在直拉法單晶硅生長(zhǎng)過(guò)程中，石英坩堝會(huì)和硅熔體起反應(yīng)，產(chǎn)生大量 SiO。在硅的熔化溫度之下，一氧化硅的蒸汽壓達(dá)到 9 托，因此很容易從熔體表面揮發(fā)掉。如果生長(zhǎng)過(guò)程是在高度真空下操作，那么 SiO 從熔體表面揮發(fā)所帶來(lái)的沸騰現(xiàn)象，將給晶體生長(zhǎng)帶來(lái)極大的影響。因此，晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)的操作壓力很少低于 5 托。除非硅熔體發(fā)生過(guò)熱現(xiàn)象，否則在 5 托以上沸騰現(xiàn)象是不會(huì)發(fā)生的。

　　從硅熔體表面揮發(fā)的 SiO 氣體，在受到冷爐壁及氬氣的降溫作用后，會(huì)凝結(jié)成霧狀微粒。如果爐壁上凝結(jié)了過(guò)多的微粒，這些微粒可能會(huì)重新掉入硅熔體表面。而且當(dāng)這些微粒撞到晶棒時(shí)，還可能使晶棒產(chǎn)生位錯(cuò)而導(dǎo)致多晶的產(chǎn)生。當(dāng)爐體內(nèi)的操作壓力接近大氣壓時(shí)，上述現(xiàn)象更為嚴(yán)重，因此晶體生長(zhǎng)時(shí)必須保證壓力在 5 托以上。為了減少 SiO 的凝結(jié)，爐體內(nèi)必須通入氬氣，以帶走硅熔體表面揮發(fā)出來(lái)的SiO 氣體。通入的氬氣及大部分的 SiO 則由爐體底部的真空系統(tǒng)抽走。通入氬氣的另一目的是要同時(shí)帶走 C0 氣體，以避免 co 氣體重新進(jìn)入熔體內(nèi)，造成晶棒受到碳的污染。一般氬氣的流量在 20 一-．150dlpm 之間，端視生長(zhǎng)晶體系統(tǒng)的大小及制程而定。去除了表面機(jī)械損傷的無(wú)位錯(cuò)籽晶，雖然本身不會(huì)在新生長(zhǎng)的晶體硅中引入位錯(cuò)，但是在籽晶剛碰到液面時(shí)，由于熱振動(dòng)可能在晶體中產(chǎn)生位錯(cuò)，這些位錯(cuò)甚至能夠延伸到整個(gè)晶體，而縮頸技術(shù)可以生長(zhǎng)無(wú)位錯(cuò)的單晶口卜 391。