資料介紹
CY7C1510KV18、CY7C1525KV18、CY7C1512KV18 和 CY7C1514KV18
都是包含 QDR II 架構的 1.8 V 同步流水線 SRAM。 QDR II 架
構由兩個單獨的端口組成:訪問存儲器陣列的讀端口和寫端口。
讀端口有專用的數據輸出來支持讀操作,寫端口則有專用的數據
輸入來支持寫操作。QDR II 架構具有單獨的數據輸入和數據輸
出,完全消除了公用 I/O 器件上存在的 “ 轉換 ” 數據總線方面
的需要。對每個端口的訪問都通過一個公用地址總線進行。用于
讀和寫的地址被鎖止在輸入 (K) 時鐘的備選上升沿。對 QDR II
讀端口和寫端口的訪問完全相互獨立。為了獲得最大的數據吞吐
量,讀端口和寫端口上都配備有 DDR 接口。每個地址都與兩個 8
位字 (CY7C1510KV18)、9 位字 (CY7C1525KV18)、18 位字
(CY7C1512KV18) 或 36 位字 (CY7C1514KV18) 相關聯,這些字以
突發 (Burst) 模式按順序傳入或傳出器件。由于數據可以在兩個
輸入時鐘 (K 和 K 以及 C 和 C)的每個上升沿傳入和傳出器
件,因此通過消除總線轉換,能夠在獲得最大內存帶寬的同時,
簡化系統設計。
深度擴展 (Depth Expansion) 是通過端口選擇實現的,能夠使每
個端口獨立工作。
所有同步輸入都會通過由 K 或 K 控制的輸入寄存器。 所有數據
輸出都會通過由 C 或 C(在單時鐘域中為 K 或 K)控制的輸出
寄存器。 寫操作通過片上同步自定時寫電路進行。
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