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      標簽　>　導通電阻

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      導通電阻簡介

      　　理想的PN結在正向導通后應該是沒有電阻的，而實際的PN結比如二極管受材料、工藝的影響，在導通時實際上兩端還有一個電阻，這個電阻一般在幾歐到幾十歐之間，被稱為導通電阻。導通電阻可由二極管；兩端電壓和導通電流求得。

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      導通電阻知識

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      導通電阻技術

      MOS管的損耗與哪些因素

      MOS管的損耗是一個復雜而重要的議題，它涉及到多個因素，包括MOS管本身的物理特性、電路設計、工作條件以及外部環境等。

      2024-08-07 標簽：MOS管導通電阻損耗 1833 0

      SiC MOSFET：通過波形的線性近似分割來計算損耗的方法

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      首先，計算開通和關斷時間內消耗的功率損耗Pton和Ptoff。波形使用圖1中的示例波形。功率損耗使用表1中的近似公式來計算。由于計算公式會因波形的形狀而...

      2024-05-29 標簽：MOSFET導通電阻SiC 1511 0

      常用的MOS做電源開關的電路分享

      常用的MOS做電源開關的電路分享

      由于NMOS和PMOS在原理和生產工藝上存在差異，導致同價格的NMOS在開通速度、額定電流、導通內阻這些參數上均優于PMOS，所以設計中盡量優先選擇NMOS。

      2024-04-25 標簽：電機控制導通電阻電源開關 4443 0

      碳化硅（SiC）功率器件探討：未來的能源解決方案

      碳化硅（SiC）功率器件探討：未來的能源解決方案

      隨著全球對更高效、更可持續能源解決方案的需求不斷增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領域的一個重要進展。

      2024-04-15 標簽：導通電阻功率器件SiC 790 0

      淺析IGBT成為熱門的技術原因及應用

      淺析IGBT成為熱門的技術原因及應用

      近年IGBT這個專業名詞非常的熱。電子、半導體、汽車、能源、電力、控制系統等行業，好像都涉及到了這個名詞。

      2024-04-12 標簽：半導體導通電阻IGBT 1128 0

      如何給電路選擇最合適的MOS產品？選擇MOS管時需考慮的關鍵要素

      如何給電路選擇最合適的MOS產品？選擇MOS管時需考慮的關鍵要素

      MOS作為一種非常常見的分立器件，它具有開關、放大、調壓等作用。MOSFET是電壓控制的管子，通常，MOS管損耗比三極管小,導通后壓降理論上為0。

      2024-04-02 標簽：MOS管導通電阻車載逆變器 1649 0

      如何看懂MOS管的每一個參數

      如何看懂MOS管的每一個參數

      那么結溫和熱阻有什么用呢？--半導體器件主要通過熱傳遞的方式對元件本身進行散熱，當芯片溫度升高，超過結溫后會導致元件損壞。

      2024-03-18 標簽：MOS管導通電阻晶體管 2747 0

      MOS管和IGBT管到底有什么區別

      MOS管和IGBT管到底有什么區別

      IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFE...

      2024-03-13 標簽：開關電源MOS管導通電阻 680 0

      場效應管是如何導通的 場效應管導通和截止的條件

      場效應管是如何導通的 場效應管導通和截止的條件

      在一般情況下，場效應管（FET）的導通電阻越小越好，因為較小的導通電阻意味著在導通狀態下，FET可以提供更低的電阻，允許更大的電流通過。

      2024-03-06 標簽：放大器開關電路MOSFET 9110 0

      模擬開關的作用、模擬開關的選擇方法

      模擬開關的作用、模擬開關的選擇方法

      模擬開關由于其應用的信號鏈路為電子板低壓工作環境，耐壓值一般在15v以內，常見的有3.3v、5v、12v、15v等最大耐壓值。選擇時必須注意信號鏈路的最...

      2024-03-05 標簽：導通電阻模擬開關等效電容 3667 0

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      導通電阻資料下載

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      導通電阻資訊

      MDD辰達半導體的MOS管助力米充氣寶高效節能

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      2024-12-28 標簽：MOS管導通電阻MDD 393 0

      銳駿半導體發布全新超低導通電阻MOSFET

      近日，銳駿半導體正式推出了兩款全新的超低導通電阻MOSFET產品，為市場帶來了更加高效的解決方案。

      2024-10-08 標簽：MOSFET導通電阻銳駿半導體 426 0

      Qorvo?推出采用TOLL封裝的750V4mΩSiC JFET

      中國 北京，2024 年 6 月 12 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布，率先在業界推出采用 T...

      2024-06-12 標簽：電源封裝導通電阻 471 0

      士蘭微電子車規級MOS產品獲CIAS2024年度“最具市場力產品獎”

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      2024年4月23-24日，CIAS2024功率半導體新能源創新發展大會暨 CIAShow功率半導體、裝備與材料創新展在蘇州獅山國際會議中心舉辦，士蘭微...

      2024-04-26 標簽：士蘭微電子導通電阻IGBT 887 0

      合科泰推出一款采用TO-263封裝的N溝道MOS管HKTE180N08

      合科泰推出一款采用TO-263封裝的N溝道MOS管HKTE180N08

      大功率MOS通常具有耐高電壓和扛大電流等特性，在大功率應用場景如電車、儲能電站、光伏等高功率應用上具有重要作用。

      2024-03-22 標簽：鋰離子電池MOS管導通電阻 951 0

      國基南方、55所碳化硅MOSFET出貨量破1500萬

      碳化硅MOSFET能讓新能源汽車充電速度提高5-10倍，續航里程提高8%以上，能耗降低50%，優異的性能讓其成為新能源汽車所需的關鍵元器件。

      2024-03-22 標簽：新能源汽車MOSFET導通電阻 271 0

      MDD肖特基二極管助力充電樁電源功率損耗低

      MDD肖特基二極管助力充電樁電源功率損耗低

      隨著電動汽車的普及，充電樁的需求逐漸增長，對其電源的效率和可靠性提出了更高的要求。

      2024-03-14 標簽：電動汽車導通電阻肖特基二極管 684 0

      瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規級可靠性認證

      瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規級可靠性認證

      3月8日，瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。

      2024-03-11 標簽：MOSFET導通電阻SiC 850 0

      Vishay推出多功能新型30 V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET

      Vishay推出多功能新型30 V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET

      Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增...

      2024-02-22 標簽：轉換器MOSFETVishay 817 1

      SiC市場供需之變與未來趨勢

      SiC市場供需之變與未來趨勢

      從行業趨勢看，SiC上車是大勢所趨。盡管特斯拉曾在2023年3月的投資者大會上表示，將減少75%的SiC用量，一度引發SiC未來發展前景不明的猜測，但后...

      2024-01-24 標簽：MOSFET逆變器導通電阻 944 0

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      導通電阻數據手冊

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