過去十年間，業界提高小功率AC–DC電源效率的努力一直沒有間斷過。隨著新的歐盟CoC V5 Tier 2和美國DoE 6標準在2016年正式生效，這一趨勢必將繼續下去。新標準要求外部電源6 W輸出時的最低效率必須達到70%左右，并且空載功耗必須小于100 mW。Power Integrations已經推出LinkSwitch?產品系列的最新一代器件LinkSwitch-4，用以滿足持續提高電源效率的市場需求。新一代器件采用了一些新穎的創新技術，可在降低離線式電源設計的成本的同時進一步提高效率。

　　LinkSwitch-4 IC性能先進，可滿足移動、消費電子和醫療應用對高效率、高可靠性和低成本電源的要求。LinkSwitch-4控制器采用自適應基極-發射極開關驅動技術，可提升開關性能并提高效率。這項高級開關技術特別有利于高壓應用。在傳統的僅由基極驅動的設計中由于其關斷較慢，關斷損耗很大，而LinkSwitch-4的開關技術可以降低此關斷損耗，減小由于三極管二次擊穿而引起的三極管故障。這樣的控制方式可以大幅擴大三極管的反向偏置安全工作區域（RBSOA）并增強系統整體可靠性。請參見圖1a和圖1b。

　　圖1a 與基極驅動方式相比，采用基極-發射極驅動方式的BJT的反向偏置安全工作區

　　圖1b 基極-發射極驅動方式的BJT反向偏置安全工作區域

　　當MOSFET或雙極結型晶體管（BJT）關斷時，電流降為零，其上的電壓升至供電電壓。關斷期間如果速度較慢其損耗會更大，因為晶體管在過渡區所耗用的時間更多。通過控制外部雙極晶體管的基極和發射極驅動，LinkSwitch-4 IC可大大縮短在交越區域耗用的時間，從而降低開關損耗和提高效率。自適應基極-發射極開關技術可在開關前消除少數載流子，并在關斷期間使Vbe變負，從而防止三極管進入二次擊穿及工作區間超出RBSOA而失效。在相同工作條件下，LinkSwitch-4器件可將外部BJT的RBSOA增大至與MOSFET幾乎一樣的大小，提高電源在標準工作和故障模式下的可靠性。

　　反激式電源電路原理圖