資料介紹
當(dāng)代微處理器對(duì)為處理器內(nèi)核供電的電源提出了更高的要求。允許的電源電壓變化低至100mV,瞬態(tài)電流在5A范圍內(nèi),上升和下降時(shí)間為20ns。這些要求需要非常精確、非常高速的調(diào)節(jié)器。迄今為止采用的線性解決方案依賴于由低成本控制電路驅(qū)動(dòng)的單片調(diào)節(jié)器或PNP晶體管。因?yàn)樵谧詈玫那闆r下,這些電路對(duì)瞬態(tài)負(fù)載的響應(yīng)時(shí)間以微秒計(jì),所以這些解決方案取決于CPU周圍是否存在數(shù)百微法的低ESR去耦電容。這些電容的成本在電源總成本中占很大比例。
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