半導體制造之離子注入工藝

旋轉圓盤與旋轉輪類似，不同之處在于旋轉圓盤不是擺動整個圓盤，而是用掃描離子束的方式在整個晶圓表面獲得均勻的離子注入。下圖說明了旋轉圓盤系統。

2023-06-06 標簽：集成電路半導體工藝 2577 0

單晶片背面和斜面清潔（上）

介紹 在IC制造中，從晶圓背面(BS)去除顆粒變得與從正面(FS)去除顆粒一樣重要。例如，在光刻過程中，； BS顆粒會導致頂側表面形貌的變化。由于焦深(...

2022-06-27 標簽：晶圓單晶片 1127 0

用于光刻膠去除的單晶片清洗技術

本文的目標是討論一種新技術，它可以在保持競爭力的首席運營官的同時改善權衡。 將開發濕化學抗蝕劑去除溶液的能力與對工藝和工具要求的理解相結合，導致了用于光...

2022-05-07 標簽：清洗單晶片 944 0

使用單晶片自旋處理器的背面清潔研究

在這項研究中，我們華林科納使用經濟特區單晶片自旋處理器開發了一種單一背面清潔解決方案，能夠通過蝕刻晶片背面的幾埃來去除任何金屬或外來污染物，無論其涂層如...

2022-05-06 標簽：處理器單晶片清潔 525 0

半導體單晶片旋轉清洗器中渦流的周期性結構

引言 近年來，隨著集成電路的微細化，半導體制造的清洗方式從被稱為“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐漸改變為“單張式”的晶片一次清洗的方式。在半導體的...

2021-12-23 標簽：半導體單晶片 1320 0

關于單晶的制作過程講解

首先，將前面所獲得的高純度多晶硅融化，形成液態的硅。之后，以單晶的硅種（seed）和液體表面接觸，一邊旋轉一邊緩慢的向上拉起。至于為何需要單晶的硅種，是...

2019-08-25 標簽：半導體單晶片 1.3萬 0

碳化硅晶片制備技術與國際產業布局

碳化硅晶片薄化技術，碳化硅斷裂韌性較低，在薄化過程中易開裂，導致碳化硅晶片的減薄非常困難。碳化硅切片的薄化主要通過磨削與研磨實現。

2023-12-12 標簽：單晶片碳化硅 818 0

GaSb單晶研究進展綜述

近年來，銻化物紅外技術發展迅速，成為半導體技術的重要發展方向之一。

2023-11-13 標簽：激光器光電器件紅外探測器 2287 0

使用清洗溶液實現蝕刻后殘留物的完全去除

我們華林科納半導體開發了一種新的濕法清洗配方方法，其錫蝕刻速率在室溫下超過30/min，在50°c下超過100/min。該化學品與銅和低k材料兼容，適用...

2022-06-14 標簽：蝕刻清洗單晶片 3216 0

單片SPM系統的清洗技術

單片SPM系統使用了大量的化學物質，同時滿足28nm以下的清潔規格。 本文描述了在集成系統Ultra-C Tahoe中使用批量SPM系統和單晶片清洗，結...

2022-04-01 標簽：清洗單晶片SPM 1656 0

單晶片濕法清潔工藝的氧氣控制

摘要 低氧含量的濕法加工可能會提供一些優勢，但是，完全控制在晶圓加工過程中避免吸氧仍然是單個晶圓工具上的短流程工業化的挑戰。在線氧濃度監測用于工藝優化。...

2022-03-02 標簽：半導體單晶片 437 0

單晶片清洗中分散現象對清洗時間的影響

摘要 硅晶片制造涉及許多濕法工藝，其中液體分布在整個晶片表面。在單晶片工具中，流體分配是至關重要的，它決定了清潔過程的均勻性。研究了沖洗流中的流體動力學...

2022-03-01 標簽：半導體單晶片 492 0

單晶片超音波清洗機的聲學特性分析

單晶片兆頻超聲波清洗機的聲音分布通過晶片清洗測試、視覺觀察、聲音測量和建模結果來表征。該清潔器由一個水平晶圓旋轉器和一個兆頻超聲波換能器/發射器組件組成...

2021-12-20 標簽：超聲波單晶片 934 0

CS5265替代VL102+PS176的轉換方案

目前USB TYPEC轉HDMI2.0轉換方案或者TYPEC轉HDMI2.0轉換器方案都是用PS176加一個PD芯片來實現，其中VL102是一顆PD協議...

2021-11-08 標簽：單晶片USB-C電源傳輸 897 0