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AT45DB321D是一款2.7伏串行接口順序存取閃存，非常適合各種數(shù)字語(yǔ)音、圖像、程序代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用。AT45DB321D支持Rapids串行接口，用于需要非常高速操作的應(yīng)用程序。Rapids串行接口與最高66兆赫的頻率兼容。它的34603008位內(nèi)存被組織成8192頁(yè)512字節(jié)或528字節(jié)。除了主內(nèi)存之外，AT45DB321D還包含兩個(gè)SRAM緩沖區(qū)，每個(gè)SRAM緩沖區(qū)為512/528字節(jié)。緩沖區(qū)允許在主存儲(chǔ)器中的一個(gè)頁(yè)面重新編程時(shí)接收數(shù)據(jù)，以及寫入連續(xù)的數(shù)據(jù)流。EEPROM仿真（位或字節(jié)可選性）可以通過一個(gè)獨(dú)立的三步讀-修改-寫操作輕松處理。與使用多個(gè)地址線和并行接口隨機(jī)訪問的傳統(tǒng)閃存不同，DataFlash使用Rapids串行接口順序訪問其數(shù)據(jù)。簡(jiǎn)單的順序訪問大大減少了活動(dòng)的管腳數(shù)量，簡(jiǎn)化了硬件布局，提高了系統(tǒng)可靠性，最大限度地減少了開關(guān)噪聲，并減小了封裝尺寸。該裝置經(jīng)過優(yōu)化，適用于許多商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用，其中高密度、低針數(shù)、低電壓和低功率是必不可少的。
為了便于系統(tǒng)內(nèi)的重新編程，AT45DB321D不需要高輸入電壓進(jìn)行編程。對(duì)于程序和讀取操作，該設(shè)備從2.7V到3.6V的單電源供電。AT45DB321D通過芯片選擇引腳（CS）啟用，并通過由串行輸入（SI）、串行輸出（SO）和串行時(shí)鐘（SCK）組成的三線接口訪問。
所有編程和擦除周期都是自動(dòng)定時(shí)的。
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