有一種說法，最傳統的半導體是硅Si，主要解決數據運算、存儲的問題；而最新的半導體卻以GaN為代表，它在光電轉化方面性能突出，在微波信號傳輸方面效率很高，可以廣泛地應用于照明、顯示和通訊領域。可以說，GaN確實是目前最為新鮮的半導體技術，而且它的未來前景十分廣闊！ 現如今，已經聽到我們的行業大咖宣布，“GaN將迎來黃金發展時間。”這一公告似乎在暗示，GaN已準備好出現在廣大聽眾、用戶或為數眾多的應用面前。同時也表明，GaN技術已經如此成熟，不能認為它是一個有問題的技術。 Get Ready! 迎接全新GaN技術 測試GaN的一種方法是查看采用GaN的電源的開發過程。 多數情況下，電源設計人員使用數字控制來演示GaN應用，可能是因為數字化控制的靈活性較好，能夠讓設計人員精確控制開關波形，也可能是數字控制可以提供克服任意GaN缺點的多個控制回路和保護電路。 “GaN已為數字電源控制做好準備”的含義比上述提到的更豐富，但它也意味著數字控制也做好準備迎接GaN。對于做好準備迎接GaN的數字電源控制來講，它需要時間基分辨率、采樣分辨率和計算馬力用于更高的開關頻率、更窄的占空比和精確的死區時間控制。圖1和2所示為硅（Si）MOSFET和GaN MOSFET的上升和下降時間，圖中數字顯示死區時間存在兩倍的差異，硅 MOSFET速度更慢。此外，GaN MOSFET的上升和下降更加線性，這些屬性使得更精細的邊緣控制非常可取。 圖1：諧振LLC硅MOSFET死區時間 圖2：LLC GaN MOSFET死區時間 了解GaN技術的優勢，尤其重要 GaN可在無需支付后續費用的情況下增大開關頻率。利用這一優點，可以在功率級中縮小無源元件尺寸，并加快瞬變響應速度。但是，要對這些較高頻率進行所需的控制，控制電路速度必須更快。 例如，采樣和轉換時間需要足夠快，才不會限制占空比寬度或相位延遲。此外，接下來針對控制工作的計算需要足夠快，以不限制開關速度。對于如今頻率大于1MHz的開關電源，需要在少數100ns中完成采樣和轉換。計算延遲也必須處于這一范圍。 幸運的是，多年來，我們生產的數字電源控制器一直具備這一能力。并非所有數字電源控制器都能滿足這些需求，但是至少電源設計人員有選擇權。 因此，GaN為數字電源控制做好準備了嗎？我們得到的答案更多是數字電源控制已準備好迎接GaN。隨著GaN繼續開發，并應用于高密度和高性能電源解決方案，我們已經開始利用GaN帶給行業的優勢。 來源： (mbbeetchina)