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Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數低和熱導率高等特性。世強代理的的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態電阻低和開關損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。
SiC與Si性能對比
簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優勢為：擊穿電壓強度高（10倍于Si），更寬的能帶隙（3倍于Si），熱導率高（3倍于Si），這些特性使得SiC器件更適合應用在高功率密度、高開關頻率的場合。
SiC MOSFET性能明顯優于Si MOSFET
1. 極其低的導通電阻RDS（ON），導致了極其優越的正向壓降和導通損耗，更能適應高溫環境下工作。
2. SiC MOSFET管具有Si MOSFET管的輸入特性，即相當低的柵極電荷，導致性能卓越的切換速率。
3. 寬禁帶寬度材料，具有相當低的漏電流，更能適應高電壓的環境應用。
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