我們從內存顆粒、 內存槽位接口、 主板和內存之間的信號、接口幾個方面來詳細闡述

　　SDRAM 內存條和主板內存系統(tǒng)的設計思路。..

　　雖然目前 SDRAM 內存條價格已經接底線，內存開始向 DDR 和 Rambus 內存過渡。但是

　　由于 DDR 內存是在 SDRAM 基礎上發(fā)展起來的，所以詳細了解 SDRAM 內存的接口和主板

　　計方法對于設計基于 DDR 內存的主板不無裨益。下面我們就從內存顆粒、內存槽位接口、主板

　　和內存之間的信號接口幾個方面來詳細闡述 SDRAM 內存條和主板內存系統(tǒng)的設計思路。

　　內存顆粒介紹

　　對于 DRAM（Dynamic Random Access Memory）內存我想凡是對于計算機有所了解的

　　讀者都不會陌生。這種類型的內存都是以一個電容是否充有電荷來作為存儲狀態(tài)的標志，電容沖

　　有電荷為狀態(tài) 1，電容沒有電荷為狀態(tài) 0。其最大優(yōu)點是集成度高，容量大，但是其速度相對于

　　SRAM （Static Random Access Memory） 內存來說慢了許多。目前的內存顆粒封裝方式有

　　許多種，本文僅僅以大家常見的 TSSOP 封裝的內存顆粒為例子。

　　其各個管腳的信號定義和我們所使用的 DIMM 插槽的定義是相同的，對于不同容量的內存，

　　地址信號的位數(shù)有所不同。另外一個需要注意的地方就是其供電電路。Vcc 和 Vss 是為內存顆

　　粒中的存儲隊列供電，而 VccQ 和 VssQ 是為內存顆粒中的地址和數(shù)據(jù)緩沖區(qū)供電。兩者的作用

　　不同。

　　我們對內存顆粒關心的問題主要是其顆粒的數(shù)據(jù)寬度（數(shù)據(jù)位數(shù)）和容量（尋址空間大小）。

　　而對于顆粒自檢、顆粒自刷新等等邏輯并不需要特別深入的研究，所以對此我僅僅是一筆帶過，

　　如果讀者有興趣的讀者可以詳細研究內存顆粒的數(shù)據(jù)手冊。雖然內存顆粒有這么多的邏輯命令方

　　式，但是由于目前北橋芯片和內存顆粒的集成度非常高，只要在布線和元器件的選擇上嚴格按照

　　內存規(guī)范來設計和制造，需要使用邏輯分析儀來調試電路上的差錯的情況比較少，并且在設計過

　　程中盡量避免出現(xiàn)這種情況。

　　168 線 DIMM 內存插槽的信號定義

　　我們目前 PC 和 Server 使用的內存大都是 168 Pins 的 SDRAM，區(qū)別只是其工作頻率有

　　的可能是 100MHz 頻率，有的可能是 133MHz 頻率的。但是只要是 SDRAM，其 DIMM 插槽

　　的信號定義是一樣的。而這些引腳得定義就是設計內存條和主板所必須遵從的規(guī)范。

　　內存引腳主要分為如下幾類：地址引腳、數(shù)據(jù)引腳（包含校驗位引腳）、片選等控制信號、時

　　鐘信號。整個內存時序系統(tǒng)就是這些引腳上的信號配合產生。下面的表中就是內存插槽的引腳數(shù)

　　量和引腳定義，對于一些沒有定義或者是保留以后使用的信號就沒有列出來。