硅片形貌效應及其與底部抗反射涂層(BARC)沉積策略關系的解析

硅片形貌效應在光刻工藝中十分重要，特別是在現(xiàn)代集成電路制造中，如FinFET等先進器件結構以及雙重圖形技術的廣泛應用下，硅片表面的微小不平整性對光刻結果...

2024-11-22 標簽：多晶硅硅片DPT 486 0

多晶硅柵耗盡效應簡述

當柵與襯底之間存在壓差時，它們之間存在電場，靜電邊界條件使多晶硅靠近氧化層界面附近的能帶發(fā)生彎曲，并且電荷耗盡，從而形成多晶硅柵耗盡區(qū)。該耗盡區(qū)會在多晶...

2024-08-02 標簽：多晶硅靜電NMOS 3485 0

淺析多晶硅錠中位錯存在的兩種來源

根據晶體凝固生長與位錯形成、運動與增殖的理論，多晶硅錠中位錯存在兩種來源：原生和增殖。

2024-03-27 標簽：多晶硅 612 0

有了2D NAND，為什么要升級到3D呢？

2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。

2024-03-17 標簽：多晶硅NANDFlaSh 1125 0

可以用鋁或多晶硅做柵極材料，是什么原因呢？

柵（Gate）是一種控制元件，通常用于場效應晶體管（FET）中，比如金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）等。

2024-03-13 標簽：多晶硅MOSFET半導體 2201 0

芯片制造工藝：晶體生長基本流程

從液態(tài)的熔融硅中生長單晶硅的及基本技術稱為直拉法（Czochralski）。半導體工業(yè)中超過90%的單晶硅都是采用這種方法制備的。

2024-03-12 標簽：集成電路多晶硅晶體 4454 0

多晶硅的塊狀破碎過程解析

人工破碎就是工人用碳化鎢錘多晶硅棒進行錘擊達到粉碎的目的。碳化鎢的硬度僅次于鉆石，能夠保持鋒利的邊緣和形狀，即使在高強度使用下也不容易磨損。

2024-02-27 標簽：多晶硅短脈沖放電高壓脈沖 1397 0

深度解析finFET設計規(guī)則

inFET 技術有幾個含義。最重要的是，硅鰭片的高度和寬度尺寸是由制造工藝決定的，而不是由電路設計者決定的。這意味著每個晶體管的寬度尺寸是由柵極多晶硅穿...

2024-02-21 標簽：多晶硅晶體管集成芯片 2137 0

什么是離子注入？離子注入的應用介紹

離子注入是將高能離子注入半導體襯底的晶格中來改變襯底材料的電學性能的摻雜工藝。通過注入能量、角度和劑量即可控制摻雜濃度和深度，相較于傳統(tǒng)的擴散工藝更為精確。

2024-02-21 標簽：多晶硅mems離子注入 5366 0

一文詳解MEMS高溫壓力傳感器

高溫壓力傳感器廣泛應用于工業(yè)、航空航天等領域，用來監(jiān)測航空發(fā)動機、重型燃氣輪機、燃煤燃氣鍋爐等動力設備燃燒室內的壓力，耐高溫和高可靠性是對其最基本的要求。

2024-01-23 標簽：多晶硅mems壓力傳感器 4942 0

上海交大梁正：探究表面雜原子對硅烷解離影響

多晶硅（polysilicon）是太陽能電池、儲能設備和半導體領域中廣泛使用的關鍵材料。

2024-01-23 標簽：太陽能電池多晶硅半導體 882 0

硅的形態(tài)與沉積方式

優(yōu)化硅的形態(tài)與沉積方式是半導體和MEMS工藝的關鍵，LPCVD和APCVD為常見的硅沉積技術。

2024-01-22 標簽：多晶硅半導體mems 3440 0

硅的電阻率和方阻測定和使用問題解析

在MEMS器件設計過程中電學性能是重中之重。MEMS大多數由襯底、介質層和金屬層組成，硅襯底、多晶硅和金屬均與電學性能密不可分。

2024-01-13 標簽：多晶硅硅晶圓MEMS器件 4629 0

光伏發(fā)電原理和光伏電池片技術詳解

光伏電池片領域降本增效是推動光伏產業(yè)不斷發(fā)展的內在牽引力，其中以提升光電轉換效率為目標的光伏電池片技術變革是推動降本增效的關鍵舉措之一。

2023-12-28 標簽：多晶硅光伏電池光伏 2.7萬 0

多晶硅的刻蝕機理介紹

SEMI-e 第六屆深圳國際半導體技術暨應用展覽會將持續(xù)關注產業(yè)核心技術和發(fā)展前沿，向20多個應用領域提供一站式采購與技術交流平臺。

2023-12-25 標簽：多晶硅MOSFET功率器件 2404 0

半導體行業(yè)之晶體生長和硅片準備（一）

在接下來的一個章節(jié)里面，我們將主要介紹用砂子制備半導體級硅的方法，以及后續(xù)如何將其轉化為晶體和晶圓片(材料制備階段)，以及如何來生產拋光晶圓的過程(晶體...

2023-12-18 標簽：多晶硅半導體晶圓 769 0

IGBT中的MOS結構—閾值電壓（下）

上一節(jié)我們討論了柵極與半導體材料之間的功函數差，本節(jié)我們討論絕緣層電荷的影響。

2023-11-29 標簽：多晶硅半導體IGBT 3136 0

IGBT中的MOS結構—閾值電壓（上）

MOS之所以能夠以電壓控制，并起到開關的作用，正是由于上述反型層的機制

2023-11-29 標簽：多晶硅IGBTMOS 4483 0