由于全球經(jīng)濟(jì)與科技的發(fā)展，電子產(chǎn)品已迅速深入世界的各個(gè)角落。然而，許多偏遠(yuǎn)地區(qū)基礎(chǔ)建設(shè)不佳，或是氣候極端的地方，電子產(chǎn)品遭受雷擊的機(jī)率與能量提高，所造成電氣過載（Electrical Overstress， EOS）的反修率也隨之提升。因此，如中國內(nèi)地自家電下鄉(xiāng)計(jì)劃之后，不斷的提高電子產(chǎn)品雷擊耐受度（IEC 61000-4-5）的規(guī)格，從原有的1kV，漸漸提升到4kV，甚至已有產(chǎn)品要求6kV的規(guī)格。雷擊事件所產(chǎn)生的噪聲是屬低頻（事件長(zhǎng)度為20usec以上）但能量卻很大的噪聲，所以雷擊保護(hù)組件的設(shè)計(jì)都著重在能宣泄大能量噪聲，而非其反應(yīng)速度上。雷擊保護(hù)組件目前還是以陶瓷材料所制作的組件如Varistor為主，因?yàn)槠涑杀镜陀帜苄勾竽芰康睦讚粼肼暋２贿^這類組件因其反應(yīng)速度很慢（大于35nsec以上），不可以同時(shí)拿來當(dāng)靜電放電（Electrostatic Discharge， ESD）保護(hù)組件。至于ESD事件所產(chǎn)生的噪聲是屬高頻（事件長(zhǎng)度為60nsec以內(nèi)）但能量很小的噪聲，所以ESD保護(hù)組件的設(shè)計(jì)必須著重于其反應(yīng)速度上，唯有反應(yīng)速度在10nsec以內(nèi)的保護(hù)組件才有ESD防護(hù)效果。雷擊保護(hù)組件的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)在于要在有限的組件體積下，能宣泄最大能量的雷擊噪聲，而組件材料的選擇會(huì)是設(shè)計(jì)重點(diǎn)。ESD保護(hù)組件的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)則是在設(shè)計(jì)組件的快速反應(yīng)速度與反應(yīng)后的低導(dǎo)通阻抗，唯有如此才能提供低箝制電壓來保護(hù)系統(tǒng)的正常運(yùn)作，而此類組件的設(shè)計(jì)重點(diǎn)會(huì)是在組件結(jié)構(gòu)及其所用的制程上。ESD保護(hù)組件現(xiàn)在則是以半導(dǎo)體材料與制程所制作的組件為主，因?yàn)槠浔Ｗo(hù)效果最佳、組件可靠度也最佳、成本也可因設(shè)計(jì)成Array式而降得很低。晶焱科技擁有先進(jìn)的雷擊與ESD防護(hù)設(shè)計(jì)技術(shù)。針對(duì)雷擊保護(hù)，晶焱科技推出AZ3 系列雷擊保護(hù)方案，提供低電容、高雷擊耐受度的防護(hù)組件，供系統(tǒng)產(chǎn)品于雷擊測(cè)試時(shí)最佳的防護(hù)效果。另由于半導(dǎo)體組件快速反應(yīng)的特性，因此同時(shí)提供ESD防護(hù)的功能，用戶不需再額外添加ESD保護(hù)組件。晶焱科技的ESD和雷擊保護(hù)組件擁有極低的箝制電壓（Clamping Voltage），使得 ESD的能量能被箝制在更低的電壓以防止系統(tǒng)內(nèi)部電路于雷擊或ESD測(cè)試時(shí)發(fā)生數(shù)據(jù)錯(cuò)誤、當(dāng)機(jī)甚至受到損毀。因此箝制電壓是判斷ESD保護(hù)組件對(duì)于系統(tǒng)電路保護(hù)效能最重要的參數(shù)。針對(duì)以太網(wǎng)絡(luò)接口，晶焱科技提供完整的雷擊與ESD防護(hù)方案。AZ3028-04P于一次測(cè)提供線對(duì)線的雷擊防護(hù)，AZ3025-04F 于二次測(cè)提供線對(duì)線的雷擊防護(hù)，AZ3133-04F于二次測(cè)提供線對(duì)地的雷擊防護(hù)，并能夠有效防護(hù)ESD的沖擊。圖一為利用 AZ3028-04P與AZ3133-04F防護(hù)以太網(wǎng)絡(luò)接口的電路圖，可通過IEC61000-4-5 10/700us線對(duì)線2kV，線對(duì)地6kV的測(cè)試規(guī)范，以及IEC61000-4-2 ESD 30kV的測(cè)試規(guī)范。