資料介紹
1、常用于電源去耦的元件組合
(1)不同容值的電容組合:
小容值的電容可以濾除電源線上的高頻噪聲,使電源更加干凈,并且負(fù)責(zé)提供負(fù)載的高頻電流需求。
大電容同樣起到蓄流的作用,響應(yīng)負(fù)載的低頻電流需求,濾除電源線上的低頻波動。
理論上,對于任意固定頻率,容值越大的電容阻抗越小。但由于電容本身也有寄生電感,而且往往容值越大寄生電感越大,在高頻處,電容最終都會顯現(xiàn)出感性,阻抗隨頻率的升高而升高。小電容的轉(zhuǎn)折點(下圖中的阻抗曲線的最低點)頻率值較之大電容更大。所以大電容對高頻電流的響應(yīng)特性沒有小電容好。
下圖是不同容值電容的阻抗隨頻率變化的曲線。但是大電容可以響應(yīng)頻率相對較低,電流需求大的電流變化。
(2)不同封裝的電容組合:
普遍來說,貼片電容比直插電容的寄生電感小,長寬比小的比長寬比大的封裝寄生電感小(同容值,0612的電容比1206電容寄生電感小,高頻特性更好)。
(3)不同種類的電容組合:
貼片陶瓷電容:高頻特性最好,但容值較小,常用的最大容值為10uF。常用于高頻電路的電源濾波去耦。
鉭電解電容:高頻特性較好,相同體積下可以實現(xiàn)最大的容值。確定是耐壓值較低,容易損壞。
鋁電解電容:高頻特性最差,但是容值最大,可以做到幾千微法。常用于電源入板處的濾波和去耦,此處的電容需要有容量大的特點,但對響應(yīng)速度要求不高。
因此,各種類型的電容在電源去耦中擔(dān)當(dāng)?shù)慕巧话闶沁@樣的:陶瓷電容最靠近芯片,負(fù)責(zé)提供負(fù)載高頻的電流需求和噪聲過濾,容值一般幾nF到幾uF之間。鉭電容和鋁電解電容因為容量大、響應(yīng)速度較慢,一般用于板級的電源去耦和濾波,或者是大功率電路的電源去耦。當(dāng)即要求速度,有要求容量的時候一般用多個瓷片電容并聯(lián)或瓷片電容與鉭電容并聯(lián)。選擇鉭電容,耐壓值要留有一定的裕量,因為電源上電瞬間一般會有一定的過沖,容易損壞鉭電容。電源處并聯(lián)上穩(wěn)壓管或TVS管可以抑制過沖,是很有效的解決辦法。(注:各種電容的ESR、ESL等參數(shù)之間有差異)
(4)電容和電感、磁珠的組合:
一般的電源去耦只需要去耦電容即可滿足實際需求,但對電源質(zhì)量要求很高的模擬電路等,僅僅使用去耦電容可能效果有限,因為如論并聯(lián)多少個電容,都只能形成單個極點,響應(yīng)曲線的滾將速度只有20dB/10倍頻。因此,可以在電源線上串聯(lián)電感或磁珠。這樣可以進一步減少電源波動對負(fù)載的影響,也能防止一些高噪聲的負(fù)載通過電源線將噪聲耦合到其他敏感的電路上。
2、不同電路中的電源去耦
(1)小功率電路:
模擬電路:
比如信號處理電路,中常用10uF和100nF貼片瓷片電容去耦。有的時候受到電路板空間的限制,可以多個芯片公用一個10uF的電容,但應(yīng)保證每個芯片的電源引腳處都就近放置一個100nF的電容。
高精度的模擬電路中,經(jīng)常放置多個容值梯度的電容(如10uF、100nF、1nF并聯(lián)),保證去耦電容可以過濾很寬頻率范圍內(nèi)的電源噪聲。并且電源線串聯(lián)磁珠會進一步減小噪聲。
數(shù)字電路:
數(shù)字電路工作在高速開關(guān)狀態(tài)下,電源電流變化迅速,并且數(shù)字信號中有豐富的高頻成分,會對電源造成干擾,因此常用100nF的貼片陶瓷電容進行電源去耦。
電路板的電源入板接口處通常放置容值較大的電解或鉭電容。此用途為電源濾波。
(2)大功率電路:
大功率的電路的電源去耦(如電機驅(qū)動H橋的電源去耦)要用到更大容值的電容,比如470uF甚至幾千微法的電解電容,但是除了用電解電容之外,還需要并聯(lián)上幾個瓷片的小電容,提高高頻響應(yīng)特性,過濾MOSFET高速開關(guān)因此的電源毛刺。
3、去耦元件的放置原則:
(1)就近原則:
去耦電容應(yīng)盡可能的靠近芯片的電源引腳。減小去耦電容和芯片之間走線的寄生電感,去耦效果更好。
(2)越小越近的原則:
小容值電容最靠近芯片,然后按照容值遞增的原則依次遠(yuǎn)離芯片(遠(yuǎn)離是相對的,前提是遵循就近原則)。小電容負(fù)責(zé)高頻響應(yīng),應(yīng)該更靠近芯片縮短響應(yīng)的時間。并且小電容可以濾除高頻噪聲,若距離芯片太遠(yuǎn),則電容和芯片之間的走線會重新拾取噪聲,削弱去噪效果。
(3)電源線先經(jīng)過去耦電容再連接至芯片引腳:
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