù)計在2025年7月開始試運行，此階段主要專注于砷化鎵半導(dǎo)體表面發(fā)射型鐳射VCSEL產(chǎn)品的生產(chǎn)...

2024-02-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片砷化鎵 1812 0

Sumitomo射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件該怎么選？

氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點對點無線電和其他應(yīng)用。

2023-12-15 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 砷化鎵 781 0

Gel-Pak真空釋放盒砷化鎵芯片儲存解決方案

上海伯東美國 Gel- Pak VR 真空釋放盒, 非常適用于運輸以及儲存砷化鎵芯片和 MMIC 的器件.

2023-12-14 標(biāo)簽：功率放大器光通信砷化鎵 948 0

砷化鎵器件在微波領(lǐng)域的應(yīng)用

GaAs器件在微波領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛，器件分類齊全，包括徽波分立器件、微波混合集成電路、微波模擬和數(shù)字單芯片集成電路等。

2023-11-08 標(biāo)簽：集成電路功率器件砷化鎵 720 0

鎵、鍺元素為何會影響整個半導(dǎo)體領(lǐng)域？

中國對鎵、鍺實施出口管制，短期內(nèi)會引起全球鎵、鍺的備貨潮，遭到相關(guān)企業(yè)瘋搶，推動相關(guān)海外產(chǎn)品價格大幅上漲，國外企業(yè)AXT股價已大幅下跌。

2023-07-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)物聯(lián)網(wǎng)氮化鎵 2163 0

限制出口的鎵和鍺有何重要性？

鎵和鍺是新興的戰(zhàn)略關(guān)鍵礦產(chǎn)，已被列入國家戰(zhàn)略性礦產(chǎn)名錄。中國在鎵和鍺的儲量和出口方面都處于全球領(lǐng)先地位。

2023-07-10 標(biāo)簽：衛(wèi)星通信半導(dǎo)體材料砷化鎵 1516 0

砷化鎵數(shù)據(jù)手冊

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加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個系統(tǒng)隨時監(jiān)控發(fā)動機(jī)的運行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會馬上發(fā)出警示。
傅里葉變換

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盡管最初傅里葉分析是作為熱過程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征。“任意”的函數(shù)通過一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對簡單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
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角度傳感器

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角度傳感器，顧名思義，是用來檢測角度的。它的身體中有一個孔，可以配合樂高的軸。當(dāng)連結(jié)到RCX上時，軸每轉(zhuǎn)過1/16圈，角度傳感器就會計數(shù)一次。
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DMD是一種整合的微機(jī)電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開始，再透過光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達(dá)到640X480，傳輸速率可以達(dá)到30幀。
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HCS12X系列單片機(jī)簡介 Freescale 公司的16位單片機(jī)主要分為HC12 、HCS12、HCS12X三個系列。HC12核心是16位高速CPU12核，總線速度8MHZ；HCS12系列單片機(jī)以速度更快的CPU12內(nèi)核為核心，簡稱S12系列，典型的S12總線速度可以達(dá)到25MHZ。
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干擾器有多種類型，如GPS干擾器是適用于長途客車司機(jī)以及一些不想被GPS信號追蹤到的人群的一個機(jī)器，手機(jī)信號干擾器主要針對各類考場、學(xué)校、加油站、教堂、法庭、圖書館、會議中心（室）、影劇院、醫(yī)院、政府、金融、監(jiān)獄、公安、軍事重地等禁止使用手機(jī)的場所。
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采用彈性敏感元件制成懸臂式位移器，與采用彈性敏感元件制成的儲能彈簧來驅(qū)動電觸點，完成從重力變化到電信號的轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用在中高端智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)。
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無刷直流電機(jī)由電動機(jī)主體和驅(qū)動器組成，是一種典型的機(jī)電一體化產(chǎn)品。無刷電機(jī)是指無電刷和換向器（或集電環(huán)）的電機(jī)，又稱無換向器電機(jī)。早在十九紀(jì)誕生電機(jī)的時候，產(chǎn)生的實用性電機(jī)就是無刷形式，即交流鼠籠式異步電動機(jī)，這種電動機(jī)得到了廣泛的應(yīng)用。
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聲紋識別，生物識別技術(shù)的一種，也稱為說話人識別，包括說話人辨認(rèn)和說話人確認(rèn)。聲紋識別就是把聲信號轉(zhuǎn)換成電信號，再用計算機(jī)進(jìn)行識別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會使用不同的聲紋識別技術(shù)，如縮小刑偵范圍時可能需要辨認(rèn)技術(shù)，而銀行交易時則需要確認(rèn)技術(shù)。
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直流電壓

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凡是電流方向不隨時間變化的電流稱為直流電壓。電流值可以全為正值，也可以全為負(fù)值。在直流電流中又可分為兩種：穩(wěn)恒直流和脈動直流。直流輸電技術(shù)已經(jīng)由簡單的端對端工程朝著大規(guī)模多端輸電的方向發(fā)展，這些工程將是未來直流電網(wǎng)的組成部分，將相同電壓等級的直流工程連接成網(wǎng)遠(yuǎn)比不同電壓等級下的獨立工程更經(jīng)濟(jì)、便捷。
LPC2368

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緩沖電路

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Buck-Boost

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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開單獨使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫崿F(xiàn)升降壓功能，常見的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個開關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個開關(guān)管和兩個二極管，可實現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
識別技術(shù)

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所謂識別技術(shù)，也稱為自動識別技術(shù)，通過被識別物體與識別裝置之間的交互自動獲取被識別物體的相關(guān)信息，并提供給計算機(jī)系統(tǒng)供進(jìn)一步處理。
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電磁繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動控制電路中，它實際上是用較小的電流、較低的電壓去控制較大電流、較高的電壓的一種“自動開關(guān)”。故在電路中起著自動調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。
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