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為了提高915 nm半導(dǎo)體激光器腔面抗光學(xué)災(zāi)變的能力，采用基于Si0：薄膜無雜質(zhì)誘導(dǎo)量子阱混合法制備符合915 nm半導(dǎo)體激光器AIGaInAs單量子阱的非吸收窗口．研究了無雜質(zhì)空位誘導(dǎo)量子阱混合理論及不同退火溫度、不同退火時(shí)間、SiO2薄膜厚度、SiO2薄膜折射率、不同蓋片等試驗(yàn)參數(shù)對制備非吸窗口的影響，并且討論了Si0，薄膜介質(zhì)膜的多孔性對無雜質(zhì)誘導(dǎo)量子阱混合的影響．實(shí)驗(yàn)制備出藍(lán)移波長為53 nm的非吸收窗口，最佳制備非吸收窗口條件為退火溫度為875℃，退火時(shí)間為90s，SiO2薄膜折射率為1.447，厚度為200 nm，使用GaAs蓋片．
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