資料介紹
功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn),因而非常適合用作開關(guān)電源(switch-mode power
supplies,SMPS)的整流組件,不過,在選用MOSFET時(shí)有一些注意事項(xiàng)。
功率MOSFET和雙極型晶體管不同,它的柵極電容比較大,在導(dǎo)通之前要先對該電容充電,當(dāng)電容電壓超過
閾值電壓(VGS-TH)時(shí)MOSFET才開始導(dǎo)通。因此,柵極驅(qū)動(dòng)器的負(fù)載能力必須足夠大,以保證在系統(tǒng)要求的時(shí)
間內(nèi)完成對等效柵極電容(CEI)的充電。
在計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)電流時(shí),最常犯的一個(gè)錯(cuò)誤就是將MOSFET的輸入電容(CISS)和CEI混為一談,于是會使用
下面這個(gè)公式去計(jì)算峰值柵極
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