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VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美國IR 公司推出VDMOS 結構，將器件耐壓、導通電阻和電流處理能力提高到一個新水平。功率VDMOS 管是在外延片上制作的，由于一個管芯包括幾千個元胞，故要求線條細，光刻精度高。所以對外延片的電阻率均勻性要求高，對外延片表面的平整度和顆粒度要求也高，我公司的產品是為了功率VDMOS 管專門研制開發的。
2、創新性和先進性
功率 VDMOS 管用硅外延片系我公司與器件生產廠家密切配合，自主開發的新產品，屬于原始創新。功率VDMOS 是一種電壓控制型單極晶體管，它是通過柵極電壓來控制漏極電流的，因而它的一個顯著特點是驅動電路簡單、驅動功率小； 僅由多數載流子導電，無少子存儲效應，高頻特性好，工作頻率高達100kHz 以上，為所有電力電子器件中頻率之最，因而最適合應用于開關電源、高頻感應加熱等高頻場合；沒有二次擊穿問題，安全工作區廣，耐破壞性強。它采用超大規模集成電路的精細加工技術，用N/N+外延結構，因此對外延片的有特殊的要求和標準。
2、創新性和先進性
功率 VDMOS 管用硅外延片系我公司與器件生產廠家密切配合，自主開發的新產品，屬于原始創新。功率VDMOS 是一種電壓控制型單極晶體管，它是通過柵極電壓來控制漏極電流的，因而它的一個顯著特點是驅動電路簡單、驅動功率小； 僅由多數載流子導電，無少子存儲效應，高頻特性好，工作頻率高達100kHz 以上，為所有電力電子器件中頻率之最，因而最適合應用于開關電源、高頻感應加熱等高頻場合；沒有二次擊穿問題，安全工作區廣，耐破壞性強。它采用超大規模集成電路的精細加工技術，用N/N+外延結構，因此對外延片的有特殊的要求和標準。
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