1954 年美國貝爾實驗室的 D: M: Chapin 等人研制出效率約為 6% 的單晶硅太陽電池 ［ 1］ ， 并于 1959 年首先在空間技術(shù)上得以應(yīng)用。在隨后幾年里， 隨著空間應(yīng)用太陽電池要求的提高以及電子制造業(yè)的發(fā)展， 硅太陽電池的效率提高很快; 1974 年太陽電池絨面技術(shù)的應(yīng)用［ 2］ ， 使太陽電池的效率又有了新的突破; 但是此后的十年時間里， 其效率水平一直沒有突破 20%。此時， 澳大利亞新南威爾士大學(xué) （ UN SW） 的 M: A: Green 教授帶領(lǐng)其研究小組研制的鈍化發(fā)射結(jié)技術(shù)的應(yīng)用， 很大程度上降低了晶體硅太陽電池前、后表面少數(shù)載流子的復(fù)合， 從而實現(xiàn)了晶體硅太陽電池效率的再次飛躍。首先， 1984 年 研制 的鈍 化發(fā) 射結(jié) 太陽 電池 ［ 3］ （ passivated emitter so lar cell， PESC） 的效率達(dá)到了 19: 1%， 1985 年 V 型槽技術(shù)被應(yīng)用到該電池上， 效率首次突破了 20%; 隨后研制的鈍化發(fā)射結(jié)及鈍化背表面太陽電池［ 4］ （ passivated emitter and rear cell， PERC） 取得了極大成功， 其效率達(dá)到 23% ; 此后， 1990 年研制的鈍化發(fā)射結(jié)及背面局部擴散太陽電池 ［ 5］ （ passiv ated emitter and r ear locally:diffused cell， PERLC） 效率達(dá) 24%; 1998 年改 進(jìn) 的 PERLC 的 光 電 轉(zhuǎn) 換 效 率 達(dá) 到 了 24. 7% ［ 6］ ， 2008 年 10 月， 該機 構(gòu)對其改進(jìn)的 PERLC 的光電轉(zhuǎn)換效率原數(shù)值 24. 7% 重新計算后修訂為 25% ［ 7］ 。縱觀所有效率超過 20% 的太陽電池， 無一例外都采用了表面鈍化技術(shù)， 使太陽電池的有效少數(shù)載流子壽命保持在較高水平， 從而得到較高的開路電壓和短路電流［ 8］ 。可以說， 當(dāng)今高效晶體硅太陽電池都是利用良好的表面鈍化技術(shù)來降低半導(dǎo)體的表面活性， 使表面的復(fù)合速度降低。其主要方式就是飽和半導(dǎo)體表面處的懸掛鍵， 降低表面活性， 增加表面的清潔程序， 避免由于表面層引入雜質(zhì)而形成復(fù)合中心， 以此來降低少數(shù)載流子的表面復(fù)合速度［ 8］ 。目前晶體硅太陽電池表面鈍化技術(shù)的方法很多， 對于傳統(tǒng)的 p 型襯底而言， 有熱氧化法、等離子體增強化學(xué)氣相沉積法 （ PECV D） 等; 對于今后采用的 n 型襯底而言， 有原子層沉積法 （ ALD） 等。本文主要介紹晶體硅太陽電池表面鈍化膜的作用， 并對晶體硅太陽電池表面鈍化技術(shù)研究動態(tài)作了詳細(xì)介紹。