1、前言
　　Hirokawa 和Ando于1998年首先提出了基片集成波導（Substrate Integrated Waveguide，SIW），即在介質基片中制作兩排金屬化通孔，與上下表面圍成準封閉的導波結構。相對于傳統(tǒng)的金屬波導，SIW體積小、重量輕；同 時，相對于微帶線等傳統(tǒng)電路，SIW損耗小、輻射低。吳柯教授以及其他的專家學者對SIW進行了數值分析、建模及特性分析，并實現了各類高性能的器件，例 如濾波器、定向耦合器、移相器、天線單元及陣列等。然而在實際工程應用中，單一器件往往不能滿足系統(tǒng)需求，各組件、部件乃至各子系統(tǒng)一般都要求盡可能使用 同一種傳輸線，從而保證內部連接更為緊湊，使得損耗更小，性能穩(wěn)定。由于基片集成波導的結構包含大量金屬化圓孔，仿真軟件在仿真的時候，往往導致計算機內 存不夠而運行終止，或者占用內存較大而降低仿真效率。
　　本文基于上述考慮，結合單脈沖網絡的項目需求，運用HFSS軟件，采用優(yōu)化設計模型，設計了基片集成波導的單脈沖饋電網絡。在考慮到各項誤差后，測試結果和仿真結果基本吻合，從而證明優(yōu)化模型在基片集成波導設計中的高效性，也證明HFSS在電路設計過程中的實用價值。
　　2、基于基片集成波導的單脈沖饋電網絡
　　2.1、基片集成波導
　　
　　圖1、基片集成波導結構
　　基 片集成波導（Substrate integrated waveguide，SIW）是一種新的微波傳輸線形式，其利用金屬過孔或金屬柱，在介質基片上實現波導的場傳播模式，如圖1所示。由于其傳播模式和傳統(tǒng) 的金屬波導相同，因此在電性能上，其等效為一段填充有介質的金屬波導，等效寬度可由等效公式進行計算。
　　
　　公式1 等效寬度的計算公式
　　其中a‘為基片集成波導的寬度，W是金屬化孔間距，R是金屬化孔的半徑，而a為填充介質的等效金屬波導寬度。為提高仿真效率同時防止電磁波從金屬化孔間泄露，一般取3R≤W≤4R。