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發(fā)視頻N溝道40 V，1.9 mOhm，200 A標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET PSMN1R9-40YSB數(shù)據(jù)手冊
2024-02-21 |
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資料介紹
175°C LFPAK56中的200 A標(biāo)準(zhǔn)電平柵極驅(qū)動(dòng)N溝道增強(qiáng)型MOSFET封裝，使用先進(jìn)的TrenchMOS超級結(jié)技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化，提供提高了EMC性能(最高6 dB)。該產(chǎn)品經(jīng)過設(shè)計(jì)并符合高性能電源開關(guān)應(yīng)用。
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