巨磁電阻簡介

　　巨磁阻前3個(gè)層控制著磁頭的電阻。在栓層中，磁場強(qiáng)度是固定的，并且磁場方向被相臨的交換層所保持。而且自由層的磁場強(qiáng)度和方向則是隨著轉(zhuǎn)到磁頭下面的磁盤表面的微小磁化區(qū)所改變的，這種磁場強(qiáng)度和方向的變化導(dǎo)致明顯的磁頭電阻變化，在一個(gè)固定的信號(hào)電壓下面，就可以拾取供硬盤電路處理的信號(hào)。巨磁阻磁頭GMR磁頭與MR磁頭一樣，是利用特殊材料的電阻值隨磁場變化的原理來讀取盤片上的數(shù)據(jù)，但是GMR磁頭使用了磁阻效應(yīng)更好的材料和多層薄膜結(jié)構(gòu)，比MR磁頭更為敏感，相同的磁場變化能引起更大的電阻值變化，從而可以實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度，現(xiàn)有的MR磁頭能夠達(dá)到的盤片密度為3Gbit－5Gbit/in2（千兆位每平方英寸），而GMR磁頭可以達(dá)到10Gbit－40Gbit/in2以上。目前GMR磁頭已經(jīng)處于成熟推廣期，在今后它將會(huì)逐步取代MR磁頭，成為最流行的磁頭技術(shù)。