在mos的日常使用中若出現(xiàn)不明原因損壞時，會出現(xiàn)需要開蓋直接觀察的情況。最完美的流程是將MOS寄回廠，封裝廠有專用的溶液進行腐蝕，然后他們的工程師會出具失效報告（耗時長，且等來的答案不一定令人滿意）。

但很多情況下，我們甚至沒有途徑和時間將其寄回廠。例如學生黨做畢業(yè)設計，根本等不了這么久、或者因為就買了幾十個根本不睬學生。

所以，下面介紹一種簡易的可以在學校實驗室就輕易完成的化學開蓋手法。

第一步，物理開蓋。將MOSFET咔嚓成如圖一右邊這個樣子。（不清楚如何操作可以看我上一篇文章）物理開蓋因為手法問題，會殘留一些環(huán)氧樹脂在晶片上。如圖一右邊mos，晶片上有一個小黑點就是環(huán)氧樹脂。小黑點下面有一個鋁層。我們把鋁層去掉了，環(huán)氧樹脂也就沒了。

圖一

第二步，準備一個燒杯，杯內(nèi)50ML的水+7ML的氫氧化鈉加熱至100℃，將圖一右側(cè)MOS置入溶液中。其原理為：2Al+2NaOH+6H2O=2Na [Al(OH)4]+3H2↑

其現(xiàn)象為：鋁層開始溶解,伴隨有氣泡產(chǎn)生，如圖二。

圖二

第三步，等溶液中看不到氣泡后，撈出來，注意不要碰到晶片，隨著我們的抽絲剝繭，沒啥東西可以保護硅晶片了，所以很容易劃傷。將MOS自然吹干（去水漬）。

第四步，將處理好的MOS拿到顯微鏡下觀察，分析失效原因。

附錄：

圖3為物理開蓋顯微鏡下呈現(xiàn)的樣子。

圖4為去鋁層后顯微鏡下呈現(xiàn)的樣子。

注：兩圖為同一款型號的MOS，但不是同一顆。

可以發(fā)現(xiàn)沒有了環(huán)氧樹脂的遮擋，圖4看到的燒點比圖三清晰很多。

圖三

圖四

審核編輯 黃昊宇